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三星开发出其首款24Gb GDDR7 DRAM，助力下一代人工智能计算(2024-10-17 09:52)
三星开发出其首款24Gb GDDR7 DRAM，助力下一代人工智能计算;新款GDDR7提供了业界出众的容量和超过40Gbps的速度，极大提升了图形DRAM的性能，为未......
三星开发出其首款24Gb GDDR7 DRAM，助力下一代人工智能计算(2024-10-17 09:52)
三星开发出其首款24Gb GDDR7 DRAM，助力下一代人工智能计算;新款GDDR7提供了业界出众的容量和超过40Gbps的速度，极大提升了图形DRAM的性能，为未......
新一代DDR5 DIMM的五大亮点(2021-04-20)
带来功耗的相应降低。采用DDR5之后，DRAM、缓冲芯片寄存时钟驱动器（RCD）和数据缓冲器（DB）的供电电压从1.2V下降到1.1V。不过，设计人员在设计产品时也需要注意，工作电压（VDD）降低......
SK海力士全球最高速LPDDR5T移动DRAM与高通完成性能验证(2023-10-25)
SK海力士全球最高速LPDDR5T移动DRAM与高通完成性能验证;25日宣布，
公司开始推进"(Low Power Double Data Rate 5 Turbo)
DRAM"的商用化*，其目......
SK海力士全球最高速LPDDR5T移动DRAM 与高通完成性能验证(2023-10-25)
DRAM可在国际半导体标准化组织（JEDEC）规定的最低电压标准范围1.01~1.12V（伏特）下运行，在功耗方面也具备了优势。
SK海力士技术团队在开发该产品的过程中，采用了HKMG（High-K......
美光推出1β DDR5 DRAM：速度7200MT/s，每瓦性能提高33%(2023-10-11)
美光推出1β DDR5 DRAM：速度7200MT/s，每瓦性能提高33%;
【导读】美光公司10月11日宣布推出采用1β工艺节点的DDR5 DRAM内存，速度可达7200MT/s，首款......
SK海力士量产全球最大容量的24GB LPDDR5X DRAM(2023-08-11)
首次开发出将容量提升至24GB的移动DRAM封装，并开始供货。
* LPDDR：用于智能手机和平板电脑等移动产品的DRAM规格，为了功耗最小化具备着低电压动作的特性。规格名称附有LP(Low......
SK海力士量产全球最大容量的24GB LPDDR5X DRAM(2023-08-22)
功量产LPDDR5X，此次首次开发出将容量提升至24GB的移动DRAM封装，并开始供货。
1 LPDDR：用于智能手机和平板电脑等移动产品的DRAM规格，为了功耗最小化具备着低电压......
中国3D DRAM研究取得创新进展(2023-01-10)
正偏压与负偏压条件），阈值电压漂移小于25mV，进行1012次写入擦除操作后没有表现出性能劣化。该研究成果有助于推动实现4F2 IGZO 2T0C-DRAM单元。
封面图片来源：拍信网......
SK海力士全面推进全球最高速率LPDDR5T DRAM商用化(2023-11-13)
耗双倍数据速率）：是一种用于智能手机和平板电脑等移动端产品的DRAM规格，以耗电量最小化为目的，具备低电压运行特征。LPDDR5X DRAM是第七代产品，该系列产品按1-2-3-4-4X-5的顺......
SK海力士全面推进全球最高速率LPDDR5T DRAM商用化(2023-11-14)
电量最小化为目的，具备低电压运行特征。LPDDR5X DRAM是第七代产品，该系列产品按1-2-3-4-4X-5的顺序开发而成。LPDDR5T是SK海力士于业内首次开发的产品，是第八代LPDDR6正式问世之前，将第......
南亚科：10纳米级制程将于2022年导入量产(2022-01-01)
段DRAM需求状况仍不错，公司对DRAM市场后市不悲观。
另外，能减少能耗与电压的DDR5产品，以一般功率计算，约能降低16%至35%，是一个速度增加、功耗降低，对环境永续有益处的产品。
报道......
STM32上的SDRAM硬件电路设计(2024-03-08)
先了解下DRAM（Dynamic random-access memory），DRAR中文译为动态随机存取内存，也叫动态随机存取器，为什么叫动态随机存取器，原因是它的实现原理跟静态存储器SRAM不一......
SK海力士推出全球最快移动DRAM——LPDDR5T(2023-01-25)
SK海力士推出全球最快移动DRAM——LPDDR5T;· 推出LPDDR5X后，仅隔两个月成功开发出速度提高13%的新产品，兼具高速度和低功耗
· 采用HKMG工艺实现性能的极大化
·“不断......
SK海力士推出全球超快移动DRAM——LPDDR5T(2023-02-03)
了后缀。
1LPDDR（低功耗双倍数据速率）：是用于智能手机和平板电脑等移动端产品的DRAM规格，因以耗电量最小化为目的，具有低电压运行特征。规格名称附有“LP（Low Power，低功......
三星电子宣布12纳米级 DDR5 DRAM已开始量产(2023-05-18 14:45)
三星电子宣布12纳米级 DDR5 DRAM已开始量产;三星电子最新推出的DRAM将以更高的能效和生产率，优化人工智能应用在内的下一代计算今日，三星电子宣布其采用12纳米级工艺技术的16Gb DDR5......
三星：LPDDR5X DRAM已应用于高通的骁龙移动平台(2022-03-04)
语言处理等人工智能功能。此外，通过采用先进的电路设计以及动态电压和频率调节（DVFS），LPDDR5X的功耗可以降低约20%。
三星称，公司将继续开发低功耗DRAM产品，以提供更高的性能和更高的容量，以支......
深度分析汽车存储市场与产业：美光几乎垄断高端市场(2023-08-10)
通道的，带宽比LPDDR5还高。LPDDR4X与LPDDR4的区别在于Vddq，Vddq是DRAM I/O缓冲的电压，基本上与核心电压VDD合二为一了，电压越低意味着可以有更快的速率和更低的功耗。为了......
汽车存储器的种类和功能是什么(2024-04-30)
通道的，带宽比LPDDR5还高。LPDDR4X与LPDDR4的区别在于Vddq，Vddq是DRAM I/O缓冲的电压，基本上与核心电压VDD合二为一了，电压越低意味着可以有更快的速率和更低的功耗。为了......
功耗降低23%，三星12nm级DDR5 DRAM成功量产(2023-05-19)
功耗降低23%，三星12nm级DDR5 DRAM成功量产;当地时间5月18日，三星电子宣布其采用12纳米级工艺技术的16Gb DDR5 DRAM已开始量产，可以......
内存变革将至，DRAM 后谁扛大旗？MRAM、FERAM 和 ReRAM 摩拳擦掌(2024-02-22)
-orbit torque）和电压调控磁各向异性磁随机存储器等新技术也正在缩短 MRAM 的写入延迟时间，使其成为有朝一日可能取代 DRAM 的主要候选产品之一。
MRAM 磁阻式随机存取内存
磁阻......
存储器重镇临时管控；瑞萨工厂停工；部分芯片价格暴涨(2022-07-11)
存储器重镇临时管控；瑞萨工厂停工；部分芯片价格暴涨;“芯”闻摘要
存储器重镇临时管控7天
部分芯片产品价格暴涨
DRAM产品价格跌幅预测更新
晶圆代工产能利用率预测
瑞萨......
从诞生到三足鼎立格局，DRAM到底经历了什么？(2022-12-30)
应控制输入前会等待一个时钟信号，这样就能和计算机的系统总线同步。时钟被用来驱动一个有限状态机，对进入的指令进行管线（Pipeline）操作。DRAM采用3.3v工作电压，带宽64位，SDRAM将CPU与RAM通过......
高频率+低功耗，QUANXING铨兴DDR5强势登场！(2021-10-28)
16Gb DDR5颗粒，相比DDR4内存，DDR5拥有更高的起步频率，标准频率从DDR4 3200MHz提升至4800MHz，直接冲破DDR4的性能天花板。
新低耗 电压......
详解基于VLT的新型DRAM(2017-01-01)
负电荷就会从内存单元流出到位在线；而如果位线的电压低于内存，那么负电荷就会从位线流进内存单元。
图1：传统电容式DRAM内存单元的电荷分配原理 （图中绿色箭头所示为电流，与负电荷流动的方向相反）
这种电荷转移改变了位在线的电压......
SK海力士成功开发出全球首款第六代10纳米级DDR5 DRAM(2024-08-29)
代）-HBM4E（第七代）的顺序开发。
*LPDDR（低功耗双倍数据速率）：是一种用于智能手机和平板电脑等移动端产品的DRAM规格，以耗电量最小化为目的，具备低电压运行特征。规格名称为LP(Low......
10nm后，DRAM有这些发展方向(2023-06-13)
）DRAM 方面取得了重大进展。
据三星称，新的16 GB、12 nm DDR5 DRAM具有精致的电路、优化的单元结构和低工作电压......
三星、美光等推动普及，DDR5正进入放量期(2023-05-05)
三星、美光等推动普及，DDR5正进入放量期;在行业下行周期时，新技术、新产品的诞生往往会成为振奋市场的关键点。当下DDR5 DRAM作为存储领域的新产品，逐渐成为各大企业竞逐的焦点。据外......
导入行业领先技术，金泰克DDR5内存蓄势待发(2021-10-12)
的电源芯片带来更好的电源布局和更短的电源传输路径。电源管理芯片通过I2C/I3C协议配置，调节电源纹波、电压和上下电时序，达到更稳定和更加省电的效果。
· 新增On-die ECC,增强DRAM颗粒......
存储市场酝酿新一轮DRAM技术革命(2024-07-23)
衡量DRAM单元中晶体管等组件尺寸；“Square”则用于衡量向单元中的晶体管施加电压的组件面积大小。
业界表示，早期DRAM单元结构是8F Square，目前商业化的DRAM主要采用6F Square......
美光科技在日本广岛开始量产“1β”DRAM，内存密度提升 35%(2022-11-28 11:30)
美光科技在日本广岛开始量产“1β”DRAM，内存密度提升 35%;美光科技位于日本广岛县东广岛市的子公司“日本美光存储器公司” 已于 16 日在该市广岛工厂启动最高端的 DRAM 量产。据美......
MAX1992数据手册和产品信息(2024-11-11 09:19:03)
MAX1992数据手册和产品信息;MAX1993评估板(EV kit)演示MAX1993器件标准的4A应用电路。该DC-DC变换器降压转换高电池电压或交流适配器的电压，为芯片组、DRAM供电或其它低压电源产生一个精确的低电压......
SK海力士引领High-k/Metal Gate工艺变革(2022-11-08)
SK海力士引领High-k/Metal Gate工艺变革;由于传统微缩(scaling)技术系统的限制，DRAM的性能被要求不断提高，而HKMG(High-k/Metal Gate)则成......
日本恶劣天气影响，美光DRAM厂停电，瑞萨MCU厂停工(2022-07-13)
日本恶劣天气影响，美光DRAM厂停电，瑞萨MCU厂停工;近日，日本今年第4号台风“艾利”在日本长崎县佐世保市附近登陆，影响了多家日本半导体工厂的生产和运营。
美光广岛工厂长时间停电，影响......
美光科技在日本广岛开始量产“1β”DRAM，内存密度提升 35%(2022-11-28)
美光科技在日本广岛开始量产“1β”DRAM，内存密度提升 35%;据共同社报道，美光科技位于日本广岛县东广岛市的子公司“日本美光存储器公司” 已于 16 日在该市广岛工厂启动最高端的 DRAM 量产......
揭开AI幕后存储技术——HBM、GDDR...(2024-06-18)
样品。具体来看，三星GDDR7芯片通过首次应用PAM3信号，能够在仅1.1 V的DRAM电压下实现32 Gbps的速度，这超过了JEDEC的GDDR7规范中的1.2 V；SK海力士与其前身GDDR6相比，最新......
2021年准备迎接存储器成长周期，各厂商摩拳擦掌(2020-12-23)
。
相较于当前产品DDR4的规格，DDR5 DRAM的传输速率可高达6400Mbps，是DDR4 DRAM 3200Mbps的2倍。另外，DDR5的工作电压为1.1V，这比DDR4的1.2V降低......
进入1x nm时代，DRAM产业举步维艰(2017-04-20)
“开”和“关”。电容类似于小充电电池。它可以用电压充电以代表1，放电后代表0，但是被充电的电容会因放电而丢掉电荷，所以它们必须由一新电荷持续地“刷新”。
与CPU等芯片相比，DRAM内存......
2023年DRAM芯片供应将同比减少，NAND芯片供应量同比增幅将为个位数(2022-11-29)
2023年DRAM芯片供应将同比减少，NAND芯片供应量同比增幅将为个位数;
存储，是嵌入式系统芯片的概念在存储行业的具体应用。因此，无论是系统芯片还是，都是通过在单一芯片中嵌入软件，实现......
北京大学研究团队在氧化物半导体器件方向取得系列重要进展(2023-02-21)
超薄氧化物半导体的环形振荡器结构与电学特性
相比已经发展至3纳米节点的硅基集成电路器件，氧化物半导体的显著特点在于其宽禁带特性导致的极低关态漏电流，因此在DRAM应用中对于提升数据保持时间和降低功耗具有极大的优势，但当前面临的主要问题在于氧化物半导体高阈值电压......
当时还提到他们测试了 36 Gbps 的早期样品，但并未公布具体细节。
三星 GDDR7 DRAM 将采用专门针对高速工作负载进行优化的技术，并且还将提供低工作电压选项，专为笔记本电脑等需要注重续航的产品而设计。
......
佰维推出全新LPDDR5产品，助力移动智能终端升级迭代(2022-11-16)
佰维推出全新LPDDR5产品，助力移动智能终端升级迭代;
【导读】相较于主要用在PC上的DDR DRAM模组产品，LPDDR提供了一种功耗显著降低的高性能解决方案，而降......
美光宣布推出128GB RDIMM大容量内存(2023-11-30)
领先阵列效率和最密集的单片DRAM晶粒。电压领域和更新管理功能有助于完善电源网络，进而改善能源效率。此外，美光也将晶粒尺寸的深宽比最佳化，借此提升32Gb大容量DRAM晶粒的制造效率。另外，透过AI驱动......
SK海力士开发出下一代智能内存芯片技术PIM(2022-02-16)
本。GDDR6-AiM是将计算功能添加到数据传输速度为16Gbps的GDDR6内存的产品。与传统DRAM相比，将GDDR6-AiM 与 CPU、GPU 相结......
美光科技宣布推出32Gb单片芯片128GB DDR5 RDIMM内存(2023-11-14)
计数一般计算工作负载的高效处理。
美光32Gb DDR5内存解决方案采用创新的芯片架构选择，可实现领先的阵列效率和最密集的单片DRAM芯片。电压域和刷新管理功能有助于优化供电网络，提供急需的能源效率改进。并优化了芯片尺寸纵横比，以提......
东芯半导体：聚焦本土存储，实现自主创芯(2022-10-27)
东芯半导体：聚焦本土存储，实现自主创芯;作为Fabless芯片企业，东芯半导体（股票代码：688110）拥有独立自主的知识产权，聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的设计、生产和销售，是目......
DRAM营收排名；长电科技收购案新动态；8英寸碳化硅如火如荼(2024-08-19)
DRAM营收排名；长电科技收购案新动态；8英寸碳化硅如火如荼;“芯”闻摘要
DRAM营收排名
8英寸碳化硅如火如荼
长电科技收购案新动态
存储产业开始狂飙？
存储技术突破！
半导......
敬请期待 | 西安紫光国芯将携新一代DDR5 RDIMM等产品亮相MTS2024(2023-10-26)
Seminar 2024) 将在深圳隆重举办。届时，西安紫光国芯将携专业DRAM KGD解决方案、标准DRAM存储产品等前沿存储技术成果亮相。其中，新一代DDR5 RDIMM、512Mb DDR2和1Gb......
存储控制器FSMC与触摸屏介绍(2024-02-22)
为动态随机存储器DRAM(Dynamic RAM)以及静态随机存储器SRAM(Static RAM)两种。
2.DRAM存储器：动态随机存储器 DRAM的存储单元以电容的电荷来表示数据，有电荷代表 1，无电......
DRAM需求放缓，DDR5能否带动存储市场进入上升通道？(2023-02-24)
DRAM需求放缓，DDR5能否带动存储市场进入上升通道？;
【导读】当下，存储芯片市场仍处于低迷状态。各大存储芯片企业的最新财报显示，企业利润均在下跌。在产业下行周期，新技术、新产......
相关企业
;scs;;DRAM SUPPLYER
elpida;尔必达;;尔必达（ELPIDA）是日本最主要的DRAM半导体芯片制造厂商，主要生产DRAM颗粒，并且自己制造原产的ELPIDA内存条.Elpida在欧美市场以提供高品质的DRAM类产
;超联应用;;IC DRAM EXCHANGE SALE
;IC Trade;;dram flash wireless samsung TI cypress trading
;SZYL ELECTRONIC CO.,LTD;;几年从事SRAM DRAM FLASH
;樊琳;;dram,flash,wireless,eeprom .cypres,TI,Samsung,chip trading
;香港德胜科技;;主营NAND FLASH;DRAM;MCP;TF卡
;嘉盈;;专业精营-DRAM/Flash/Memory Card/Module - Original Brand & OEM HK
;深圳联升达电子公司;;DRAM 内存芯片 内存条
;建设公司;;专业精营-DRAM/Flash/Memory Card/Module - Original Brand & OEM HK