美光推出1β DDR5 DRAM：速度7200MT/s，每瓦性能提高33%

2023-10-11

【导读】美光公司10月11日宣布推出采用1β工艺节点的DDR5 DRAM内存，速度可达7200MT/s，首款产品为16Gb LPDDR5X-8500。美光表示，这代1βDRAM将是美光最后一代采用DUV深紫外光刻机制造的内存芯片，之后将采用EUV极紫外光刻机。

美光公司10月11日宣布推出采用1β工艺节点的DDR5 DRAM内存，速度可达7200MT/s，首款产品为16Gb LPDDR5X-8500。美光表示，这代1βDRAM将是美光最后一代采用DUV深紫外光刻机制造的内存芯片，之后将采用EUV极紫外光刻机。

美光推出1β DDR5 DRAM：速度7200MT/s，每瓦性能提高33%

美光的1β制造工艺采用了该公司第二代高K金属栅极工艺（HKMG），与1α节点相比，16Gb芯片的比特密度提升35%，能效提高15%。新的技术对制造DDR5、LPDDR5X芯片十分有用。

美光利用1β节点生产的首款产品将是16Gb LPDDR5X-8500内存，这款芯片将采用“增强动态电压技术”和“频率扩展内核（eDVFSC）电压控制技术”，达到节省功耗的目的。

美光推出1β DDR5 DRAM：速度7200MT/s，每瓦性能提高33%

美光演示的1β DDR5 DRAM目前已经开始向数据中心和PC用户提供，峰值速度可以达到7200MT/s。这款新型DDR5内存采用先进的high-k高介电CMOS器件技术，相比上一代性能提高50%，每瓦性能提高了33%。

美光的1β技术支持多种基于内存的解决方案组合，包括使用16Gb、24Gb、32Gb DRAM芯片的DDR5 RDIMM、MCRDIMM内存模组；使用16Gb和24Gb DRAM芯片的LPDDR5X、HBM3E、GDDR7。

美光推出1β DDR5 DRAM：速度7200MT/s，每瓦性能提高33%

美光表示，全新的16Gb LPDDR5X-8500产品已经准备好大规模量产，目前正在向感兴趣的各方提供样品，未来将通过直销和渠道合作伙伴方式销售。

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