· 基于世界最高性能的1b工艺扩展平台，以最高效的方法开发出1c工艺
· 以利用新材料、优化EUV工艺确保成本竞争力，通过能效改善为数据中心节省30%以上的电费
· 计划在年内完成批量生产准备，明年开始正式供应
· “将适用于最先进的DRAM产品，为客户提供差别化的价值”

2024年8月29日，SK海力士宣布，全球首次成功开发出采用第六代10纳米级（1c）工艺的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。由此，公司向世界展现了10纳米出头的超微细化存储工艺技术。

SK海力士强调：“随着10纳米级DRAM技术的世代相传，微细工艺的难度也随之加大，但公司以通过业界最高性能得到认可的第五代（1b）技术力为基础，提高了设计完成度，率先突破了技术极限。公司将在年内完成1c DDR5 DRAM的量产准备，从明年开始供应产品，引领半导体存储器市场发展。”

公司以1b DRAM平台扩展的方式开发了1c工艺。SK海力士技术团队认为，由此不仅可以减少工艺高度化过程中可能发生的尝试错误，还可以最有效地将业界内以最高性能DRAM受到认可的SK海力士1b工艺优势转移到1c工艺。

而且，SK海力士在部分EUV工艺中开发并适用了新材料，也在整个工艺中针对EUV适用工艺进行了优化，由此确保了成本竞争力。与此同时，在1c工艺上也进行了设计技术革新，与前一代1b工艺相比，其生产率提高了30%以上。

此次1c DDR5 DRAM将主要用于高性能数据中心，其运行速度为8Gbps（每秒8千兆比特），与前一代相比速度提高了11%。另外，能效也提高了9%以上。随着AI时代的到来，数据中心的耗电量在继续增加，如果运营云服务的全球客户将SK海力士1c DRAM采用到数据中心，公司预测其电费最高能减少30%。 

SK海力士DRAM开发担当副社长金锺焕表示：“1c工艺技术兼备着最高性能和成本竞争力，公司将其应用于新一代HBM^*、LPDDR6^*、GDDR7^*等最先进DRAM主力产品群，由此为客户提供差别化的价值。今后公司也将坚守DRAM市场的领导力，巩固最受客户信赖的AI用存储器解决方案企业的地位。”

^*HBM（High Bandwidth Memory）: 垂直连接多个DRAM，与DRAM相比显著提升数据处理速度的高附加值、高性能产品。HBM DRAM产品以HBM（第一代）-HBM2（第二代）-HBM2E（第三代）-HBM3（第四代）-HBM3E（第五代）-HBM4（第六代）-HBM4E（第七代）的顺序开发。 

^*LPDDR（低功耗双倍数据速率）：是一种用于智能手机和平板电脑等移动端产品的DRAM规格，以耗电量最小化为目的，具备低电压运行特征。规格名称为LP(Low Power)，最新规格为LPDDR第七代(5X)，按1-2-3-4-4X-5X-6顺序开发。

^*GDDR（Graphics DDR，图形用双倍数据传输率存储器）：由国际半导体器件标准组织（JEDEC）规定的标准图形用DRAM规格。专用于图形处理的规格，该系列产品按照3、5、5X、6、7的顺序来开发而成，系列越新，运行速度越快，能效也越高。该产品作为广泛应用于图形和人工智能领域的高性能存储器而受到关注。