佰维推出全新LPDDR5产品,助力移动智能终端升级迭代

发布时间:2022-11-16  

【导读】相较于主要用在PC上的DDR DRAM模组产品,LPDDR提供了一种功耗显著降低的高性能解决方案,而降低功耗是平板电脑、超薄笔记本、智能手机和汽车等移动应用的重点要求。从2009年第一代开始,LPDDR持续迭代升级,来满足移动终端不断迭代产生的更先进、高速的存储需求。


相较于主要用在PC上的DDR DRAM模组产品,LPDDR提供了一种功耗显著降低的高性能解决方案,而降低功耗是平板电脑、超薄笔记本、智能手机和汽车等移动应用的重点要求。从2009年第一代开始,LPDDR持续迭代升级,来满足移动终端不断迭代产生的更先进、高速的存储需求。


佰维推出全新LPDDR5产品,助力移动智能终端升级迭代

LPDDR迭代升级过程


佰维在LPDDR产品领域起步早、积累深,从LPDDR2代便开始积极投入技术研发,不断推陈出新。尤其是公司在2016年推出的LPDDR4存储芯片,获得了智能手机、平板等这些移动智能终端市场的热烈反响,在客户中积累了良好口碑。近期,佰维在LPDDR4/4X产品的基础上,推出更高性能、更低功耗、更多容量选择的LPDDR5产品。


佰维推出全新LPDDR5产品,助力移动智能终端升级迭代

传输速率跨越式升级,性能提升50%


首先,LPDDR5支持多Bank Group模式。相比于LPDDR4/4X的Single Bank Group模式,LPDDR5将数据传输从单通路变成了多通路并行,传输速率从4266Mbps提升至6400Mbps,传输带宽从34GB/s提升到了51GB/s。


其次,LPDDR5采用WCK信号设计,数据总线用差分时钟WCK采样,WCK源同步于数据(DQ),因此WCK信号的频率会随着数据的读写而起停,让存储器在写入时无时延,从而提升传输速率。


此外,为保障读信号完整(Read SI),减少冗余信号干扰,LPDDR5支持非目标性片内终结( NT-ODT)技术,进一步提升数据传输速率。


多组电压动态调节,功耗降低30%


LPDDR5内部有三组电压,VDD1/VDD2/VDDQ,其中VDD2又分为VDD2H和VDD2L。相比LPDDR4X,LPDDR5的VDD2H由1.1V降至1.05V,VDDQ由0.6V降至0.5V。通过动态电压调节 (DVFS)功能,LPDDR5可在低速工作时切换至更低电压,节省更多功耗;待机时,LPDDR5 会进入深度睡眠模式(Deep-sleep mode),将功耗降低到最小。


此外,LPDDR5 引入了数据复制(Data-Copy)和写X(Write-X),Data-Copy可将单个针脚的数据直接复制到其它针脚,使数据传输速率提升,通过高速运转来充分释放处理器的性能,让它以更快的速度处理数据,从而更早地进入深度睡眠模式(Deep-sleep mode),不用长时间、高负荷地工作;Write X 则是一种省电功能,允许系统将特定的位模式(例如全零模式)转变成连续的存储器位置,而无需切换通道上的数据(DQ)位,减少了SoC芯片和RAM传递数据时的耗电。


先进测试技术加持,提供多容量可靠方案


DRAM芯片产品的核心技术之一在于测试,公司基于对半导体存储器的全维度深入理解,搭配行业先进半导体测试机台Advantest T5503HS2与自研的自动化测试设备,自主开发测试软件平台、核心测试算法,有效地确保了LPDDR5产品量产品质。


高性能、低功耗、更安全可靠和多容量选择,佰维LPDDR5内存方案将有效满足智能手机、平板电脑、汽车等各种智能终端对内存芯片的需求。未来,佰维将不断深化研发封测一体化布局,构筑公司在产品竞争力、定制化开发、产能及质量保证等方面的重要优势,不断提升自身技术实力,助力智能终端应用存储快速升级迭代。


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