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研发客服25日宣布， 公司开始推进"(Low Power Double Data Rate 5 Turbo) DRAM"的商用化*，其目前中可实现9.6Gbps（每秒9.6千兆）最高速度。表示，最近获得了将 DRAM适用于美国高通技术公司（Qualcomm Technologies，以下简称高通）最新第三代骁龙8移动平台（Snapdragon®8 Gen 3 Mobile Platform）的业内首次认证。
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SK hynix
*LPDDR（低功耗双倍数据速率）：是用于智能手机和平板电脑等移动端产品的DRAM规格，因以耗电量最小化为目的，具有低电压运行特征。规格名称附有"LP（Low Power，低功耗）"，最新规格为第七代LPDDR（5X），按1-2-3-4-4X-5-5X的顺序开发而成。LPDDR5T是业内首次开发的产品，是第八代LPDDR6正式问世之前，将第七代LPDDR（5X）性能进一步升级的产品。
自今年1月开发出LPDDR5T DRAM以来，SK海力士与高通进行了兼容性验证合作。两家公司在结合LPDDR5T DRAM和高通的最新第三代骁龙8移动平台的智能手机上进行验证得出，两款产品都发挥出了优秀的性能。
SK海力士强调："公司的LPDDR5T DRAM成功完成与全球权威通信芯片公司高通等主要移动AP（Application Processor）供应商的性能验证，今后移动设备中LPDDR5T DRAM的布局将迅速扩大。"
公司计划向客户提供以LPDDR5T DRAM单品芯片结合而成的16GB（千兆）容量套装产品。该产品的数据处理速度为每秒77GB，其相当于1秒内可处理15部全高清（Full-HD，FHD）级电影。
另外，LPDDR5T DRAM可在国际半导体标准化组织（JEDEC）规定的最低电压标准范围1.01~1.12V（伏特）下运行，在功耗方面也具备了优势。
SK海力士技术团队在开发该产品的过程中，采用了HKMG（High-K Metal Gate）*工艺，在运行速度和功耗方面都有效提高了性能。由此公司期待，在下一代的LPDDR6 DRAM问世前，LPDDR5T DRAM在市场上占据很大比重。
*HKMG：在DRAM晶体管内的绝缘膜上采用高K栅电介质，在防止漏电的同时还可改善电容（Capacitance）的新一代工艺。不仅可以提高内存速度，还可降低功耗。SK海力士于去年11月在上全球首次采用了HKMG工艺。
高通技术公司产品管理高级副总裁（Senior Vice President of Product Management）Ziad Asghar表示："第三代骁龙8产品可以低功耗下无延迟驱动生成型AI为基础的大语言模型（LLM）和大视觉模型（LVM）。骁龙移动平台和SK海力士的最高速移动DRAM相结合，智能手机用户将能够体验惊人的AI功能。"
SK海力士DRAM商品企划担当副社长柳成洙表示："LPDDR5T DRAM成功满足了全球客户对超高性能移动DRAM需求，对此感到很高兴。"
柳副社长还补充道："预计今后智能手机将成长为驱动AI技术的核心应用。为此，需要通过移动DRAM持续提高智能手机的性能，公司将继续加强与高通的合作，努力提高该领域的技术能力。"