资讯
STM32上的SDRAM硬件电路设计(2024-03-08)
先了解下DRAM（Dynamic random-access memory），DRAR中文译为动态随机存取内存，也叫动态随机存取器，为什么叫动态随机存取器，原因是它的实现原理跟静态存储器SRAM不一......
详解基于VLT的新型DRAM(2017-01-01)
负电荷就会从内存单元流出到位在线；而如果位线的电压低于内存，那么负电荷就会从位线流进内存单元。
图1：传统电容式DRAM内存单元的电荷分配原理 （图中绿色箭头所示为电流，与负电荷流动的方向相反）
这种......
从诞生到三足鼎立格局，DRAM到底经历了什么？(2022-12-30)
市场仍将在2019年再次成为所有IC产品类别中最大的，销售额将达到620亿美元。在IC市场中有着举足轻重地位的DRAM，到底有着怎样的故事和技术原理？TechSugar小编......
新型存储技术迎制程突破(2024-06-05)
新型存储技术迎制程突破;近日，电子对外表示，8nm版本的eMRAM开发已基本完成，正按计划逐步推进制程升级。资料显示，eMRAM是一种基于磁性原理的、非易失性的新型技术，属于面向嵌入式领域的MRAM......
索尼CMOS大升级，完爆竞争对手(2017-02-08)
）也遇到了瓶颈压力。
好消息是，索尼已经将相机传感器技术提升到了新的水平。在其最新披露的面向智能机的 3 层 BSI（背照式）CMOS 传感器设计中，我们发现它已经内嵌了 DRAM 缓存......
新型存储技术迎制程突破(2024-06-04)
新型存储技术迎制程突破;近日，三星电子对外表示，8nm版本的eMRAM开发已基本完成，正按计划逐步推进制程升级。资料显示，eMRAM是一种基于磁性原理的、非易失性的新型存储技术，属于......
三星电子：正按计划推进 eMRAM 内存制程升级，8nm 版本基本完成开发(2024-06-03 14:20)
eMRAM 的技术开发已基本完成。作为一种新型内存，MRAM 基于磁性原理，具有非易失性，不需要同 DRAM 内存一样不断刷新数据，更为节能高效；同时 MRAM 的写入速度又是 NAND 的 1000 倍......
三星电子：正按计划推进 eMRAM 内存制程升级，8nm 版本基本完成开发(2024-05-31)
的制程升级，目前 8nm eMRAM 的技术开发已基本完成。
作为一种新型内存，MRAM 基于磁性原理，具有非易失性，不需要同 DRAM 内存一样不断刷新数据，更为节能高效；同时 MRAM 的写......
千亿美元蛋糕！3D DRAM分食之战悄然开局(2024-01-31)
晶体管堆叠为n层，从而分散晶体管。业界称，采用3D DRAM结构可以扩大晶体管之间的间隙，减少泄漏电流和干扰等。
从原理上理解，3D DRAM技术打破了内存技术陈旧的范式，它其......
为什么单片机内存那么少？(2023-03-27)
是说断电就会丢失存储数据。
RAM有一些常见特点：
随机存取
易失性
对静电敏感
访问速度块
······
随着需求的提高，技术的进步，RAM又发展了像SRAM、DRAM、SDRAM等多种类型的RAM存储......
平面→立体，3D DRAM重定存储器游戏规则？(2023-03-22)
来说，储存电容的高深宽比会随着组件工艺微缩而呈现倍数增加。所以从原理上看，3D DRAM可以有效解决平面DRAM当前的困境。
而令业界关心的成本问题，3D DRAM......
平面→立体，3D DRAM重定存储器游戏规则？(2023-03-20)
的工艺微缩会越来越困难，其中的关键要素是储存电容的高深宽比。通常来说，储存电容的高深宽比会随着组件工艺微缩而呈现倍数增加。所以从原理上看，3D DRAM可以有效解决平面DRAM当前的困境。
而令......
平面→立体，3D DRAM重定存储器游戏规则？(2023-03-20)
来源：BeSang
而平面DRAM的工艺微缩会越来越困难，其中的关键要素是储存电容的高深宽比。通常来说，储存电容的高深宽比会随着组件工艺微缩而呈现倍数增加。所以从原理上看，3D DRAM可以有效解决平面DRAM......
嵌入式存储器的前世今生(2017-06-19)
类则是非挥发性存储器。挥发性存储器是指掉电后数据会丢失，主要包括速度快、功耗低的SRAM和高密度的DRAM。而非挥发性存储器则刚好相反，其在实际应用中主要包括eFlash、EEPROM以及eMRAM、eRRAM......
清华团队发布3D DRAM存算一体架构！(2024-08-12)
清华团队发布3D DRAM存算一体架构！;近日，清华大学集成电路学院在2024 ACM/IEEE第51届年度计算机体系结构国际研讨会(ISCA)上发表了国际首款面向视觉AI大模型的三维DRAM存算......
存储控制器FSMC与触摸屏介绍(2024-02-22)
为动态随机存储器DRAM(Dynamic RAM)以及静态随机存储器SRAM(Static RAM)两种。
2.DRAM存储器：动态随机存储器 DRAM的存储单元以电容的电荷来表示数据，有电荷代表 1，无电......
RAM、SRAM、SDRAM、ROM、EPROM、EEPROM、Flash存储器概念(2024-08-05)
级缓冲，二级缓冲。DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。
内存工作原理：内存......
3D DRAM时代即将到来，泛林集团这样构想3D DRAM的未来架构(2023-08-07)
3D DRAM时代即将到来，泛林集团这样构想3D DRAM的未来架构;动态随机存取存储器 (DRAM) 是一种集成电路，目前广泛应用于需要低成本和高容量内存的数字电子设备，如现代计算机、显卡、便携......
SK海力士重磅消息：NAND Flash达到300层，“两王”之争谁是上风？(2023-03-23)
的关键要素是储存电容的高深宽比。通常来说，储存电容的高深宽比会随着组件工艺微缩而呈现倍数增加。所以从原理上看，3D DRAM可以有效解决平面DRAM当前的困境。
而令业界关心的成本问题，3D......
u-boot移植总结（二）LED点灯调试 和 u-boot加载地址(2024-07-24)
, #0x0540 /*Set bit 6,8,10 as high level and bit 5 as low, Turn On LED0*/
str r3, [r2]
以下附上部分原理......
揭开AI幕后存储技术——HBM、GDDR...(2024-06-18)
，业界称，随着内存传输速率要求不断提高，尤其是在DRAM单元的基础物理原理没有改变的情况下，这一速度将无法满足未来AI场景下的数据传输要求。HBM从每堆叠1024位元增加到每堆叠2048位，HBM4将带......
存算一体：内核架构创新，打破算力能效极限｜深度研报(2023-06-01)
器之外的一大新发现；其与生物神经突触有着非常类似的特性，因此也被成为电子突触器件。
以下为新型存储介质的性能比较：
以下为不同存储介质的存储原理及客观性能比较；其中成熟的存储介质如SRAM、DRAM......
TSS2024演讲嘉宾亮相；半导体领域添多个工厂；ASML与IMEC合作(2024-06-11)
）”。
届时，集邦咨询多位重量级资深分析师将针对AI浪潮推动下，聚焦晶圆代工、DRAM、NAND Flash等关键领域发表主题演讲。敬请期待...详情请点击
2
ASML与IMEC合作
据市......
美光DRAM厂停电；全球再添12英寸厂；紫光集团重整完毕(2022-07-18)
美光DRAM厂停电；全球再添12英寸厂；紫光集团重整完毕;“芯”闻摘要
美光DRAM厂停电事件调查
格芯与意法半导体合建12英寸厂
紫光集团重整执行完毕
Q3这类IC价格......
九种计算机内存类型(2024-01-25)
一些设计成本较低，因此可以经济地存储大量数据。本文引用地址：所有计算机内存类型都属于两类之一：主要内存或次要内存，具体取决于其用途和用例。了解它们的不同应用和优势对于了解存储的工作原理以及如何充分利用它至关重要。
主要......
存储器通史，一段荡气回肠的产业“江湖杀”(2022-12-29)
实验室第3个星期，王安便从理论上解决了这个难题。
他发现，磁场振动原理可以应用于电脑存储系统，随即据此发明了磁芯存储器。
磁芯存储器
这个......
全球三大存储原厂公布财报，最新市况如何？(2024-07-31)
下半年扩大产能以提高HBM3E销售比例。公司还将专注于高密度产品，例如基于服务器DRAM中的1b-nm 32Gb DDR5的服务器模块。对于NAND，公司计划通过加强三级单元 (TLC) SSD的供......
基于S3C4510B微处理器和uClinux实现存储系统的设计(2023-01-06)
基于S3C4510B微处理器和uClinux实现存储系统的设计;1. 引言
对于嵌入式系统的开发人员来说，深刻地理解其存储系统的寻址原理......
车规级SSD硬盘标准已来(2023-08-11)
/s，远低于DRAM的带宽，连LPDDR3都不如，eMMC就更低了，只有400MB/s。
目前电脑SSD硬盘是M.2接口居多，M.2跑PCIe 4.0的话带宽是64Gb/s。有几个定义需要分清，SSD......
挑战UFS地位，车规级SSD硬盘标准已来(2023-08-14)
是2.9GB/s，远低于DRAM的带宽，连LPDDR3都不如，eMMC就更低了，只有400MB/s。
目前电脑SSD硬盘是M.2接口居多，M.2跑PCIe 4.0的话带宽是64Gb/s。有几......
Rambus领先一步推出6400MT/s的第三代DDR5寄存时钟驱动器(2023-02-28)
出了新一轮的信号完整性挑战。设计师将需要确保主板和 DIMM 能够处理更高的信号速度。在执行系统级仿真时，需要检查所有 DRAM 位置的信号完整性。
DDR4 在信......
绕过EUV光刻机技术！佳能开始销售5nm芯片生产设备(2023-10-16)
使制程技术推进到5nm。
佳能表示，这套生产设备的工作原理和行业领导者 ASML
的光刻机不同，其并不利用光学图像投影的原理将集成电路的微观结构转移到硅晶圆上，而是更类似于印刷技术，直接......
存储市场酝酿新一轮DRAM技术革命(2024-07-23)
存储市场酝酿新一轮DRAM技术革命;AI应用浪潮之下，高性能存储器需求持续攀升，以HBM为代表的DRAM风生水起。同时，为进一步满足市场需求，存储厂商也在酝酿新一轮DRAM技术“革命”。
01......
三星火上加油，DRAM价格下季涨幅远超预期(2017-03-06)
三星火上加油，DRAM价格下季涨幅远超预期;
来源：内容来自经济日报，谢谢。
市场传出，南韩DRAM大厂三星18纳米制程生产的8Gb DRAM模组出现瑕疵决定回收，让PC DRAM......
三星、SK海力士、美光包下去年DRAM 94%市场(2022-05-30)
三星、SK海力士、美光包下去年DRAM 94%市场;市调机构在IC Insights日前发布的报告，在过去的30年，DRAM市场经历了惊人的增长时期和多年的毁灭性崩溃（图1）。如图所示，DRAM市场......
日本佳能：我们能造2nm芯片！不需要ASML光刻机(2023-12-26)
生产先进芯片的技术不再只有少数大型半导体制造商所独享。本文引用地址：纳米压印技术并不利用光学图像投影的原理将集成电路的微观结构转移到硅上，而是更类似于技术，直接通过压印形成图案。在上只压印1次，就可以在特定的位置形成复杂的2D或3D电路图。
当下......
为什么消费类DRAM无法满足工业应用需求？(2023-09-25)
为什么消费类DRAM无法满足工业应用需求？;消费类广泛普及，而且往往物美价廉。然而，这些表面上的好处掩盖了消费类 在工业应用中的真正危险和缺陷。在本文中，我们将探讨消费类和工业DRAM之间......
巨头们低调发力，3D DRAM或在未来3年成为主要方向(2023-03-16)
巨头们低调发力，3D DRAM或在未来3年成为主要方向;
【导读】三星和SK海力士是存储器领域的领导者，位列行业前两名，传闻两家巨头都在加快3D DRAM商业化进程，以改......
终端产品、资料中心需求热，第二季PC DRAM合约价将大幅上扬13~18%｜TrendForce集邦咨询;TrendForce集邦咨询：终端产品、资料中心需求热，第二季PC DRAM合约......
预估2023Q1 DRAM均价跌幅收敛至13~18%(2023-01-09)
预估2023Q1 DRAM均价跌幅收敛至13~18%;为避免DRAM产品再大幅跌价，诸如美光（Micron）等多家供应商已开始积极减产，预估2023年第一季DRAM价格跌幅可因此收敛至13~18......
预估2023年第一季DRAM均价跌幅收敛至13~18%，仍持续下探｜TrendForce集邦咨询(2023-01-09)
预估2023年第一季DRAM均价跌幅收敛至13~18%，仍持续下探｜TrendForce集邦咨询;TrendForce集邦咨询：预估2023年第一季DRAM均价跌幅收敛至13~18%，仍持......
质疑对手技术进展真实性，三星将公开10纳米级制程DRAM电路线宽(2021-05-07)
质疑对手技术进展真实性，三星将公开10纳米级制程DRAM电路线宽;5月7日消息，由于质疑竞争对手的技术进展，三星决定公开自家DRAM产品的电路线宽，以显示三星在该领域的技术领先地位。据韩......
三星新设内存研发机构：建立下一代3D DRAM技术优势(2024-01-30)
三星新设内存研发机构：建立下一代3D DRAM技术优势;称其已经在美国硅谷开设了一个新的研发（R&D）机构，专注于下一代3D 的开发。该机构将在设备解决方案部门美国分部（DSA）的硅......
供应商减产及季节性需求支撑，预估第三季DRAM均价跌幅收敛至0~5%｜TrendForce集邦咨询;TrendForce集邦咨询：供应商减产及季节性需求支撑，预估第三季DRAM均价跌幅收敛至0~5......
DRAM，加速走向3D(2023-03-15)
DRAM，加速走向3D;
【导读】在半导体行业观察之前的文章《DRAM制程失速》中，曾引述了Techinsights分析师对DRAM未来的看法——DRAM在制......
2021年第一季整体DRAM均价将止跌回稳，价格出现微幅上涨机会｜TrendForce集邦咨询(2020-12-10)
2021年第一季整体DRAM均价将止跌回稳，价格出现微幅上涨机会｜TrendForce集邦咨询;TrendForce集邦咨询：2021年第一季整体DRAM均价将止跌回稳，价格......
预估2023年第一季DRAM均价跌幅收敛至13~18%，仍持续下探(2023-01-11)
预估2023年第一季DRAM均价跌幅收敛至13~18%，仍持续下探;
【导读】据TrendForce集邦咨询研究显示，由于消费需求疲弱，存储器卖方库存压力持续，仅三星（Samsung）在竞......
2024Q1 DRAM价格或上涨15%以上(2024-01-05)
2024Q1 DRAM价格或上涨15%以上;根据Trendforce最近的DRAM价格趋势监测，DRAM的现货价和合约价均有小幅震荡上扬。然而，据媒体报道，三星和美光计划在2024Q1将DRAM价格......
DRAM制程失速，全球存储市场在竞争什么？(2023-02-17)
DRAM制程失速，全球存储市场在竞争什么？;
【导读】近期由于半导体实况低迷，DRAM价格一路走低，像三星和SK海力士这样的内存芯片大厂苦不堪言，后者2022年第四季度的财务报表显示，甚至......
第二季DRAM均价跌幅收敛至10~15%，仍不见止跌讯号｜TrendForce集邦咨询(2023-03-28)
第二季DRAM均价跌幅收敛至10~15%，仍不见止跌讯号｜TrendForce集邦咨询;TrendForce集邦咨询：第二季DRAM均价跌幅收敛至10~15%，仍不......
相关企业
;scs;;DRAM SUPPLYER
elpida;尔必达;;尔必达（ELPIDA）是日本最主要的DRAM半导体芯片制造厂商，主要生产DRAM颗粒，并且自己制造原产的ELPIDA内存条.Elpida在欧美市场以提供高品质的DRAM类产
;超联应用;;IC DRAM EXCHANGE SALE
;IC Trade;;dram flash wireless samsung TI cypress trading
;SZYL ELECTRONIC CO.,LTD;;几年从事SRAM DRAM FLASH
;樊琳;;dram,flash,wireless,eeprom .cypres,TI,Samsung,chip trading
;香港德胜科技;;主营NAND FLASH;DRAM;MCP;TF卡
;科利华;;基础工业,基本原理柑橘 基础工业,基本原理柑橘 基础工业,基本原理柑橘 基础工业,基本原理柑橘 基础工业,基本原理柑橘 基础工业,基本原理柑橘 基础工业,基本原理柑橘
;嘉盈;;专业精营-DRAM/Flash/Memory Card/Module - Original Brand & OEM HK
;深圳联升达电子公司;;DRAM 内存芯片 内存条