新型存储技术迎制程突破

发布时间:2024-06-05  

近日,电子对外表示,8nm版本的eMRAM开发已基本完成,正按计划逐步推进制程升级。资料显示,eMRAM是一种基于磁性原理的、非易失性的新型技术,属于面向嵌入式领域的MRAM(磁阻器)。与传统DRAM相比,eMRAM具备更快存取速度与更高耐用性,不需要像DRAM一样刷新数据,同时写入速度是NAND的1000倍数。

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基于上述特性,业界看好eMRAM未来前景,尤其是在对性能、能效以及耐用性较高的场景中,eMRAM被寄予厚望。

电子是eMRAM主要生产商之一,致力于推动eMRAM在汽车领域的应用。于2019年开发并量产业界首款基于28nm FD-SOI的eMRAM,具备28nm eMRAM生产能力之后,另据媒体报道,三星还计划2024年量产14nm eMRAM,2026年量产8nm eMRAM,2027年量产5nm eMRAM。

三星对eMRAM在未来车用领域的应用充满信心,并表示其产品耐温能力已达到150~160℃,完全能够满足汽车行业对半导体的严苛要求。

近年,大数据、人工智能等应用不断普及,带来了海量需求,同时也对存储技术提出了更高要求,于是新型存储技术不断涌现,其中SCM(Storage Class Memory)是具有代表性的技术,它结合了DRAM和闪存的特点,具有DRAM的高速读写性能,又拥有NAND闪存的持久存储能力,有望解决DRAM存储器容量小、易失性和高成本等问题,产品主要包含相变存储器(PCM)、阻变存储器(ReRAM)、磁阻存储器(MRAM)和纳米管RAM(NRAM)等。

除了三星之外,今年以来铠侠、字节跳动等公司也在新型存储领域有所动作。4月,铠侠CTO宫岛英史对外表示,与同时运营NAND和DRAM的竞争对手相比,铠侠在业务丰富程度上面处于竞争劣势,有必要培育SCM(Storage Class Memory)等新型存储产品业务。为发力先进存储技术,铠侠还将“存储器技术研究实验室”重组为“先进技术研究实验室”。

3月媒体报道,字节跳动投资国内存储芯片公司昕原半导体,成为该公司的第三大股东。资料显示,昕原半导体专注于ReRAM新型存储技术及相关芯片产品的研发,产品涵盖高性能工控/车规SoC/ASIC芯片、存算一体(Computing in Memory, CIM)IP及芯片、系统级存储(System-on-Memory, SoM)芯片三大应用领域。

AI浪潮之下,高容量、高性能存储产品重要性不断凸显,HBM无疑是当前最受关注的产品,市况供不应求,产值持续攀升。

全球市场研究机构TrendForce集邦咨询此前预计,2023年HBM产值占比之于DRAM整体产业约8.4%,至2024年底将扩大至20.1%。同时,新型存储技术也不断涌现,3D DRAM时代即将开启;SCM潜力即将释放,PCIe 6.0/7.0蓄势待发…

文章来源于:电子产品世界    原文链接
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