5 月 31 日消息,三星电子代表昨日在韩国“AI-PIM 研讨会”上表示,正按计划逐步推进 eMRAM 内存的制程升级,目前 8nm eMRAM 的技术开发已基本完成。
作为一种新型内存,MRAM 基于磁性原理,具有非易失性,不需要同 DRAM 内存一样不断刷新数据,更为节能高效;同时 MRAM 的写入速度又是 NAND 的 1000 倍,支持对写入速率要求更高的应用。
▲ eMRAM 存储原理
eMRAM 即面向嵌入式领域的 MRAM。三星电子目前具有 28nm eMRAM 的生产能力,已在向智能手表等终端产品供货。
根据IT之家2023 年的报道,三星电子当时表示计划在 2024 年量产 14nm eMRAM;2026 年量产 8nm 的 eMRAM;到 2027 年将更进一步,实现 5nm 制程 eMRAM 量产。
目前三星电子已完成 14nm eMRAM 的开发,8nm eMRAM 开发也基本完成,仍计划 2027 年推出 5nm eMRAM。
三星电子认为未来车用领域对 eMRAM 的需求将持续增长,其产品目前耐温能力已达 150~160℃,足以满足汽车行业对半导体的严苛要求。
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