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再努力出货,供应客户是长江存储(复购)、合肥长鑫、燕东微及青島芯恩,每台约9000万人民币。上海微SWEE目前每年的出货能力是6-7台。 现阶段90纳米光刻机的另部件国产化率已达70-80%,基本......
再努力出货,供应客户是长江存储(复购)、合肥长鑫、燕东微及青島芯恩,每台约9000万人民币。上海微SWEE目前每年的出货能力是6-7台。 现阶段90纳米光刻机的另部件国产化率已达70-80%,基本......
装置,截止2022年10月,RAS科学家已经创建了第一个设备演示样品。通过该设备,可以在基板上获得分辨率高达 7 nm 的单个图像。 当时的报道还指出,IPF RAS计划在六年内打造出国产7纳米光刻机......
3.5 版本,甚至在许多情况下提供了优于 ChatGPT 4.0 的回答。 据俄罗斯cnews报道,圣彼得堡创建了一个光刻综合体,该综合体包括用于无掩模纳米光刻......
国产光刻机工厂落地雄安?中国电子院澄清;近期,一则“7纳米光刻机实现国产化”消息在业界刷屏,消息指出清华大学EUV项目实现了光刻机国产化,并表示该项目已在雄安新区落地。 对此,9月18日中......
俄罗斯:2024年将制造350nm光刻机;根据俄罗斯媒体报道指出,俄罗斯本身正在研发生产芯片的光刻机。其工业和贸易部副部长Vasily Shpak在接受媒体访问时指出,2024年将开始生产350纳米光刻机......
压印技术,完全有替代EUV光刻机的可能性,目前国内也在研究这个技术。 不过研究最好的还是日本的佳能,佳能在NIL技术上专利全球最多,且已经有了量产机器,目前在改进精度,希望国产加油,也能够赶紧推出NIL光刻机......
将在2025年量产。预计到2021年,EUV全年销售额将达到55亿欧元。 DUV突破:预订量创历史新高 ASML向《科创板日报》记者透露,2020年DUV(深紫外光)光刻机......
和大日本印刷等公司则规划在 2025 年将该技术实用化。[1] 在本文中,你将了解到:纳米压印光刻能绕开光刻机吗,纳米压印光刻对比光刻机有哪些优劣势,纳米压印光刻是国产的另一种出路吗。 付斌 | 作者 李拓......
线宽,双线间距低至约50纳米的超分辨光刻。未来将这一技术工程化应用到光刻机上,能够突破光学衍射极限对投射电路尺寸的限制从而实现超分辨光刻,有望使国产集成电路光刻机......
媒报道,他将与光刻机巨头ASML进行接洽,争取EUV光刻机优先供货。据悉,3/2纳米工艺的实现高度依赖于ASML的新一代的EUV光刻机。业界消息显示,ASML在2021年出货的48台EUV设备中,三星......
于蚀刻生产无掩模芯片,这将有助于俄罗斯在微电子领域技术领域获得主动权。 该设备综合体包括用于无掩模纳米光刻和等离子体化学蚀刻的设备,其中一种工具的成本为500万卢布(约36.7万元人民币),另一......
联动”,先进工艺产能、核心芯片能级、关键设备和基础材料配套支撑能力不断提升,14纳米先进工艺规模实现量产,90纳米光刻机、5纳米刻蚀机、12英寸大硅片、国产CPU、5G芯片等实现突破。 吴金......
专家组都说了:‘该光刻机在365纳米光源波长下,单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米。项目在原理上突破分辨力衍射极限,建立了一条高分辨、大面积的纳米光刻装备研发新路线,绕过国外相关知识产权壁垒。’这里......
家则回应称,2nm制程目前按照计划开发,预计2024年进入风险试产阶段,将于2025年量产。 英特尔:2024年底之前接管行业的制程领导地位 对比三星和台积电,英特尔在3nm节点上暂无明显成果。但是......
英特尔因征才启示意外透露该公司可能于2021年才进行7纳米量产,也就是说,若台积电5纳米顺利在2020年量产,这将使台积电一举超越劲敌英特尔,并将......
各半导体厂家依然会继续“争抢”光刻机。据说,由于很难采购到光刻机,三星电子领导人在2020年秋季奔赴ASML谈判后,于2021年成功引进了15台。 近日,一家由日本开发银行、伊藤......
有助于在微电子领域技术领域获得主动权。本文引用地址:该设备综合体包括用于无掩模纳米光刻和等离子体化学蚀刻的设备,其中一种工具的成本为500万卢布(约36.7万元人民币),另一种工具的成本未知。 开发人员介绍,传统光刻......
作业。这项技术对于2纳米以下节点制程的开发至关重要,台积电计划从A14节点制程开始采用High-NA EUV光刻机,并规划在2027年开始量产。  三星3纳米芯片已经宣布量产......
PowerRail)与纳米片晶体管,2026年量产。超级电轨将供电网络移到晶圆背面,晶圆正面释出更多讯号网络空间,提升逻辑密度和效能,适用复杂讯号布线及密集供电网络的高效能运算(HPC)产品。 相较......
化工掌握着EUV光刻胶的供应,富士胶片和住友化学也计划将在2021年量产EUV光刻胶。 表1 盘点13家光刻胶供应商产品进度 2019年,日本宣布对韩国进行出口限制,其中就包括了光刻胶材料,引发......
成本几十万元,俄罗斯自研光刻机又突破了?;假期期间,俄媒CNews报道称,圣彼得堡已开发出两个用于生产微电子纳米结构的装置,可能解决俄罗斯在微电子领域方向的主权问题,包括两个设备,一个是在基板上进行无掩模的光刻......
(NA=0.55) EUV光刻机,并在2025年量产出货。这使得自2025年开始,客户就能从数值孔径为0.33传统EUV多重图案化,切换到数值孔径为0.55 High-NAEUV单一图案化,降低......
器生产导入EUV技术,且还预计2021年发表第4代10纳米级的DRAM存储器生产增加EUV技术。至于SK海力士则将在2021年量产第4代10纳米级DRAM存储器导入EUV技术,目前SK海力士也分批导入EUV......
报会议上,ASML表示,将维持55台EUV光刻机的产能预期。有供应链消息传出,三星今年将预定18台EUV光刻机,而台积电则最少预定22台。 此外,有业内人士认为,三星和台积电今年量产3纳米......
2026年量产,Intel 14A-E要到2027年。 而近日,英特尔也宣布完成业界首台商用高数值孔径极紫外光刻机设备(High NA EUV)组装。由光刻技术大厂阿斯麦TWINSCAN......
Holdings也和IBM合作研发2纳米用光罩、目标2026年量产,供应对象据悉也为Rapidus。此外,包括东京应化工业(TOK)、JSR、信越化学等厂商也有望向Rapidus展开供货。 1nm芯片......
。光罩使用于在硅晶圆上形成电路的微影制程, 除DNP外,日厂TOPPAN Holdings也和IBM合作研发2纳米用光罩、目标2026年量产,供应对象据悉也为Rapidus。此外,包括......
上游最为核心设备分别为光学镜头、光学光源和双工件台。 上海微电子装备股份有限公司曾披露,将在2021-2022年交付第一台28nm工艺的国产的沉浸式光刻机。但是,到现在也没人见过这台国产光刻机,主要......
国产高端光刻胶为啥量产难?一文看懂全球半导体光刻胶发展现状及竞争格局;有一种材料,占半导体市场不到1%的规模,却决定了芯片能否生产,该材料的供应商集中在日美两国,尤其是头部企业在日本最为聚集,这种材料就是光刻......
制造商,也是唯一一家EUV光刻机制造商。据悉,ASML,计划在2023年底前发表首台商用High-NA (NA=0.55) EUV光刻机,并在2025年量产出货,其数值孔径NA将从0.33......
大UBC大学等高校科研机构合作建设了光刻材料研发实验室,成功研发出世界最先进的193纳米光刻胶单体并实现规模化生产,成为中国唯一的高端光刻胶单体材料研发和规模化生产企业。 此外,为助......
工艺的扩产开始了。因为南部的高雄台积电计划设立的是生产7纳米28纳米制程的晶圆,其中以28nm为主,2022年开始,2024年量产。 可能有网友会不解,台积电扩主28nm有什么奇怪的?大家不都在扩产么?但只......
,2纳米的精细可想而知。 未来,只有他的EUV光刻机能够帮助芯片接续微缩,因此这些设备纵使卖到上亿欧元,都能被客户所接受。 今天是《半导体行业观察》为您......
掩模版、晶圆代工全方位服务的综合性企业。 目前,晶合集成可提供28-150纳米的光刻掩模版服务,将于今年四季度正式量产,服务范围包括光刻掩模版设计、制造、测试及认证等,计划为晶合客户提供4万片......
EUV光刻机争夺战打响,国产光刻技术难题有何解?;近日,荷兰的光刻机制造商阿斯麦(ASML)发布2020年度财报,全年净销售额达到140亿欧元,毛利率达到48.6%。ASML同时宣布实现第100套极紫外光刻......
,但是如果要继续推进到2nm甚至更小的尺寸,就需要更高数值孔径(NA)的High-NA光刻机。 据悉,用于2纳米芯片的光刻机型号为High-NA量产型EUV光刻机EXE:5200,将采......
豪赌先进制程,三星快台积电一步?;6月28日消息,《韩国日报》报道三星将于6月30日开始量产3纳米芯片。 2021年三星在年度晶圆代工论坛(SFF)上,介绍了其基于GAA 晶体管结构的3纳米......
现交付。 结合2021年7月底,英特尔曾宣布将在2024年量产20A工艺(即2nm工艺),并透露其将率先获得业界第一台High-NA EUV光刻机。由此表明率先拿下首批第二代High-NA光刻机......
。 2nm可谓是台积电的一个重大节点,将采用纳米片晶体管(Nanosheet),取代FinFET,意味着台积电工艺正式进入GAA时代。针对2nm制程所用设备,台积电还将延续使用EUV光刻机。值得......
显影机、离子注入机、检测设备等,国产化水平还很低,特别是在光刻机方面。 目前,全球光刻机市场主要由荷兰的ASML以及日本的尼康、佳能把持。ASML占据了全球80%以上的市场,也是唯一能量产EUV光刻机......
传俄罗斯2028年量产7nm光刻设备;据外媒Tomshardware报导,一家俄罗斯研究单位正在研究开发自己的半导体微影光刻设备,预计该设备可以被用于7纳米制程芯片的生产上。整个计划预计在2028......
危言耸听。但是也不必担心,因为只有工艺制程达到7纳米及以下时才会使用EUV光刻机。   对于这样的现状,首先心态要放正确。西方继续压制中国半导体业的进步,这个政策在相当长时间内还会持续下去。然而......
俄罗斯或在2028年量产7nm光刻设备;国际电子商情讯,据外媒Tomshardware报道称,俄罗斯一家研究单位正在研究开发自己的半导体微影光刻设备,可以被用于7纳米制程芯片的生产上。 俄罗......
微电子和中科院光电所技术创新优势明显,位列前三位。作为半导体设备行业龙头,它们也是当前设备领域国产替代的主力军。北方华创一直致力于生产薄膜沉积、刻蚀两种核心工艺设备。上海微电子以光刻设备研发为核心,其专利布局主要集中于光刻机......
可绕过EUV量产5nm!佳能CEO:纳米压印设备无法卖到中国; 11月6日消息,据彭博社报道,佳能公司正计划将其新的基于“纳米压印”技术的芯片制造设备的价格定为ASML的EUV光刻机的1/10......
生产导入EUV(极紫外光)设备,其DRAM芯片产品皆采用DUV(深紫外光)光刻机制造。 近期,媒体报道美光计划于2024年开始在其10纳米级的1γ制程技术上进行EUV光刻技术的试生产,预计......
体设备厂佳能就与存储芯片大厂铠侠,以及光罩等半导体零组件制造商大日本印刷株式会社(DNP)合作,在日本三重县四日市的铠侠工厂内研发基于纳米压印(NIL) 的量产技术,可以不使用EUV光刻机,就能......
俄罗斯媒体:中国在微芯片竞争中逐渐赶上;俄罗斯《消息报》8月7日文章,原题:重大成就:中国在微芯片竞争中逐渐赶上 据中国媒体报道,上海微电子有望年底前推出28纳米浸没式光刻机。尽管中国的新光刻机......
安装EUV光刻机,以量产10nm 1a DRAM。该报道指出,EUV光刻机的安装时程需要3-6个月,因此SK海力士最快可以在今年上半年量产第一批产品。 封面图片来源:SK Hynix......

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