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半导体制造大PK 工艺or大佬 谁定输赢？(2016-10-23)
单。
虚实相间的工艺节点
实际上，不管是台积电还是三星，他们的芯片制造工艺线宽都没有达到实际的14nm/16nm，台积电客户透露，台积电目前量产的16nm苹果A10处理器，其实......
AI与Intel 4加持 英特尔第五代至强与酷睿Ultra双箭齐发(2023-12-19)
为第一个采用EUV工艺的节点，的实战表现如何将会通过酷睿Ultra真实的展现在整个半导体产业面前，这个节点的实际表现能让很多人对未来Intel3甚至以后的工艺做出客观理性的评价，而4年5节点......
差分探头中差分信号和普通信号走线相比的优势是什么(2023-06-20)
差分探头中差分信号和普通信号走线相比的优势是什么; 差分探头主要用于观测差分信号。差分信号是相互参考、而不是以地作为参考点的信号。普通的单端探头也可以测量差分信号，但得......
3倍，光刻机巨头扩产(2022-03-30)
/5nm工艺，台积电的第二代7nm工艺和5nm工艺的量产均高度依赖于0.55数值孔径的EUV光刻机来进行生产。
目前英特尔、台积电、三星等头部的晶圆制造厂商正大力投资更先进的3nm、2nm技术，以满......
鸿芯微纳攻关EDA技术，目前支持5nm EUV(2023-04-03)
相关的进步有全新GUI，支持EUV工艺和各种DFM规则，性能也得到大幅提升。
......
华为麒麟970在2017年众旗舰手机处理器中看点何在？(2016-12-29)
，两款芯片都是采用台积电的10nm工艺，A73的主频都在2.8GHz~3GHz之间。
在这样的情况下，X30和麒麟970的单核性能是由高性能核心A73决定的，在工艺和主频相当的情况下，两款芯片的单核性能是不会有太大的差别......
10nm之后怎么走？三星台积电给出了答案(2017-05-08)
期还是非常困难的。
CLN10FF技术与CLN16FF+技术相比到底存在多少优势在台积电内部已经进行过多次讨论，该工艺明显是针对移动设备使用的SOC的，而不是为普通的芯片厂商准备的。在相同的功率和复杂性下，该工艺......
台积电5nm工艺进展顺利，预计Q2正式量产！(2020-01-22)
电官网的介绍，5nm工艺是该公司第二代极紫外光（EUV）技术的芯片工艺，具有良好的成像能力，预计也会有更好的晶圆良品率。
事实上，关于台积电5nm量产事宜，台积电CEO魏哲家在上周的2019年Q4财报......
中国光伏行业协会发布《关于进一步提升光伏电池效率计量测试能力的倡议》(2024-07-24 13:55)
业签字响应该倡议。
该《倡议》指出，在技术推进过程中，由于受电池结构和工艺差别、各家测试装置不同、标准电池溯源机构差异、电池电容效应等因素影响，准确测量电池效率的难度增大，各家......
SK海力士成功开发出全球首款第六代10纳米级DDR5 DRAM(2024-08-29)
SK海力士成功开发出全球首款第六代10纳米级DDR5 DRAM;· 基于世界最高性能的1b工艺扩展平台，以最高效的方法开发出1c工艺
· 以利用新材料、优化EUV工艺确保成本竞争力，通过......
芯片巨头们已着手研发下一代CFET技术(2023-10-09)
未确定最终采用哪一种，或者是否还会有其他类型的设计出现，未来应该会有更多细节信息公布。
此前在 2021 年的「英特尔加速创新：制程工艺和封装技术线上发布会」上，英特尔已经确认了 RibbonFET 将成历史，在其......
台积电同电压下可将功耗降低24%~35%或将性能提高15%(2024-12-16)
极子。
N2 在工艺和设备层面引入的创新不仅旨在通过改进薄片厚度、结、掺杂剂活化和应力工程来提高晶体管驱动电流，而且还降低了有效电容（Ceff），以实现一流的能效。总的来说，这些改进分别使 N 型和 P 型纳......
台积电考虑降低3nm制程价格(2023-01-12)
紫外辐射(EUV)光刻流程，根据配置不同，每台 EUV 光刻机的成本为1.5亿至2亿美元。为了降低成本，台积电不得不对其N3工艺和后续工艺收取更高的生产费用。
不过，据报道，台积电正在考虑降低3nm......
3D DRAM时代即将到来，泛林集团这样构想3D DRAM的未来架构(2023-08-07)
要求方面对规格的要求非常严格。刻蚀和沉积专家可能会对我们的模型要求感到震惊：例如，在我们的架构中，需要刻蚀和填充关键尺寸为30nm、深度为2µm的沟槽。
3D DRAM是一种前沿设计，要求采用从未见过或尝试过的工艺和......
超过50家国产公司，都在做BMS AFE芯片(2024-05-20)
源的公司，也要做AFE，因为AFE内部拥有很多电源和保护单元；做MCU的公司，也要做AFE，因为AFE本身就是数模混合芯片，只不过工艺和MCU工艺差别；创业公司也做AFE，因为公司有ADI/TI的专家，或者......
售价3.8亿美元！ASML正式宣布，外媒：光刻机市场“变天”了！(2024-06-12)
EUV光刻机的突破，意外的是拥有顶尖工艺的三星、台积电并没有订购任何一台，反倒是英特尔订购了6台，根据市场的消息目前已经完成了第二台的出货。
别看只有6台的数量，但这一台售价可是来到了3.8亿美元，其中......
DUV光刻机遭进一步限制，中国仍有破局之路(2023-01-30)
认为，三方所达成的合作意向依然非常初步，本质上仍是口头协议，其中存在不少漏洞。
Patel指出，如果目标是阻止中国获得14nm、7nm或5nm工艺技术，那么禁令必须达到能够处理这些节点功能的不同级别的工......
工程院院士吴汉明：本土可控的55nm芯片制造，比纯进口的7nm更有意义(2021-04-26)
芯片的难度和成本一直增加，但趋缓的摩尔定律给追赶者带来机会。”吴汉明分析称，在这些挑战下，先进系统结构、特色工艺和先进封装在芯片制造方面结合运用，芯片制造领域大有可为。
他援引数据称，10纳米......
投资2400亿韩元，ASML去韩国了(2021-05-17)
用途是为韩国当地运行的EUV光刻机的维护和升级提供助力，新厂预计在2025年建设完成，投资2400亿韩元（约合13.7亿人民币）。
所谓再制造，指的是以旧的机器设备为毛坯，采用专门的工艺和技术，在原......
不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
减小很多。
6、场效应管的噪声系数很小，在低噪声放大电路的输入级及要求信噪比较高的电路中要选用场效应管。
7、场效应管和普通晶体三极管均可组成各种放大电路和开关电路，但是场效应管制造工艺简单，并且又具有普通......
不同的电平信号的MCU串口通信(2024-10-24 15:47:14)
应管是电压控制电流器件，由VGS控制ID，普通的晶体三极管是电流控制电流器件，由IB控制IC。MOS管道放大系数是（跨导gm）当栅极电压改变一伏时能引起漏极电流变化多少安培。晶体......
不同的电平信号的MCU怎么通信？(2024-10-22 16:01:50)
噪声放大电路的输入级及要求信噪比较高的电路中要选用场效应管。
7、场效应管和普通晶体三极管均可组成各种放大电路和开关电路，但是场效应管制造工艺......
EV集团与弗劳恩霍夫可靠性和微集成研究所扩大在量子计算应用晶圆键合领域的合作(2024-06-24)
实现3D集成领域的系统智能化。该机构拥有一条经ISO认证的300毫米晶圆工艺线，用于先进的晶圆级封装，同时配备了用于处理200毫米和300毫米晶圆的兼容设备，其位于德累斯顿的工厂为客户提供原型生产和小批量产品系列的工艺和......
EUV光刻机“忙疯了”(2024-06-06)
是芯片制造商制造2nm工艺节点芯片的必备设备，每台设备的成本超过5000亿韩元。据悉，ASML最先进的高数值孔径EUV设备的数值孔径将从0.33提高到0.55，这意......
Agile Analog推出创新的数字包装模拟IP子系統(2023-04-27)
创新的数字封装子系统允许将多个模拟IP直接放入数字设计流程中，并通过标准外设总线（如AMBA APB）连接，从而显著减少了将多个模拟IP集成到任何ASIC中所需的工作量。这些子系统看起来就像一个普通的......
砸下30亿美元，Intel能靠美国制造重夺王座吗？(2022-06-20)
体是美国技术领先地位、经济和供应链弹性的基础，而英特尔是世界上唯一在美国拥有大部分工艺和封装研发、以及大量尖端半导体组件生产的公司。”
英特尔在2021年宣布了雄心勃勃的工艺技术蓝图，目标是超越其竞争对手台积电(TSMC......
照亮半导体创新之路(2024-09-05)
大型光学组件结构支撑EUV设备内的光学系统，即使在恶劣的高功率等离子体源环境中，也能确保系统保持精确的光学对准。
为什么小型集成电路为检测带来巨大挑战
晶圆检测——在生产过程中识别缺陷的工艺——自从......
照亮半导体创新之路(2024-09-05)
）。
RB-SiC具备卓越的机械和热稳定性，使其非常适合用于检测、计量和光刻等半导体应用。支撑EUV光学系统结构的稳定性至关重要，只有使用这种RB-SiC陶瓷才能实现。
Coherent高意综合使用传统的陶瓷制造工艺和......
照亮半导体创新之路(2024-09-06 09:15)
大型光学组件结构支撑EUV设备内的光学系统，即使在恶劣的高功率等离子体源环境中，也能确保系统保持精确的光学对准。为什么小型集成电路为检测带来巨大挑战晶圆检测——在生产过程中识别缺陷的工艺——自从......
多维科技模拟输出角度芯片的优势详解之「响应速度(2024-07-18)
英寸TMR Wafer产线，具备领先的工艺和产能优势。在此基础上，多维科技推出了一系列基于先进工艺的，以TMR3081为典......
半导体“粮草”先行，国产光刻胶走到哪一步了？(2023-04-11)
致分为干式和浸没式，ArF干式主要应用于130-65nm光刻工艺，而ArFi浸没式主要应用于65-7nm光刻工艺。据悉，ArFi光刻胶主要用于先进制程中的多重曝光过程，其需求量为普通光刻胶的2-4倍。
EUV......
主宰半导体世界的摩尔定律这回真的走到终点了？(2017-08-17)
和Wi-Fi收音机，甚至还有如陀螺仪和加速度计这样的微机电元件。
在传统上，这些不同类型的组件要通过不同的制造过程来处理它们的不同需求，而新的路线图则概述了将它们组合在一起的计划。集成不同的制造工艺和处理不同的材料需要新的工艺和......
近500亿元！EUV光刻机巨头挣翻了(2024-07-18)
EUV技术的不断成熟和普及，将在2025-2026年期间迎来大规模的量产应用，并认为，半导体行业准备迈入High-NA EUV时代。
当前，全球新晶圆厂建设如火如荼，这其中必离不开EUV光刻......
台积电2nm深度揭秘：又涨价了！一块晶圆近22万元(2024-12-17 14:12:28)
，使用台积电第三代基于偶极子的集成实现，同时具有 n 型和 p 型偶极子。
N2 制程在工艺和器件层面引入的创新不仅旨在通过细化片材厚度、结、掺杂......
高压探头和差分探头的区别(2023-02-28)
带宽示波器和有源探头的用户还需要在单端探头和差分探头之间还要做出选择。承载差分信号的那一对走线就称为差分走线。本文主要讲的是差分探头。差分信号和普通的单端信号走线相比，最明显的优势体现在以下三个方面：
1.抗干......
Intel良率也不行，为何三大晶圆厂都困在10nm？(2017-03-03)
层光罩很正常，但是到了14nm，由于要使用多重曝光，光罩数可能要增加到80。这样繁琐的做法，带来巨大的良率问题也毫不为奇。
总之，新工艺总会有良率问题，更不要说这么尖端的工艺了。正常情况是刚上线的尖端工艺......
音频处理器和功放的区别 好功放和普通功放有什么区别(2023-07-21)
则用于将处理后的音频信号放大并驱动扬声器。两者在音频系统中发挥不同的作用，相互配合以实现高质量的音频输出。
好功放和普通功放有什么区别
好功放和普通功放在性能和质量方面存在一些区别。以下是它们可能的区别之一：
建造质量：好功放通常采用高品质的电子元件和精密的工艺......
线阵音响和普通音响的区别(2024-01-12)
线阵音响和普通音响的区别; 什么是线阵音箱
线阵音响是扬声器系统，它的的技术和制造，多年来波澜不兴，一直在平稳发展。最近情况有了变化，在世界许多大型运动会、大型......
ASML今年发货第一台高NA EUV光刻机：成本逼近30亿元(2023-09-08)
EUV极紫外光刻机，型号“Twinscan EXE:5000”。
NA数值孔径是光刻机光学系统的重要指标，直接决定了光刻的实际分辨率，以及最高能达到的工艺节点。
ASML现有最先进的EUV光刻机是NEX......
EUV光刻机“忙疯了”(2024-06-05)
有助于晶体管的进一步微缩。
ASML的High NA EUV设备是芯片制造商制造2nm工艺节点芯片的必备设备，每台设备的成本超过5000亿韩元。据悉，ASML最先进的高数值孔径EUV设备的数值孔径将从0.33提高到0.55，这意......
如何区分工业相机与普通相机(2024-08-08)
的选择不仅直接决定所采集到的图像分辨率、图像质量等，同时也与整个系统的运行模式直接相关。
工业相机和普通相机的区别：
1、工业相机的性能稳定可靠易于安装，相机结构紧凑结实不易损坏，连续工作时间长，可在......
展讯的14纳米的X86芯片会成功吗(2017-02-28)
网上资料显示，Intel的14nm工艺优于Samsung的14nm工艺和TSMC的16nm工艺。
当然采用Intel架构，终端用户也会有一些疑虑。用户对Intel 架构的主芯片的担心主要集中在两方面：
1......
日本佳能推出纳米压印半导体制造设备(2023-10-16)
明至今，一直受到学术界和产业界的高度重视。因此，纳米压印技术被称为微纳加工领域中第三代最有前景的光刻技术之一。
不仅可以制造分辨率 5nm 以下的高分辨率图形，还拥有相对简单的工艺（相比......
三星表示10nm良率很高，将推出6nm(2017-03-17)
为止，已经出货了超过7万块采用第一代10nm LPE(Low Power Earlr)工艺制造的晶圆。
三星自家的Exynos 8895，以及高通的骁龙835，都采用这种工艺制造。
另外，三星......
英特尔拿到首台2nm光刻机 重回领先地位？(2023-12-28)
孔径（NA）是光刻机光学系统的重要指标，直接决定了光刻的实际分辨率和最高能达到的工艺节点。一般来说，金属间距缩小到30nm以下之后，也就是对应的工艺节点超越5nm，低数值孔径光刻机的分辨率就不够了，只能......
中国DUV订单剧增，2023年的ASML依旧保持强势(2023-04-25)
了产能扩张的计划。他认为我们都低估了成熟工艺和中端半导体市场的需求，从中国的情况看来，这依然是一个极其广阔的需求市场。
2023年的ASML将继......
示波器探头在测试中有什么用(2023-01-10)
探头可以在更宽的频率范围内提供很高的共模抑制比。差分信号和普通的单端信号走线相比，最明显的优势体现在以下三个方面:
1:抗干扰能力强，因为两根差分走线之间的耦合很好，当外界存在噪声干扰时，几乎......
EUV光刻机缺货问题要持续3年，瓶颈居然是...(2022-05-05)
说简直就是灾难，因为其后续尖端制造工艺都需要EUV光刻机。
台积电和三星从7nm工艺节点就开始应用EUV光刻层了，并且在随后的工艺迭代中，逐步增加半导体制造过程中的EUV光刻层数。借助EUV光刻，所需......
DNP开发出用于3纳米EUV光刻的光掩膜工艺(2023-12-13)
DNP开发出用于3纳米EUV光刻的光掩膜工艺;响应电路线宽日益精细化的半导体市场需求Dai Nippon Printing Co., Ltd. (DNP) (TOKYO: 7912)成功开发出一种光掩膜制造工艺......
三星将投资10万亿韩元，采购 ASML EUV 光刻机(2023-11-15)
可以将每台机器的 10% 用于工艺研发和测试，拥有 100 台机器则意味着它们可以全天候用于研发。”
他还指出，“通过这样做，我们将能够确保有足够的工艺能力来正确使用设备”，他补充说，“ 预计这将减少工艺......
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：手套白色棉布型及黑色橡胶型，加长加厚。 性能：耐磨、耐高压。 喷砂手套和普通的橡胶手套的区别在于： 喷砂手套是采用高耐磨橡胶经达特殊的生产工艺制成。 吸尘布袋各种规格非标订做,白色
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;泰州市高港区鸿宝工艺厂;;本厂专业生产各种窗帘轨道、车木制品（装饰灯座、实木沙发脚、实木手柄、实木酒瓶盖等）、抛光刷、工艺刷、电镀挂具、建筑工具等工艺制品。 本厂拥有雄厚的技术开发能力，完美的工艺和
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;无锡市如潮特种光源设备厂;;我厂专业从事UV光源和UV光固设备IR鸿红外线烘道的开发和生产,拥有完善的生产工艺和检测设备,随时根据客户的工艺要求设计生产各种规格UV光固化设备,ＵＶ涂装设备，ＩＲ
;唐娇晓;;本公司专业生产阻燃PP接线柱和普通PP接线柱，不管是阻燃、普通PP塑料我们都是采用新料，不但色泽亮丽，而且性能稳定，请各客户放心采购，铜件接线柱质量稳定，工艺精细，我们的宗旨就是“质量
品，或高贵，或时尚，或艺术，或经典……每一种效果都令消费者怦然心动。一件普通的立体化工艺制品，一经特殊工艺制作，立刻摇身一变成一件件精美的工艺品、礼品或是建筑饰材，身价倍增，财源
;江苏金湖自动化仪表有限公司;;公司拥有先进的计算机辅助设计系统，引进国际先进的工艺、装备，严格落实原材料从进厂到产品出厂遵照ISO9001国际质量体系操作，加之关键件选用进口件，先进的设备，完善的工艺和
经营户”。 本企业拥有产品开发、模具制作、注塑成型一条龙生产组装能力，月生产能力1０0万只左右。产品出口东南亚及西欧国家，是浙东地区ＬＥＤ手电筒和普通手电筒的最大生产供应商。 企业凭着客户至上，互惠互利的精神，热忱