资讯
【DigiKey探索之旅】分享我的PCB布局布线建议(2024-06-11)
检测电阻要统一放在TOP层；
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注意整个热插拔电路的布局，遵从主板电流流向设计；
4
控制器摆放位置要远离噪声源，比如MOSFET、电感；
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输入电容的滤波半径是否能cover......
238层4D NAND已量产，进入智能手机产品验证(2023-06-12)
238层4D NAND已量产，进入智能手机产品验证;近年来，手机，相机等消费设备使用NAND的需求不断增加。更高密度的NAND芯片，能加速数据密集型环境和工作负载，例如人工智能 (AI) 引擎......
三星将在 2024 IEEE ISSCC 上展示 280 层 QLC 闪存，速率(2024-01-30)
三星将在 2024 IEEE ISSCC 上展示 280 层 QLC 闪存，速率;IT之家 1 月 30 日消息，2024 年 IEEE 国际固态电路会议（ISSCC）将于 2 月 18 日至 22......
美光官宣，业界首款232层NAND量产(2022-07-27)
美光官宣，业界首款232层NAND量产;NAND Flash层数竞争愈演愈烈，继176层NAND之后，各大原厂瞄准200层以上NAND技术，其中美光科技率先突破，三星、铠侠等也在蓄势待发。
1......
三星9月将向英伟达独家供应12层堆叠HBM3E芯片(2024-03-28)
三星9月将向英伟达独家供应12层堆叠HBM3E芯片;
【导读】三星电子正在高带宽存储（HBM）市场迅速占据一席之地。三星已成功开发12层DRAM的HBM3E芯片，可能......
积层陶瓷电容器:TDK扩展车载等级直插式低电阻MEGACAP（带金属框架）电容器产品阵容(2024-09-11 10:15)
）
型号
温度特性
额定电压[V]
电容[F]
CAA572C0G3A203J640LJ
6.00 x 5.60 x 6.40
2 层......
积层陶瓷电容器:TDK扩展车载等级直插式低电阻MEGACAP（带金属框架）电容器产品阵容(2024-09-11 10:15)
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型号
温度特性
额定电压[V]
电容[F]
CAA572C0G3A203J640LJ
6.00 x 5.60 x 6.40
2 层......
TDK扩展车载等级直插式低电阻MEGACAP（带金属框架）电容器产品阵容(2024-09-12)
2 层......
三星电子400层NAND完成研发，已开始导入产线(2024-12-10 10:16)
三星电子400层NAND完成研发，已开始导入产线;目前，三星电子已在其半导体研究所成功完成400层NAND技术，并已于上月开始将这项先进技术转移到平泽园区一号工厂的大规模生产线上。报道称，三星......
三星完成突破性400层NAND技术开发(2024-12-09)
三星完成突破性400层NAND技术开发;近日，据市场最新消息，三星电子已在其半导体研究所成功完成其突破性400层NAND技术的开发。三星于11月开始将这项先进技术转移到平泽P1厂的量产线上。这一......
PCB设计之重点：PCB推荐叠层及阻抗设计(2024-01-26)
关键信号必须有相对完整的参考地平面或提供必要的桥接措施。
例如：RK3588目前使用10层1阶， 10层2阶， 8层通孔等PCB叠层，以下叠层结构做为范例，可以给客户在叠层结构的选择和评估上提供帮助。如果......
SK海力士首次公开与Solidigm的“合作产品”(2022-04-05)
SK海力士首次公开与Solidigm的“合作产品”;“独立子公司成立仅三个月，两家公司在NAND事业上的合作全面开始”
SK海力士和Solidigm首次公开了结合SK海力士128层NAND闪存......
SK海力士成功研发全球最高层238层４D NAND闪存(2022-08-03)
SK海力士成功研发全球最高层238层４D NAND闪存;· 公司全球首发238层 512Gb TLC 4D NAND闪存，将于明年上半年投入量产
· 成功研发层数最高，面积最小的NAND闪存......
长江存储64层闪存颗粒出货超3亿颗 128层QLC准备量产(2021-09-15)
长江存储64层闪存颗粒出货超3亿颗 128层QLC准备量产;在9月14日的中国闪存市场峰会上，长江存储首席运营官程卫华透露，长江存储64层闪存颗粒出货超3亿颗，128层QLC已经准备量产，TLC良率......
1γ DRAM、321 层 NAND: 主流厂商新一轮装备竞赛已拉开帷幕(2023-10-10)
1γ DRAM、321 层 NAND: 主流厂商新一轮装备竞赛已拉开帷幕;IT之家 10 月 10 日消息，市场固然存在全球经济下行、高通胀等诸多因素影响，依然处于充满挑战的时期，但美光、三星......
消息称 SK 海力士正开发基于 238 层 NAND 的 UFS4.0 闪存，有望明年上半年量产(2022-08-17)
消息称 SK 海力士正开发基于 238 层 NAND 的 UFS4.0 闪存，有望明年上半年量产;据外媒 THELEC 今日报道，半导体业界人士透露，SK 海力士计划最早明年上半年量产采用 238......
2024年Q2原厂3D NAND技术最新进展(2024-06-19)
2024年Q2原厂3D NAND技术最新进展;
【导读】据Tech Insights更新的2024年第二季闪存技术路线图显示，铠侠和西部数据继续采用他们的BiCS结构，最近升级到162层......
三星明年量产430层闪存！但有人瞄准了1000+层(2024-04-16)
三星明年量产430层闪存！但有人瞄准了1000+层;
三星计划在本月晚些时候开始量产第九代V-NAND闪存，可用的堆叠层数达290层，相比现在的236层只增加不到23％。这一......
多层PCB内部长啥样？(2024-10-14 12:29:43)
阶的如三阶板、任意层互联板平时用的非常少，价格贼贵，先不多讨论。
一般情况下，8位单片机产品用2层通孔板；32位单片机级别的智能硬件，使用4层-6层通孔板；Linux和......
外媒：三星将在2022年底推出200层以上第8代NAND闪存(2022-02-10)
业内人士预测，三星将在128层的单片存储器上叠加96层，推出224层的NAND闪存。与上一代176层NAND产品相比，224层NAND闪存可以将生产效率和数据传输速度将提高30......
长江存储发布严正声明，回应产能传闻(2021-01-13)
长江存储发布严正声明，回应产能传闻;日前，有媒体报道称，消息人士透露，长江存储计划到2021年下半年将存储芯片的月产量提高一倍至10万片晶圆，并准备最早将于2021年年中试产第一批192层3D......
业界最高层数，SK海力士宣布量产238层 4D NAND 闪存(2023-06-08)
业界最高层数，SK海力士宣布量产238层 4D NAND 闪存;6 月 8 日消息，SK 海力士于今日（6 月 8 日）发布公告，宣布开始量产 238 层 4D NAND 闪存。
SK 海力......
NAND Flash层数之争：谁先触抵天花板？(2022-08-19)
间内垂直互连各个层面的存储单元，使得在同样的平面内获得更多的存储空间。虽然该款堆叠层数仅为24层，但在当时却打破了平面技术的瓶颈，并使3D NAND Flash从技术概念推向了商业市场。
2014年，SanDisk和东......
外媒：三星计划本月开设NAND闪存新研发中心(2022-08-18)
外媒：三星计划本月开设NAND闪存新研发中心;据外媒《BusinessKorea》8月17日报道，三星预计将在今年内发布236层NAND闪存产品。此外，三星还计划在本月开设一个新的研发中心，该中......
SK海力士宣布量产238层4D NAND闪存(2023-06-08)
SK海力士宣布量产238层4D NAND闪存;
【导读】SK海力士（或‘公司'，https://www.skhynix.com）8日宣布，已开始量产238层4D NAND闪存，并正......
三星平泽P1厂将128层NAND闪存产线转为236层，削减非旗舰库存(2023-08-30)
三星平泽P1厂将128层NAND闪存产线转为236层，削减非旗舰库存;
【导读】据etnews报道，三星电子正在将平泽P1工厂的NAND闪存生产线从128层工艺转换为236层工艺，采取......
51单片机有关广州塔实验程序(2022-12-19)
deng14()//从下开始，点满一圈后，灭，再上升点亮第二圈{P1=0xff;P3=0x7f;//1层deng14_1();//点满一圈的小函数（限内部用）P3=0xbf;//2层deng14_1......
紧追 SK 海力士，三星电子将在今年推出 236 层 NAND 闪存(2022-08-17)
紧追 SK 海力士，三星电子将在今年推出 236 层 NAND 闪存;据 BusinessKorea 报道，三星电子将在今年内发布 236 层 NAND 闪存产品。此外，它还......
SK海力士展示全球首款321层NAND闪存，计划2025年量产(2023-08-16)
SK海力士展示全球首款321层NAND闪存，计划2025年量产;
【导读】SK海力士宣布，在美国圣克拉拉举行的2023闪存峰会（Flash Memory Summit 2023）上，首次......
厉害了，海力士72层存储2017量产(2016-12-27)
厉害了，海力士72层存储2017量产;
版权声明：本文来自MONEYDJ，如您觉得不合适，请与我们联系，谢谢。
SK 海力士最先进72 层3D NAND 记忆体传明年开始量产，韩联社26......
全球首款！美光232层NAND客户端SSD正式出货(2022-12-16)
全球首款！美光232层NAND客户端SSD正式出货;12月15日，美光宣布，已开始向PC OEM客户出货适用于主流笔记本电脑和台式机的美光2550 NVMe固态硬盘（SSD）。
据官......
SK海力士展示全球最高层321层NAND闪存样品(2023-08-09)
SK海力士展示全球最高层321层NAND闪存样品;·SK海力士在美国圣克拉拉举行的2023闪存峰会（Flash Memory Summit 2023）上，首次展示了全球首款321层NAND闪存......
美光推出全球首款176层NAND移动解决方案，助力5G超快体验(2021-07-30)
美光推出全球首款176层NAND移动解决方案，助力5G超快体验;2021 年 7 月 30 日，中国上海 —— 内存和存储解决方案领先供应商 Micron Technology Inc. (美光......
1γ DRAM、321层NAND！存储大厂先进技术竞赛仍在继续(2023-10-04)
1γ DRAM、321层NAND！存储大厂先进技术竞赛仍在继续;
【导读】尽管由于经济逆风、高通货膨胀影响，存储产业身处下行周期，但存......
美光出货首款176层UFS 3.1 将于荣耀Magic3全球首发(2021-07-31)
美光出货首款176层UFS 3.1 将于荣耀Magic3全球首发;今日（7月30日），据美光科技官微消息，公司已开始批量出货全球首款基于176层NAND技术的通用闪存UFS 3.1......
全球首款！SK海力士展出16层HBM3E芯片：明年初供应样品(2024-11-04 14:37:43)
全球首款！SK海力士展出16层HBM3E芯片：明年初供应样品;
11月4日消息，
在今天的SK AI峰会上，韩国存储巨头SK海力士展出了全球首款48GB 16层......
SK海力士宣布量产世界最高238层4D NAND闪存(2023-06-08)
SK海力士宣布量产世界最高238层4D NAND闪存;· 开始量产并同时与全球智能手机客户公司进行验证
·以业界最高层、超小型产品，确保最高水平的成本和品质竞争力
· “以NAND技术......
SK海力士宣布量产世界最高238层4D NAND闪存(2023-06-08 11:30)
SK海力士宣布量产世界最高238层4D NAND闪存;• 开始量产并同时与全球智能手机客户公司进行验证• 以业界最高层、超小型产品，确保最高水平的成本和品质竞争力• "以NAND技术......
SK海力士官宣321层NAND闪存开始量产(2024-11-21)
SK海力士官宣321层NAND闪存开始量产;
11月21日消息，今天SK海力士官方宣布，已开始量产全球首款321层1TB TLC 4D NAND闪存。
SK海力士表示，公司从2023......
1γ DRAM、321层NAND！存储大厂先进技术竞赛仍在继续(2023-10-07)
1γ DRAM、321层NAND！存储大厂先进技术竞赛仍在继续;尽管由于经济逆风、高通货膨胀影响，产业身处下行周期，但大厂对于先进技术的竞赛仍在继续。本文引用地址：对芯片而言，先进......
三星即将量产290层V-NAND闪存(2024-04-18)
三星即将量产290层V-NAND闪存;
【导读】据韩国业界消息，三星最早将于4月开始量产当前业界密度最高的290层第九代V-NAND（3D NAND）闪存芯片，这是继236层第八代V......
闪存迈入280层时代？这远远不是终点(2024-01-30)
层数将达到280层。
三星280层NAND来了
层数之战尚未结束
据悉，三星V9 QLC存储密度每平方毫米达到28.5Gb，最大传输率可达3.2 Gbps，比目前最好的QLC产品（2.4......
1γ DRAM、321层NAND！存储大厂先进技术竞赛仍在继续(2023-10-07)
1γ DRAM、321层NAND！存储大厂先进技术竞赛仍在继续;尽管由于经济逆风、高通货膨胀影响，存储产业身处下行周期，但存储大厂对于先进技术的竞赛仍在继续。
对DRAM芯片而言，先进......
长江存储开始供应232层QLC 3D NAND 技术实现再次突破(2023-11-02)
长江存储开始供应232层QLC 3D NAND 技术实现再次突破;近日，知名半导体行业观察机构TechInsights称其在一款电子产品中发现了世界上最先进的，并称这颗芯片来自中国制造商。这是......
美光量产12层HBM3E 36GB芯片，产品正在进行客户验证(2024-09-11)
美光量产12层HBM3E 36GB芯片，产品正在进行客户验证;
【导读】美光推出适用于下一代人工智能（AI）GPU的量产版12层HBM3E芯片，内存堆栈容量高达36GB，速度超过9.2Gb......
又一巨头闪存技术路线图曝光，未来将发力500层以上NAND技术！(2022-05-17)
两家公司还将发力200层以上（2XX层）闪存技术。
目前闪存市场上176层闪存产品已经批量出货，西数与铠侠162层闪存虽然层数不及176层，但西数表示将采用新材料以缩小存储单元尺寸，进而......
SK海力士之后，三星300层以上NAND Flash何时亮相？(2023-08-17)
SK海力士之后，三星300层以上NAND Flash何时亮相？;SK海力士今年8月展示全球最高层321层NAND闪存样品之后，业界关注其他存储厂商何时推出300层以上NAND Flash产品......
传三星正将平泽128层NAND闪存产线转为236层？(2023-08-31)
传三星正将平泽128层NAND闪存产线转为236层？;据韩媒《Etnews》引述业内人士29日透露，三星电子正在将平泽第一工厂的NAND闪存生产线从128层工艺转换为236层工艺。这是......
三星 64 层 3D NAND Q4 开卖，还要推 100 层(2016-10-18)
三星 64 层 3D NAND Q4 开卖，还要推 100 层;
近来东芝（Toshiba）、美光......
SK海力士出局！三星独家供货英伟达12层HBM3E内存(2024-03-25)
SK海力士出局！三星独家供货英伟达12层HBM3E内存;
3月25日消息，据媒体报道，英伟达最快将从9月开始大量购买12层HBM3E内存，这些内存将由三星电子独家供货。
在GTC 2024上......
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