【导读】据Tech Insights更新的2024年第二季闪存技术路线图显示,铠侠和西部数据继续采用他们的BiCS结构,最近升级到162层 BiCS 6。他们计划跳过BiCS 7,转向218层,甚至可能是284层的BiCS 8。美光科技将其128层产品转向CTF CuA集成,并随后发布了176层和232层版本。他们现在正在开发300层以下的Gen7,可能会跃升至4xx 层。
据Tech Insights更新的2024年第二季闪存技术路线图显示,铠侠和西部数据继续采用他们的BiCS结构,最近升级到162层 BiCS 6。他们计划跳过BiCS 7,转向218层,甚至可能是284层的BiCS 8。美光科技将其128层产品转向CTF CuA集成,并随后发布了176层和232层版本。他们现在正在开发300层以下的Gen7,可能会跃升至4xx 层。
SK海力士的4D PUC结构延续了176层和238层产品,预计明年将推出321层V9,随后将推出3yy层器件。
旺宏电子凭借用于Nintendo Switch的48层芯片进入市场,目前正在开发第二代96层芯片。
未来几年,随着混合键合技术和氧化铪铁电体的进步,我们可能会看到超过500层的3D NAND产品。今年,预计将发布2xx和2yy层3D NAND产品,预示着下一代闪存解决方案。
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