近年来,手机,相机等消费设备使用NAND的需求不断增加。更高密度的NAND芯片,能加速数据密集型环境和工作负载,例如人工智能 (AI) 引擎和大数据分析。对于 5G 智能手机,更大的容量可以更快地启动和切换多个应用,实现更快的移动体验和更快的多任务处理。
近日,SK海力士宣布已开始量产238层4D NAND闪存,并正在与生产智能手机的海外客户公司进行产品验证。
238层NAND闪存特性
238 层“4D Nand”实际上是 3D 的一种形式,238 层NAND器件采用电荷陷阱闪存(CTF) 设计,并采用该公司专有的外围单元 (PUC) 布局,SK海力士将其标记为“4D”NAND。这种特殊的布局可以减小存储设备的尺寸,从而有助于进一步降低 SK 海力士 NAND 的成本。
海力士表示,其首款238层3D NAND产品是一款512Gb(64GB)3D TLC,其制造效率比公司176 层 3D NAND 节点上制造的同类产品高34%。
假设238LTLC NAND的良率足够高,它将显着降低比特成本,最高可降34%,从而提高产品的成本竞争力。
除了比前代产品更小外,据说新产品在读取期间的功耗降低了 21%,这对移动 PC 和智能手机来说都是一个好处。
SK海力士指出:“公司以238层NAND闪存为基础,成功开发适用于智能手机和PC的客户端SSD(Client SSD)解决方案产品,并在5月已开始量产。
从性能角度来看,SK海力士238层TLC NAND IC的关键优势在于其2400 MT/s的接口速度,这比上一代增加了50%,这是构建顺序读/写速度为12 GB/s 或更高的SSD 所需要的性能,因为具有 1600 MT/s 接口的 3D NAND的传输速率无法满足 PCIe Gen5 x4 接口。
238层NAND的规格如下:
SK 海力士 TLC NAND | 238层NAND | 176层NAND |
层数 | 238 | 176 |
deck | 2 (x119) | 2 (x88) |
容量 | 512千兆(64GB) | 512千兆(64GB) |
芯片尺寸 (mm2) | 35.58 | ~47.4 |
密度 (Gbit/mm2) | ~14.39 | 10.8 |
输入/输出速度 | 2.4GT/秒(ONFi 5.0) | 1.6GT/秒(ONFi 4.2) |
CuA/PuC | 使用 | 使用 |
-
238层NAND闪存作为世界上最小体积的芯片,生产效率比上一代的176层提升了34%,成本竞争力得到了大幅改善。
-
238层NAND闪存的数据传输速度为每秒2.4Gb,比上一代的速度快50%。并且也改善了约20%的读写性能,由此公司自信,可将为采用该产品的智能手机和PC客户提供更高的性能。
另外,NAND闪存有SLC(Single Level Cell,1)、MLC(Multi Level Cell,2)、TLC(Triple Level Cell,3)、QLC,这取决于一个cell存储多少信息。一个cell能存储的信息越多,同一区域能存储的数据就越多。.
从智能手机走向数据中心
SK海力士是去年8月宣布成功开发出世界最高238层NAND闪存。
公司在176层甚至在238层产品,都确保了成本、性能和品质方面的世界顶级竞争力,期待这些产品在下半年能够起到改善公司业绩的牵引作用。”
SK海力士计划在完成智能手机客户公司的验证后,首先向移动端产品供应238层NAND闪存,随后将其适用范围扩大到基于PCIe 5.0的PC固态硬盘(SSD)和数据中心级高容量固态硬盘产品等。
SK海力士238层NAND担当副社长金占寿表示:“公司今后将继续突破NAND闪存技术局限,并加强竞争力,在即将到来的市场反弹周期迎来大转机。”
竞争对手信息
SK海力士现一举成为全球首家将 238 层 4D NAND 商业化的芯片制造商,但存储行业的竞争依然血雨腥风。
2020 年 11 月,美光科技公司宣布开发出 176 层 3D NAND 闪存,在大多数玩家关注 128 层 NAND 的情况下,成为当时全球最高密度的芯片,震惊了市场。去年,美光公司开始大批量生产232层NAND芯片。内存市场龙头三星也誓言要大力投资NAND业务,以拉大与竞争对手的差距。三星去年 11 月表示,它开始批量生产第八代 1 Tb 垂直 NAND (V NAND) 芯片,行业认为其为236 层。
SK 海力士表示,它还计划在不久的将来推出双倍容量的 1Tb、238 层 NAND 产品。