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下一代半导体：一路向宽，一路向窄;随着以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体步入产业化阶段，对新一代半导体材料的探讨已经进入大众视野。走向产业化的锑化物，以及国内外高度关注的氧化镓、金刚石、氮化铝......
） 图二 奥趋光电制备的3英寸AlN单晶衬底样片 氮化铝（AlN）是极具战略意义的新一代超宽禁带半导体材料，具有超宽禁带（6.2 eV）、高热导率（340 W/(m∙K)）、高击穿场强（15.4 MV......
东台海古德功率半导体（一期）项目竣工投产;据东台日报报道，10月13日，东台海古德功率半导体（一期）项目竣工投产。海古德东台项目核心产品氮化铝、氮化硅是国家强基工程关键领域的基础材料，项目......
-6英寸大尺寸金刚石长晶设备、氮化铝长晶设备等三大类产品生产。 资料显示，晶驰机电（嘉兴）有限公司成立于2023年，其杭州晶驰机电科技有限公司是一家国内第三、四代半导体材料设备研发制造商，也是国内外半导体......
年产能1020万片，清华大学半导体产业重大科研项目落户无锡;近日，无锡高新区与无锡海古德新技术有限公司成功签约，清华大学国家863科技成果转化项目——年产1020万片半导体功率模块使用陶板基板项目正式落户高新区半导体......
去描述一项技术的成熟度，复旦大学宁波研究院宽禁带半导体材料与器件研究所的最新分享显示，目前硅器件、SiC SBD已进入稳定应用期，SiC MOSFET、GaN HEMT处于我爬坡期，金刚石、氮化铝......
机电成立于2021年7月，其总部与研发中心位于杭州市浙江大学杭州国际科创中心，专注于碳化硅、金刚石、氮化铝等第三、四代半导体材料装备的研发、生产、销售和应用推广。 目前，晶驰......
营业务为碳化硅、氮化镓、氮化铝、金刚石等宽禁带半导体材料及相关器件的研发、生产及销售。 封面图片来源：拍信网......
%。该机构指出，陶瓷部件市场受到半导体设备需求的有力拉动，氧化铝、氮化铝、氧化钇等材料的精密陶瓷部件目前被应用于热处理、蚀刻、外延......
石类热沉、氮化铝热沉、氮化硅热沉等，主要应用于射频、光电等半导体功率模块重点领域。中国科学院院士孙军教授和西安交通大学教授、博士生导师宋忠孝作为本公司首席科学家领衔公司技术研发。 封面图片来源：拍信网......
日本大厂，布局汽车GaN器件，但高成本仍是障碍; 【导读】日本公司正着手大规模生产用于电动汽车的氮化镓（GaN）功率半导体器件，以增加电动汽车的行驶里程，但高......
距离检测和手势识别等功能。 茂丞超声SC801与其它方案的对比 茂丞超声致力于第三代半导体材料-氮化铝，实现......
深圳院企联手，拓展第三代半导体先进材料研发;近日，中国科学院深圳先进技术研究院（下文简称“深圳先进院”）光子信息与能源材料研究中心（下文简称“研究中心”）与深圳市纳设智能装备有限公司（下文简称“纳设......
IGBT模块中不同金属化方法覆铜氮化铝陶瓷基板的可靠性研究;本文引用地址：0   引言 在电力电子的应用中，大功率电力电子器件是实现能源控制与转换的核心，广泛应用于高速铁路、智能电网、电动......
器研发、微功耗芯片研发、纳米材料（半导体阻焊墨水）研发、芯片封装测试、风光储新能源安全监测等。目前，和林格尔新区正在积极布局半导体产业链，已落地海特华材碳化硅材料、盛和芯材氮化铝材料、百环单晶硅籽晶材料、西安......
泛林集团助力触觉技术的实现在掺钪氮化铝脉冲激光沉积领域的创新或成为大批量生产关键;泛林集团如何助力触觉技术的实现 在掺钪氮化铝......
广州半导体重点项目计划；中芯国际财报；东芝拟建12英寸晶圆厂;中芯国际最新业绩报告揭晓 2月10日，总市值已超4000亿元的国内晶圆代工龙头中芯国际公布了最新业绩报告。数据显示，2021年第......
器为代表的新质生产力芯片严苛制造要求的关键。经过系列科技攻关与研发创新，凯世通已实现关键技术突破，产品测试性能表现优异，维护成本低，并已交付给客户进行产线验证。 天津大学在氮化铝、氮化硅陶瓷半导体......
工艺优化、产品研发和设备升级，加速市场拓展和团队扩建。 资料显示，博志金钻成立于2020年，是一家专门从事半导体封装材料研发生产的公司。公司产品包括氮化铝热沉、单晶碳化硅热沉、金刚......
功率转换系统具有很高的能效和可靠性。因为采用意法半导体的经过验证的稳健的 ACEPACK封装技术，这些模块降低了总体系统和设计开发成本，同时确保可靠性出色。该封装技术采用高性能氮化铝 (AlN) 绝缘......
成立于 2015 年 3 月，位于加利福尼亚州硅谷，专注于节能、高性能宽带隙 (WBG) 半导体材料和设备解决方案。该公司开发的QST衬底具有与GaN相匹配的CTE，由多晶氮化铝陶瓷芯构成，并附......
a-Physical，1996） PZT替代物 掺钪氮化铝 (ScAlN) 是很有前景的PZT替代物，而且不需要引入铅的使用。由于掺钪氮化铝具有较高的击穿电压，因此......
具有高效的开关性能，将温度影响降至最低，确保功率转换系统具有很高的能效和可靠性。 因为采用意法半导体的经过验证的稳健的 ACEPACK封装技术，这些模块降低了总体系统和设计开发成本，同时确保可靠性出色。该封装技术采用高性能氮化铝......
度影响降至最低，确保功率转换系统具有很高的能效和可靠性。 因为采用意法半导体的经过验证的稳健的 ACEPACK封装技术，这些模块降低了总体系统和设计开发成本，同时确保可靠性出色。该封装技术采用高性能氮化铝 (AlN......
电子则是国内规模最大、产量最高的氮化铝陶瓷基板企业，获北汽和上汽战略投资，2021 年底再成功融资 1.8 亿元，融资资金主要用于氮化铝陶瓷基板扩产、陶瓷金属化产品生产线建设。 富乐华半导体、德汇......
除了着重于工艺和设备的合作外，联合实验室还将对其他半导体先进材料进行研究，如氮化铝、氮化镓、石墨烯等先进材料生长设备及工艺。 10月中旬，格芯宣布已获得美国提供的3500万美元联邦资金，以加速其位于佛蒙特州Essex......
科学院深圳先进技术研究院光子信息与能源材料研究中心与深圳市纳设智能装备有限公司成立了先进材料联合实验室，推进产学研深度融合。双方除了着重于工艺和设备的合作外，联合实验室还将对其他半导体先进材料进行研究，如氮化铝、氮化镓、石墨烯等先进材料生长设备及工艺。 10月中旬，格芯......
都是使电源模块能够有效处理和分配高压的关键属性。电动汽车能够处理高达800V或更高的电压。陶瓷衬底通常由氮化铝(AlN)或氧化铝(Al2O3)制成，具有高导热性和介电强度。它们充当功率半导体芯片和衬底之间的电隔离层，促进......
新芯宣布首度接受外部融资，注册资本由约57.82亿人民币增至约84.79亿人民币。该轮投资方包括了武汉光谷半导体产业投资有限公司、中国银行、湖北集成电路产业投资基金、武汉创新投资集团有限公司等30家知......
中国电科十三所等股东持有的河北博威集成电路有限公司（以下简称“博威公司”）和北京国联万众半导体科技有限公司（以下简称“国联万众”）的部分股权或全部股权。 公告指出，中瓷电子和中国电科十三所已于2022年1......
碳化硅、氮化镓材料及超宽禁带半导体氮化铝、金刚石材料有明显优势。 此外，氧化镓材料的热处理温度及硬度均与单晶硅较为接近，从单晶硅器件线转为氧化镓器件线仅仅需要更换5%设备，相比而言，碳化......
、第四代半导体材料，如氧化镓，金刚石，氮化铝等超禁带半导体材料，以推动产业链的自主可控，建立上下游的产业生态。” 据介绍，新组建的江城基金主要由存量股权资产和财政现金注入组成。按照《武汉......
资2.14万亿元。全球半导体观察了解到，重大实施类项目中涵盖多个半导体项目，涉及存储封测芯片、半导体材料、功率器件等领域。 山东晶导微电子股份有限公司年产1200万片6英寸......
，首个落户山东晨鸿电气有限公司集成电路材料产业基地的，便是第三代半导体的代表性材料——高品级氮化铝粉末及复杂形状氮化铝陶瓷精密器件项目。 露笑科技碳化硅项目开始设备安装调试 5月......
镓晶体可以在各种衬底上生长，包括蓝宝石、碳化硅（SiC）和硅（Si）。在硅上生长 GaN 外延层可以使用现有的硅制造基础设施，从而无需使用成本很高的特定生产设施，而且可采用低成本、大直径的硅晶片。氮化镓材料用于制造半导体......
贴装的精密无磁薄膜片式电阻--- PCNM系列。Vishay Dale Thin Film PCNM系列电阻采用氮化铝衬底，功率等级为2W和6W，外形尺寸分别为1206和2512。 今天推出的电阻所使用的氮化铝......
通过抑制部件热点的温升来提高可靠性。 “氮化铝（凭借其具有大面积的焊接端子）可为TT Electronics公司的HPDC系列产品提供迄今为止最高的功率密度。借助这款产品，我们......
意法半导体车规双列直插碳化硅功率模块提供多功能封装配置; 【导读】意法半导体发布了ACEPACK1 DMT-32系列车规碳化硅(SiC)功率模块，新系列产品采用便捷的 32 引脚......
除了着重于工艺和设备的合作外，联合实验室还将对其他半导体先进材料进行研究，如氮化铝、氮化镓、石墨烯等先进材料生长设备及工艺。 10月中旬，格芯......
2023年的4.7倍。 尽管功率半导体市场尚未兴起，但金刚石晶圆、氮化铝晶圆、二氧化锗晶圆等下一代技术正在开发中，其实......
已经走到了摩尔定律的极限，每向前一步都是巨大的荆棘。幸运的是，第三代化合物半导体的发现给产业带来了新的创新路径。 第三代化合物半导体包括碳化硅SiC、氮化镓GaN、氮化铝AlN、氧化锌ZnO等，具有更优的电子迁移率、带隙......
机电成立于2021年7月，其总部与研发中心位于杭州市浙江大学杭州国际科创中心，致力于碳化硅、金刚石、氮化铝、氧化镓等第三、四代半导体材料装备的研发、生产、销售和应用推广。......
场预计将稳步增长。 　　LED和集成电路为业务核心 　　三安光电主要从事化合物半导体材料与器件的研发、生产及销售，以氮化镓、砷化镓、碳化硅、 磷化铟、氮化铝、蓝宝石等化合物半导体新材料所涉及的外延片、芯片......
革命性医疗成像 imec用非侵入超音波监测心脏;比利时微电子研究中心（）的研究人员，推出为成像应用所开发的创新第二代压电式微机械换能器（PMUT）数组。该数组具备一层氮化铝钪（AlScN）压电......
经信局牵头起草的《杭州市促进集成电路产业高质量发展的实施意见》指出，要支持氮化镓、碳化硅、砷化镓、磷化铟、氮化铝等化合物半导体项目建设。 苏州工业园区管理委员会发布《全面......
科技有限公司将导入高纯硅部件项目。而浙江富乐德半导体材料科技有限公司将导入高纯氧化铝及化学气相沉积碳化硅产品生产线，氧化铝产品具备优异的耐高温、抗氧化、耐腐蚀、耐磨耗、高导热、高绝......
军事装置、卫星空间技术、高强度激光的窗口材料、半导体照明产业、光电物理学、生物化学、民用航天、军工等领域。氧化铝性状：难溶于水的白色固体，无臭、无味、质极硬，易吸潮而不潮解（灼烧过的不吸湿）。 氧化铝......
HMC1086-DIE数据手册和产品信息;HMC1086是一款25W氮化镓(GaN)功率放大器MMIC，工作范围为2至6 GHz。该放大器通常提供22 dB小信号增益，+44.5 dBm饱和......
HMC1087-DIE数据手册和产品信息;HMC1087是一款8W氮化镓(GaN) MMIC功率放大器，工作范围为2至20 GHz。 该放大器通常提供11 dB小信号增益，+39 dBm饱和......
率模块，逐渐取代氧化铝陶瓷基板。IGBT功率模块需求快速增长，对DBC和AMB陶瓷基板的需求也越来越大。资料显示，意法半导体、比亚迪半导体、时代电气均确定了AMB氮化硅衬底的技术路线。 在大......

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;东莞市亚库电子有限公司;;亚库电子独家代理台湾竹路应用材料股份有限公司的氮化铝粉和氮化铝导热塑胶。 竹路应材的前身为元诚科技，成立于2003年，从事被动组件的制造与营销；公司为追求创新，跨足
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