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中国科大首次研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管;近日，中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授课题组联合中科院苏州纳米所加工平台在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展，分别采用氧气氛围退火和N离子......
IBM与三星合作发表VTFET芯片设计技术，预计突破1纳米制程瓶颈;外媒报导，美国加州旧金山举办的IEDM2021蓝色巨人IBM与韩国三星共同发表“垂直传输场效应晶体管”（VTFET）芯片设计。将晶体管......
OptiMOS线性场效应晶体管兼具低R值与大安全工作区;英飞凌科技股份公司推出OptiMOS™线性场效应晶体管系列。这个全新产品系列兼具沟槽型功率场效应管的低导通电阻（RDS(on)）与平......
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板;EPC9137是一款两相的48 V/12 V双向转换器，以小型化解决方案提供1.5 kW功率，效率为97%，适用......
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板;EPC9137是一款两相的48 V/12 V双向转换器，以小型化解决方案提供1.5 kW功率，效率为97%，适用......
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板;EPC9137是一款两相的48 V/12 V双向转换器，以小型化解决方案提供1.5 kW功率，效率为97%，适用......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
NMOS和PMOS详解;一、简介本文引用地址：MOS管，是的缩写。金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect......
立锜科技与宜普电源转换携手推出小型化、140W快充解决方案; 【导读】宜普电源转换公司（EPC）和立锜科技（Richtek）携手推出新型快充参考设计，使用RT6190降压-升压控制器和氮化镓场效应晶体管......
EPC新推最小型化的100 V、2.2 mΩ 氮化镓场效应晶体管; 宜普电源转换公司（EPC）新推100 V、2.2 mΩ的氮化镓场效应晶体管（EPC2071）,为设计工程师提供比硅MOSFET更小......
立锜科技与宜普电源转换携手推出小型化、140W快充解决方案;转换公司（EPC）和科技（Richtek）携手推出新型快充参考设计，使用RT6190降压-升压控制器和氮化镓场效应晶体管EPC2204......
年产6000万片高精密度集成电路板、3.6亿颗场效应晶体管项目开工;据“微聚庐江”消息，7月21日，合肥得壹科技发展有限公司年产6000万片高精密度集成电路板和3.6亿颗场效应晶体管......
测物件的速度及准确性非常重要。EPC9144演示板展示出通过AECQ101认证的车规级EPC2216氮化镓场效应晶体管具备快速转换性能，与等效MOSFET相比，EPC2216的功率脉冲可以快速10倍的......
（半导体氧化物）- Semiconductor（半导体）的三层结构的Field-Effect Transistor（场效应晶体管）。 BIPOLAR 是指使用了双极性元件，将称为p型和n型的......
探索任务、深层石油开采系统、飞机系统等领域的进步。 电力电子电路不断发展以实现更高的效率，绝缘栅双极晶体管（IGBT）和金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）等电力电子设备为令人兴奋的创新打开了大门。硅......
从掺杂铌的二硫化钼碎片的边缘长出了二硫化钼的多层结构，形成了一个厚实的、粘合的、平面的异质结构。他们证明了这些可用于制造新的隧道场效应晶体管（TFET），即具有超低功率消耗的集成电路中的元件。 化学气相沉积法可用于从不同的TMDC中生......
从掺杂铌的二硫化钼碎片的边缘长出了二硫化钼的多层结构，形成了一个厚实的、粘合的、平面的异质结构。他们证明了这些可用于制造新的隧道场效应晶体管（TFET），即具有超低功率消耗的集成电路中的元件。 化学气相沉积法可用于从不同的TMDC中生......
领域首次报道的高温击穿特性。 ▲图1.结终端扩展NiO/β-Ga2O3异质结二极管（a）截面示意图和器件关键制造细节，（b）与已报道的氧化镓肖特基二极管及异质结二极管的性能比较 02增强型氧化镓场效应晶体管......
宜普电源转换公司（EPC）eToF™ 激光驱动器IC，助力革新激光雷达系统设计;宜普电源转换公司（EPC）宣布推出激光驱动器IC(EPC21601)，在单个芯片上集成了40 V、10 A 场效应晶体管......
MicroSystems, Inc.（Allegro）（Nasdaq: ALGM）开展合作，使用Transphorm 的 SuperGaN® 场效应晶体管和Allegro的AHV85110隔离......
MicroSystems, Inc.（Allegro）（Nasdaq: ALGM）开展合作，使用Transphorm 的 SuperGaN® 场效应晶体管和Allegro的AHV85110隔离式栅极驱动器，针对......
久台积电透露其1.4nm级工艺制程研发已经全面展开，2nm级制程将于2025年开始量产。 据悉，台积电的1.4nm节点的正式名称为A14，预计在技术上不太可能采用垂直堆叠互补场效应晶体管（CFET......
如何用万用表测试MOSFET;介绍： MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）晶体管是一种广泛用于电子设备中开关和放大电子信号的半导体器件。 MOSFET 是一种四端子器件，具有......
EPC推出80V、通过AEC-Q101认证的氮化镓场效应晶体管; 【导读】EPC推出 80 V、通过AEC-Q101 认证的氮化镓场效应晶体管（GaN FET）EPC2252，为设......
转换领域扩展产品线 新推出的氮化镓场效应晶体管可作为原始设计选项或碳化硅（SiC）替代器件 加利福尼亚州戈莱塔 – 2024 年 1 月 17 日 — 全球领先的氮化镓（GaN）功率......
与为运动控制和节能系统提供电源及传感半导体技术的全球领先企业Allegro MicroSystems, Inc.（Allegro）开展合作，使用Transphorm 的 SuperGaN® 场效应晶体管和Allegro的......
等。 电源管理的发展历程 上世纪40年代晶体管问世，不久后，作为电源管理技术的发展基础的晶闸管在晶体管渐趋成熟的基础上问世，从而揭开了电源管理技术长足发展序幕。 1979年发明了功率场效应晶体管......
，之后前往华威大学研发3.3 kV和10 kV碳化硅器件。他凭借论文《碳化硅功率金刚石场效应晶体管的高温电老化和热老化性能及应用注意事项》赢得《电气与电子工程师协会汇刊电力电子学卷》2018年最......
前往华威大学研发3.3 kV和10 kV碳化硅器件。他凭借论文《碳化硅功率金刚石场效应晶体管的高温电老化和热老化性能及应用注意事项》赢得《电气与电子工程师协会汇刊电力电子学卷》2018年最佳论文奖。自2018年进......
kV碳化硅器件。他凭借论文《碳化硅功率金刚石场效应晶体管的高温电老化和热老化性能及应用注意事项》赢得《电气与电子工程师协会汇刊电力电子学卷》2018年最佳论文奖。自2018年进入业界以来，他领导了新型硅绝缘栅双极型晶体管......
别在 2024 年下半年和 2025 年投入量产。这些工艺都将采用 FinFET 结构，也就是金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）结构。这种结构已经被台积电使用了多年，并且......
率器件里，目前主要是肖特基二极管和场效应晶体管，其它器件结构还未开展。 （1）氧化镓基肖特基二极管 对于肖特基二极管，其精准的势垒高度调控仍然是个难题，同时其体电场仍有较大的优化空间，另外......
术利用成熟的后端工艺将新型二维材料集成在硅基上，并利用两者高度匹配的物理特性，成功实现 4 英寸大规模三维异质集成互补场效应晶体管。 该技术成果的文章发表在 nature electronics，并受到大家广泛关注。在这......
制备的银转移电极MoS2背栅场效应晶体管阵列照片；（b）10×10晶体管阵列开关比统计结果；（c）银转移电极MoS2背栅场效应晶体管转移特性；（d）银转移电极MoS2背栅场效应晶体管输出特性曲线。  封面......
A14 节点预计将在 2027-2028 年问世。 在技术方面，A14 节点不太可能采用垂直堆叠互补场效应晶体管（CFET）技术，不过台积电仍在探索这项技术。因此，A14 可能将像 N2 节点一样，依赖于台积电第二代或第三代环绕栅极场效应晶体管......
设备就必须变得更小、更快、更节能，以跟上数据创新的步伐。 铁电场效应晶体管（FE-FETs）是应对这一挑战的最有趣的答案之一。这是一种具有铁电性能的场效应晶体管。它利用铁电材料的非易失记忆性质，在其中植入场效应......
上海雷卯推出稳定性和效率兼备的MOSFET新产品; 【导读】MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的半导体器件，由源(Source)、漏(Drain)和栅(Gate)三个......
EPC与ADI携手推出基于氮化镓场效应晶体管的DC/DC转换器;EPC公司和ADI公司推出参考设计，采用全面优化的新型模拟控制器来驱动EPC公司的氮化镓场效应晶体管(GaN FET)。新型......
EPC与ADI携手推出基于氮化镓场效应晶体管的DC/DC转换器;EPC公司和ADI公司推出参考设计，采用全面优化的新型模拟控制器来驱动EPC公司的氮化镓场效应晶体管(GaN FET)。新型......
EPC与ADI携手推出基于氮化镓场效应晶体管的DC/DC转换器;EPC公司和ADI公司推出参考设计，采用全面优化的新型模拟控制器来驱动EPC公司的氮化镓场效应晶体管(GaN FET)。新型......
EPC与ADI携手推出基于氮化镓场效应晶体管的DC/DC转换器;EPC公司和ADI公司推出参考设计，采用全面优化的新型模拟控制器来驱动EPC公司的氮化镓场效应晶体管(GaN FET)。新型......
SolarUnit产品线的设计架构中，包括DC-DC 和 DC-AC端，均采用了 Transphorm 的 150 mΩ 和 70 mΩ 氮化镓场效应晶体管。SolarUnit有三种可选型号，功率......
Transphorm发布两款4引脚TO－247封装器件，针对高功率服务器、可再生能源、工业电力转换领域扩展产品线;新推出的氮化镓场效应晶体管可作为原始设计选项或碳化硅（SiC）替代......
生产大批量基础半导体二极管件的专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护二极管件、MOSFET二极管件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia......
在源极和漏极之间通过通道流动。 在晶体管设计的优化过程中，有三个关键变量：性能、功耗和面积（PPA）。晶体管制造商一直在不断追求更高的性能、更低的功耗要求和更小的面积。 随着晶体管尺寸的缩小，它们的结构也从平面晶体管发展到鳍式场效应晶体管......
晶体管，一种栅极间距垂直堆叠互补场效应晶体管(CFET)，结合了背面供电(PowerVia)、直接背面触点(direct backside contact)，可以缩微至60nm。 它可以通过晶体管......
一一家以垂直整合商业模式运营的上市公司，这意味着在器件开发的每个关键阶段，我们均能做到自主可控和创新——包括GaN HEMT 器件设计、外延片材料、晶圆制程工艺，直至最终氮化镓场效应晶体管芯片。因此，我们......
层面依然是FinFET(鳍式场效应晶体管)，这限制了3nm做到更高的密度和更低的能耗。 实际上，台积电3nm也会是FinFET绝唱，三星已经切换到GAA晶体管，Intel则会在20A(2nm)时导......
层面依然是FinFET（鳍式场效应晶体管），这限制了3nm做到更高的密度和更低的能耗。 实际上，台积电3nm也会是FinFET绝唱，三星已经切换到GAA晶体管，Intel则会在20A（2nm）时导......
。该技术利用成熟的后端工艺将新型二维材料集成在硅基芯片上，并利用两者高度匹配的物理特性，成功实现4英寸大规模三维异质集成互补场效应晶体管......
进一步合作的目标是共同开发GaN功率器件在电动汽车(EV)上的应用。 随着客运车辆日益电气化，市场对功率半导体的要求也在不断提高，需要在越来越高的功率密度下提供高效的功率转换。高压功率氮化镓场效应晶体管(GaN FET......

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