资讯
中国科大首次研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管(2023-02-28)
中国科大首次研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管;近日,中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授课题组联合中科院苏州纳米所加工平台在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展,分别采用氧气氛围退火和N离子......
IBM与三星合作发表VTFET芯片设计技术,预计突破1纳米制程瓶颈(2021-12-14)
IBM与三星合作发表VTFET芯片设计技术,预计突破1纳米制程瓶颈;外媒报导,美国加州旧金山举办的IEDM2021蓝色巨人IBM与韩国三星共同发表“垂直传输场效应晶体管”(VTFET)芯片设计。将晶体管......
OptiMOS线性场效应晶体管兼具低R值与大安全工作区(2017-07-31)
OptiMOS线性场效应晶体管兼具低R值与大安全工作区;英飞凌科技股份公司推出OptiMOS™线性场效应晶体管系列。这个全新产品系列兼具沟槽型功率场效应管的低导通电阻(RDS(on))与平......
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板(2021-05-14)
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板;EPC9137是一款两相的48 V/12 V双向转换器,以小型化解决方案提供1.5 kW功率,效率为97%,适用......
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板(2021-05-14)
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板;EPC9137是一款两相的48 V/12 V双向转换器,以小型化解决方案提供1.5 kW功率,效率为97%,适用......
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板(2021-05-14)
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板;EPC9137是一款两相的48 V/12 V双向转换器,以小型化解决方案提供1.5 kW功率,效率为97%,适用......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
NMOS和PMOS详解;一、简介本文引用地址:MOS管,是的缩写。金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect......
立锜科技与宜普电源转换携手推出小型化、140W快充解决方案(2023-01-18)
立锜科技与宜普电源转换携手推出小型化、140W快充解决方案;
【导读】宜普电源转换公司(EPC)和立锜科技(Richtek)携手推出新型快充参考设计,使用RT6190降压-升压控制器和氮化镓场效应晶体管......
EPC新推最小型化的100 V、2.2 mΩ 氮化镓场效应晶体管(2022-05-16)
EPC新推最小型化的100 V、2.2 mΩ 氮化镓场效应晶体管;
宜普电源转换公司(EPC)新推100 V、2.2 mΩ的氮化镓场效应晶体管(EPC2071),为设计工程师提供比硅MOSFET更小......
立锜科技与宜普电源转换携手推出小型化、140W快充解决方案(2023-01-18)
立锜科技与宜普电源转换携手推出小型化、140W快充解决方案;转换公司(EPC)和科技(Richtek)携手推出新型快充参考设计,使用RT6190降压-升压控制器和氮化镓场效应晶体管EPC2204......
年产6000万片高精密度集成电路板、3.6亿颗场效应晶体管项目开工(2022-07-25)
年产6000万片高精密度集成电路板、3.6亿颗场效应晶体管项目开工;据“微聚庐江”消息,7月21日,合肥得壹科技发展有限公司年产6000万片高精密度集成电路板和3.6亿颗场效应晶体管......
车规级氮化镓ToF可在28A并具1.2ns脉宽的脉冲电流驱动激光(2020-01-14)
测物件的速度及准确性非常重要。EPC9144演示板展示出通过AECQ101认证的车规级EPC2216氮化镓场效应晶体管具备快速转换性能,与等效MOSFET相比,EPC2216的功率脉冲可以快速10倍的......
基础知识之IGBT(2024-03-22)
(半导体氧化物)- Semiconductor(半导体)的三层结构的Field-Effect Transistor(场效应晶体管)。
BIPOLAR 是指使用了双极性元件,将称为p型和n型的......
下一代纳米结构开启制造超低功率电子元件的可能(2023-04-25 09:55)
从掺杂铌的二硫化钼碎片的边缘长出了二硫化钼的多层结构,形成了一个厚实的、粘合的、平面的异质结构。他们证明了这些可用于制造新的隧道场效应晶体管(TFET),即具有超低功率消耗的集成电路中的元件。
化学气相沉积法可用于从不同的TMDC中生......
下一代纳米结构开启制造超低功率电子元件的可能(2023-04-23)
从掺杂铌的二硫化钼碎片的边缘长出了二硫化钼的多层结构,形成了一个厚实的、粘合的、平面的异质结构。他们证明了这些可用于制造新的隧道场效应晶体管(TFET),即具有超低功率消耗的集成电路中的元件。
化学气相沉积法可用于从不同的TMDC中生......
简述碳化硅SIC器件在工业应用中的重要作用(2022-12-21)
探索任务、深层石油开采系统、飞机系统等领域的进步。
电力电子电路不断发展以实现更高的效率,绝缘栅双极晶体管(IGBT)和金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)等电力电子设备为令人兴奋的创新打开了大门。硅......
中科大在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展(2022-05-27)
领域首次报道的高温击穿特性。
▲图1.结终端扩展NiO/β-Ga2O3异质结二极管(a)截面示意图和器件关键制造细节,(b)与已报道的氧化镓肖特基二极管及异质结二极管的性能比较
02增强型氧化镓场效应晶体管......
宜普电源转换公司(EPC)eToF™ 激光驱动器IC,助力革新激光雷达系统设计(2021-02-24)
宜普电源转换公司(EPC)eToF™ 激光驱动器IC,助力革新激光雷达系统设计;宜普电源转换公司(EPC)宣布推出激光驱动器IC(EPC21601),在单个芯片上集成了40 V、10 A 场效应晶体管......
芯片三巨头发力CFET晶体管,进军埃米时代(2024-06-03)
芯片三巨头发力CFET晶体管,进军埃米时代;
【导读】日前,台积电资深副总经理暨副共同首席运营官张晓强在2024技术论坛上宣布,台积电已成功集成不同晶体管架构,在实验室做出CFET(互补式场效应晶体管......
MicroSystems, Inc.(Allegro)(Nasdaq: ALGM)开展合作,使用Transphorm 的 SuperGaN® 场效应晶体管和Allegro的AHV85110隔离......
Transphorm携手Allegro MicroSystems提升大功率应用中氮化镓电源系统性能(2023-12-07 10:36)
MicroSystems, Inc.(Allegro)(Nasdaq: ALGM)开展合作,使用Transphorm 的 SuperGaN® 场效应晶体管和Allegro的AHV85110隔离式栅极驱动器,针对......
台积电首提1nm工艺,实现1万亿晶体管的单个芯片封装(2023-12-29)
久台积电透露其1.4nm级工艺制程研发已经全面展开,2nm级制程将于2025年开始量产。
据悉,台积电的1.4nm节点的正式名称为A14,预计在技术上不太可能采用垂直堆叠互补场效应晶体管(CFET......
如何用万用表测试MOSFET(2024-04-03)
如何用万用表测试MOSFET;介绍:
MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)晶体管是一种广泛用于电子设备中开关和放大电子信号的半导体器件。
MOSFET 是一种四端子器件,具有......
EPC推出80V、通过AEC-Q101认证的氮化镓场效应晶体管(2023-02-07)
EPC推出80V、通过AEC-Q101认证的氮化镓场效应晶体管;
【导读】EPC推出 80 V、通过AEC-Q101 认证的氮化镓场效应晶体管(GaN FET)EPC2252,为设......
请问一下IGBT是如何实现电路控制的?(2024-06-14)
动车的交流电电动机的输出控制。
传统的BJT导通电阻小,但是驱动电流大,而MOSFET的导通电阻大,却有着驱动电流小的优点。IGBT正是结合了这两者的优点:不仅驱动电流小,导通电阻也很低。
这种晶体管结合了金属氧化物半导体场效应晶体管......
转换领域扩展产品线
新推出的氮化镓场效应晶体管可作为原始设计选项或碳化硅(SiC)替代器件
加利福尼亚州戈莱塔 – 2024 年 1 月 17 日 — 全球领先的氮化镓(GaN)功率......
与为运动控制和节能系统提供电源及传感半导体技术的全球领先企业Allegro MicroSystems, Inc.(Allegro)开展合作,使用Transphorm 的 SuperGaN® 场效应晶体管和Allegro的......
电源管理芯片究竟管理些什么,又是怎么管的?(2023-07-31)
等。
电源管理的发展历程
上世纪40年代晶体管问世,不久后,作为电源管理技术的发展基础的晶闸管在晶体管渐趋成熟的基础上问世,从而揭开了电源管理技术长足发展序幕。
1979年发明了功率场效应晶体管......
罗姆(ROHM)第4代:技术回顾(2023-01-31)
,之后前往华威大学研发3.3 kV和10 kV碳化硅器件。他凭借论文《碳化硅功率金刚石场效应晶体管的高温电老化和热老化性能及应用注意事项》赢得《电气与电子工程师协会汇刊电力电子学卷》2018年最......
罗姆(ROHM)第4代:技术回顾(2023-01-31)
前往华威大学研发3.3 kV和10 kV碳化硅器件。他凭借论文《碳化硅功率金刚石场效应晶体管的高温电老化和热老化性能及应用注意事项》赢得《电气与电子工程师协会汇刊电力电子学卷》2018年最佳论文奖。自2018年进......
罗姆(ROHM)第4代:技术回顾(2023-02-01)
kV碳化硅器件。他凭借论文《碳化硅功率金刚石场效应晶体管的高温电老化和热老化性能及应用注意事项》赢得《电气与电子工程师协会汇刊电力电子学卷》2018年最佳论文奖。自2018年进入业界以来,他领导了新型硅绝缘栅双极型晶体管......
台积电:2nm 制程 2025 年量产,N3P 2024 年下半年量产(2023-04-27)
别在 2024 年下半年和 2025 年投入量产。这些工艺都将采用 FinFET 结构,也就是金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)结构。这种结构已经被台积电使用了多年,并且......
单颗芯片容纳1万亿个晶体管?我们的世界是否还需要更好的晶体管?(2023-01-10)
术利用成熟的后端工艺将新型二维材料集成在硅基上,并利用两者高度匹配的物理特性,成功实现 4 英寸大规模三维异质集成互补场效应晶体管。
该技术成果的文章发表在 nature electronics,并受到大家广泛关注。在这......
中科院上海微系统所在Nature Electronics报道晶圆级范德华接触阵列研究重要进展(2022-05-26)
制备的银转移电极MoS2背栅场效应晶体管阵列照片;(b)10×10晶体管阵列开关比统计结果;(c)银转移电极MoS2背栅场效应晶体管转移特性;(d)银转移电极MoS2背栅场效应晶体管输出特性曲线。
封面......
台积电首次提及 1.4nm 工艺技术,2nm 工艺按计划 2025 年量产(2023-12-14)
A14 节点预计将在 2027-2028 年问世。
在技术方面,A14 节点不太可能采用垂直堆叠互补场效应晶体管(CFET)技术,不过台积电仍在探索这项技术。因此,A14 可能将像 N2 节点一样,依赖于台积电第二代或第三代环绕栅极场效应晶体管......
氧化镓:10年后将直接与碳化硅竞争(2023-01-09)
率器件里,目前主要是肖特基二极管和场效应晶体管,其它器件结构还未开展。
(1)氧化镓基肖特基二极管
对于肖特基二极管,其精准的势垒高度调控仍然是个难题,同时其体电场仍有较大的优化空间,另外......
更小、更快、更节能,半导体芯片迎大突破(2023-07-17)
设备就必须变得更小、更快、更节能,以跟上数据创新的步伐。
铁电场效应晶体管(FE-FETs)是应对这一挑战的最有趣的答案之一。这是一种具有铁电性能的场效应晶体管。它利用铁电材料的非易失记忆性质,在其中植入场效应......
EPC与ADI携手推出基于氮化镓场效应晶体管的DC/DC转换器(2022-07-22)
EPC与ADI携手推出基于氮化镓场效应晶体管的DC/DC转换器;EPC公司和ADI公司推出参考设计,采用全面优化的新型模拟控制器来驱动EPC公司的氮化镓场效应晶体管(GaN FET)。新型......
EPC与ADI携手推出基于氮化镓场效应晶体管的DC/DC转换器(2022-07-22)
EPC与ADI携手推出基于氮化镓场效应晶体管的DC/DC转换器;EPC公司和ADI公司推出参考设计,采用全面优化的新型模拟控制器来驱动EPC公司的氮化镓场效应晶体管(GaN FET)。新型......
EPC与ADI携手推出基于氮化镓场效应晶体管的DC/DC转换器(2022-07-22)
EPC与ADI携手推出基于氮化镓场效应晶体管的DC/DC转换器;EPC公司和ADI公司推出参考设计,采用全面优化的新型模拟控制器来驱动EPC公司的氮化镓场效应晶体管(GaN FET)。新型......
EPC与ADI携手推出基于氮化镓场效应晶体管的DC/DC转换器(2022-07-22)
EPC与ADI携手推出基于氮化镓场效应晶体管的DC/DC转换器;EPC公司和ADI公司推出参考设计,采用全面优化的新型模拟控制器来驱动EPC公司的氮化镓场效应晶体管(GaN FET)。新型......
上海雷卯推出稳定性和效率兼备的MOSFET新产品(2023-09-04)
上海雷卯推出稳定性和效率兼备的MOSFET新产品;
【导读】MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的半导体器件,由源(Source)、漏(Drain)和栅(Gate)三个......
三星向外界公布 GAA MBCFET 技术最新进展(2023-06-27)
在源极和漏极之间通过通道流动。
在晶体管设计的优化过程中,有三个关键变量:性能、功耗和面积(PPA)。晶体管制造商一直在不断追求更高的性能、更低的功耗要求和更小的面积。
随着晶体管尺寸的缩小,它们的结构也从平面晶体管发展到鳍式场效应晶体管......
Transphorm氮化镓器件助力DAH Solar(大恒能源)全球首个全集成化(2023-10-12)
SolarUnit产品线的设计架构中,包括DC-DC 和 DC-AC端,均采用了 Transphorm 的 150 mΩ 和 70 mΩ 氮化镓场效应晶体管。SolarUnit有三种可选型号,功率......
Transphorm发布两款4引脚TO-247封装器件,针对高功率服务器、可再生能源、工业电力转换领域扩展产品线(2024-01-18 10:50)
Transphorm发布两款4引脚TO-247封装器件,针对高功率服务器、可再生能源、工业电力转换领域扩展产品线;新推出的氮化镓场效应晶体管可作为原始设计选项或碳化硅(SiC)替代......
Nexperia发布具备市场领先效率的晶圆级12和30V MOSFET(2022-07-27)
生产大批量基础半导体二极管件的专家,其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护二极管件、MOSFET二极管件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia......
Intel展示全新3D晶体管:氮化镓都用上了(2023-12-12)
晶体管,一种栅极间距垂直堆叠互补场效应晶体管(CFET),结合了背面供电(PowerVia)、直接背面触点(direct
backside contact),可以缩微至60nm。
它可以通过晶体管......
苹果A17处理器性能缩水,台积电3nm良率不理想(2023-03-22)
层面依然是FinFET(鳍式场效应晶体管),这限制了3nm做到更高的密度和更低的能耗。
实际上,台积电3nm也会是FinFET绝唱,三星已经切换到GAA晶体管,Intel则会在20A(2nm)时导......
台积电3nm露馅了:苹果A17处理器性能惨遭缩水(2023-03-21)
层面依然是FinFET(鳍式场效应晶体管),这限制了3nm做到更高的密度和更低的能耗。
实际上,台积电3nm也会是FinFET绝唱,三星已经切换到GAA晶体管,Intel则会在20A(2nm)时导......
复旦大学周鹏、包文中、万景团队合作发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管(2022-12-13)
。该技术利用成熟的后端工艺将新型二维材料集成在硅基芯片上,并利用两者高度匹配的物理特性,成功实现4英寸大规模三维异质集成互补场效应晶体管......
相关企业
;szwtron;;分布式组件、集成电路、电子组件、被动组件等。主动组件:小信号晶体管、功率晶体管、场效应晶体管、IGBT、线性IC、逻辑处理IC、LCD驱动IC、、MP3IC、DVDIC、工业
;丰泰电子(香港)公司;;ROHM大中华区专业经销商。分离式半导体如晶体管,场效应晶体管MOSFET、双极晶体管、数字晶体管、复合晶体管;二极管,肖特基势垒二极管、整流二极管、整流二极管、开关
;结型场效应管 欧阳志航;;欧信电子商行位于中国汕头市潮南区司马浦镇华里西村华祥路顺德楼,欧信电子商行是一家主营各厂家场效应管、肖特基、功率管、可控硅等晶体管的经销批发的个体经营。欧信电子商行经营的主营各厂家场效应
;易信通科技有限公司;;深圳市易信通科技有限公司是一家MOS-FET(场效应晶体管)销售的专家,现推出台湾茂钿半导体股份有限(WWW.MTSEMI.COM)公司全线产品.产品主要有MT2300
;东莞灿域电子有限公司;;我司是一家生产代理.二三极管 .产品系列有各种封装的 晶体管 场效应管 可控蛙 三端稳压IC等品种达800遇种. 产品用于;显示器 电源 音响 电话机 电脑 玩具 节能
;欧阳志航;;欧信电子商行位于中国汕头市潮南区司马浦镇华里西村华祥路顺德楼,欧信电子商行是一家主营各厂家场效应管、肖特基、功率管、可控硅等晶体管的经销批发的个体经营。欧信电子商行经营的主营各厂家场效应
器专用开关三极管)、大功率晶体管、音响音频配对管、达林顿晶体管、高反压晶体管、MOSFET-功率场效应晶体管、二极管(快恢复/超快恢复、整流/高效整流、稳压/齐纳、双向触发、肖特基、TVS瞬态
;无锡固电半导体股份有限公司;;isc固电半导体的事业始于1991年,位于江苏省无锡新区创新产业园,拥有40亩土地及一万多平方米厂房,主营双极型晶体管、场效应晶体管MOSFET、可控硅、肖特
软启动电路,可以减小在上电过程中变压器的应力,防止变压器饱和。 二,韩国信安品牌MOSFET和士兰的高压MOSFET: TSM1N60M/F/D是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管,有TO-251
等系列感应加热设备是我公司依据现代自适应控制理论,采用现代电力电子新技术,研制出的新型加热产品。本产品主机采用国际著名公司生产的IGBT和POWERMOSFET功率器件,控制系统主电路采用双极型晶体管模块与电力场效应晶体管等新型功率器件,并研