资讯
逆变器需要制动电阻吗，瞬间加速(2024-03-21)
入的三相IGBT的耐压是1200伏，经常要求在800伏以内工作。考虑到如果电压上升，会有一个惯性问题，就是如果你让制动电阻马上工作，总线电压不会很快下降，所以很多VFD都是......
新能源车需用到多少颗芯片？(2024-08-09)
、MOSFET、二极管等半导体器件的需求量也有大幅增加，所以芯片更好的新能源汽车达到2000颗左右。
细分点，可以分为控制芯片、计算芯片、传感芯片、通信芯片、存储芯片、安全芯片、功率芯片、驱动芯片......
IGBT驱动到底是做什么的?(2023-08-21)
大脑需要把这个信号传送给手，由手部肌肉运动来产生一定的力量，摁下开关。IGBT的驱动就是控制IGBT的、灵巧又有力量的“手”。
那么，信号从MCU到IGBT驱动芯片，中间都经历了什么？
首先
MCU的输出电流是mA级别，而......
基本半导体推出支持米勒钳位的双通道隔离驱动芯片(2024-06-24)
基本半导体推出支持米勒钳位的双通道隔离驱动芯片;
【导读】相较于硅MOSFET和硅IGBT，碳化硅MOSFET具有更快的开关速度、导通电阻更低、开启电压更低的特点，越来......
电源设计必学电路之驱动篇(2024-04-22)
负压关断可以避免因米勒电容对门极电压的抬升作用而产生的误导通风险，还可以加快关断速度，减小关断损耗，从一定程度上提高耐压。IGBT的驱动电路一般采用专用的驱动芯片，如东芝的TLP系列，富士公司的EXB系列，英飞......
Transphorm发布业界首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的仿真模型(2023-05-31)
Transphorm发布业界首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的仿真模型;
【导读】高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋企业和全球供应商Transphorm......
总投资10亿 正齐半导体年产6万颗功率模块研发生产项目落地(2023-10-23)
车规级与航天级的模块生产线要求，每年将生产6万颗高端航天及车规级IGBT与碳化硅芯片、模块及器件等产品。该工厂将采用与合作厂商共同研制的驱动芯片，将最新一代高密度IGBT与碳化硅芯片和多功能、高集成驱动芯片，实现从功率芯片......
Transphorm发布业界首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的仿真模型(2023-05-31)
Transphorm发布业界首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的仿真模型;该器件已准备就绪：为Transphorm的创新常关型氮化镓平台应用于新一代汽车和三相电力系统
加州......
小米最新投资功率半导体厂商芯能半导体(2022-07-01)
%，目前是第三大股东。
芯能半导体专注于功率半导体的研发、生产及销售，是国内唯一一家掌握IGBT芯片、驱动芯片及大功率智能功率模块设计能力的企业。据智慧芽数据显示，芯能......
IGBT驱动芯片进入可编程时代，英飞凌新品X3有何玄机？(2023-08-21)
IGBT驱动芯片进入可编程时代，英飞凌新品X3有何玄机？;俗话说，好马配好鞍，好自然也要配备好的驱动IC。一颗好的驱动不仅要提供足够的驱动功率，最好还要有完善的保护功能，例如退饱和保护、两电......
Transphorm发布业界首款1200伏GaN－on－Sapphire器件的仿真模型(2023-05-31 10:30)
Transphorm发布业界首款1200伏GaN－on－Sapphire器件的仿真模型;该器件已准备就绪：为Transphorm的创新常关型氮化镓平台应用于新一代汽车和三相电力系统高可靠性、高性......
2023年慕尼黑华南电子展：EEPW&应能微电子（深圳）有限公司(2023-11-02)
电压范围，具有业界高水平的低RDS (ON) 和开关损耗。
据介绍，应能微正在开展1200伏 (SiC) MOSFET的研发，将在电动汽车 (EV) 、新能源发电 (PV和风能) 、工业电机驱动......
正确理解驱动电流与驱动速度(2022-01-27)
正确理解驱动电流与驱动速度;驱动芯片概述
功率器件如MOSFET、IGBT需要驱动电路的配合从而得以正常地工作。图1显示了一个驱动芯片驱动一个功率MOSFET的电路。当M1开通，M2关掉的时候，电源......
研判：比亚迪商用车全域600伏电压平台技术方案(2023-05-26)
注意的是，SEQ13A型电驱动桥电压设定在640伏，最高转速10000转/分。尽管没有标定640伏电压是额定还是峰值，不过这已经意味着比亚迪将要在商用车领域-准确地说是客车领域，引入600伏级......
变频器主回路中驱动电路和保护电路设计(2023-08-25)
速关断，需要采用负偏电压关断。同时为了提高可靠性，每个IGBT都单独供电。
下图是带负偏的双电源电路图：
可以采用合适的驱动芯片来搭建驱动电路，此外，为了获得足够的驱动能力和反向关断功能，还可以采用桥式驱动......
购入离子机攻第七代IGBT！原厂功率器件中国对手，杭州IDM老厂漂亮翻身(2021-03-15)
本土集成电路设计十大企业之一。
其实，在投建第一条8英寸线之前，士兰微最大的营收来自旗下的美卡乐的LED芯片，美卡乐LED驱动芯片在中国灯都佛山和中山都有很高的知名度。不过，LED芯片毛利率低，竞争......
1200 V 900 A 双 IGBT模块－－FF900R12IE4(2023-10-12 15:05)
1200 V 900 A 双 IGBT模块－－FF900R12IE4;
PrimePACK™ 2 1200 V、900 A 半桥双 IGBT 模块，采用 TRENCHSTOP™ IGBT4......
驱动电机控制器IGBT驱动电源设计与验证(2024-07-17)
为核心建立一个双闭环稳定的一阶系统，通过对输出电压反馈应用的控制，可以实现在输入直流电压波动的 情况下，通常波动范围在 9-16 V，对 IGBT 驱动芯片的供电进行控制及调节监控使得其在不同负载状态下，如空载、轻载和满载均能可靠输出驱动......
变频器中制动电阻是起什么作用呢？(2024-01-03)
入的IGBT的耐压值是1200伏，往往要求工作在800伏以内，考虑到电压如果升高，都会有个惯性问题，也就是你马上让制动电阻工作了，母线电压也不会很快降低下来，所以很多变频器，都是设计在700伏左......
高端智能功率模块（IPM）项目投产(2023-09-26)
资10亿元，占地43亩，总建筑面积73700平方米，达产后每年产值约16.5亿元。产品全部采用公司自研的比肩国际巨头最新一代高密度IGBT芯片和多功能、高集成驱动芯片。实现从功率芯片、驱动芯片......
电动压缩机设计-SiC模块篇(2024-09-25)
MOSEFT的短路耐受时间相对较短，某些产品低于2us。快速检测和快速关断对于 SiC MOSEFT的可靠运行和长寿命至关重要。带有去饱和功能（desat）的驱动芯片可以应对这种情况。通过设置desat保护......
电动压缩机设计-SiC模块,压缩机(2024-09-25)
检测和快速关断对于 SiC MOSEFT的可靠运行和长寿命至关重要。带有去饱和功能（desat）的驱动芯片可以应对这种情况。通过设置desat保护的响应时间低于1us，可以......
建设10条IGBT生产线！芯能半导体大功率模块封装测试项目落户安巢经开区(2023-05-30)
IGBT模块和60万只SIC MOS模块，年营收约15亿元。
资料显示，芯能半导体是一家聚焦IGBT芯片、高压栅极驱动芯片以及智能功率模块的研发、生产、应用和销售的国家高新技术企业和国家“专精......
国产汽车芯片重磅指南！规范对象包括这10类芯片(2023-04-04)
包括，绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、碳化硅和金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）等技术方向；
驱动芯片包括，通用要求、功率驱动芯片、显示驱动芯片等技术方向；
电源管理芯片包括，通用......
基本半导体推出单通道智能带短路保护的隔离驱动芯片(2023-09-29)
基本半导体推出单通道智能带短路保护的隔离驱动芯片;
【导读】BTD3011R是一款单通道智能带短路保护的隔离门极驱动芯片，采用磁隔离技术，集成了退饱和短路保护、软关断功能、原副......
米勒电容、米勒效应和器件与系统设计对策(2023-03-06)
电流越大，需要的负压越深。
2 使用带米勒钳位的驱动芯片。米勒钳位的原理是，在IGBT处于关断状态（Vg-VEE低于2V）时，直接用一个低阻通路（MOSFET）将IGBT的门极连接到地，当位......
IR推出坚固可靠的全新1200V超高速绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列(2013-06-14)
IR推出坚固可靠的全新1200V超高速绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列;IR推出坚固可靠的全新1200V超高速绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列，针对工业电机驱动及不间断电源 (UPS) 应用......
吉利科技旗下晶能微电子自研首款车规级 IGBT 产品成功流片(2023-03-16)
吉利科技旗下晶能微电子自研首款车规级 IGBT 产品成功流片;IT之家 3 月 16 日消息，科技旗下浙江晶能微电子近期宣布，其自主设计研发的首款车规级 产品成功流片。新款芯片......
产品Q4问世，中国集成电路行业第一家上市公司布局SiC市场(2022-04-08)
贝岭宣布拟以自有资金收购矽塔科技100%股权，交易总价为3.6亿元。据悉，矽塔科技是一家专注于电机驱动、电机控制芯片的模拟数字混合IC设计公司。上海贝岭表示，本次收购完成后，将增强上海贝岭电机驱动芯片研发实力，丰富......
充分利用IGBT的关键在于要知道何时、何地以及如何使用它们(2023-10-16)
须了解应用要求并选择正确的电路拓扑结构。
(onsemi)推出的1200 V 沟槽场截止 VII (FS7) IGBT，以出色的性能将导通损耗和开关损耗尽可能降低。
这款全新 1200 V 器件......
国产车规级芯片厂商名单及综合实力分析(2024-05-17)
为互联汽车提供专用分立器件、MOSFET器件和逻辑器件，产品完全符合AEC-Q100/Q101标准；华大半导体驱动芯片是控制器和功率器件之间的桥梁，面向工业和汽车应用，配合自主研发IGBT和SiC功率器件，提供完整的解决方案。09......
一辆汽车里到底有多少个芯片？(2023-08-04)
分点，可以分为控制芯片、计算芯片、传感芯片、通信芯片、存储芯片、安全芯片、功率芯片、驱动芯片、电源管理芯片九大类。
汽车芯片九大类
1. 控制芯片：MCU、SOC
2. 计算芯片：CPU、GPU
3......
实测案例：1200V GaN HEMT功率器件动态特性测试(2023-07-19)
源和电动汽车行业开拓新的应用市场。量芯微（GaNPower）是全球第一家推出1200V高压硅基氮化镓功率器件的厂家。这次测试的1200伏TO-252封装的氮化镓器件GPIHV15DK，在市......
实测案例：1200V GaN HEMT功率器件动态特性测试(2023-07-18)
源和电动汽车行业开拓新的应用市场。量芯微（GaNPower）是全球第一家推出1200V高压硅基氮化镓功率器件的厂家。这次测试的1200伏TO-252封装的氮化镓器件GPIHV15DK，在市......
英飞凌扩展1200 V 62 mm IGBT7产品组合，推出全新电流额定值模块(2023-08-04)
广泛适用于电动汽车充电桩、储能系统（ESS）和其他新型工业应用。 本文引用地址：
基于新型微沟槽技术，搭载 1200 V TRENCHSTOP 7 芯片的62mm 模块系列的静态损耗远远低于搭载 4 芯片组的模块。这些......
安森美全新SiC MOSFET模块方案实现高性能充电方案(2021-06-09)
1200 V M1完整 SiC MOSFET 2 pack模块，基于平面技术，适合18 V到20 V范围内的驱动电压，易于用负门极电压驱动。它的较大裸芯片与沟槽式MOSFET相比，降低了热阻，从而在相同的工作温度下降低了裸芯片......
英飞凌扩展1200 V 62 mm IGBT7 产品组合，推出全新电流额定值模块(2023-08-04)
TRENCHSTOP IGBT7 芯片的62mm 模块系列的静态损耗远远低于搭载 IGBT4 芯片组的模块。这些特性大大降低了应用中的损耗，在以中等开关频率工作的工业电机驱动中尤为显著。IGBT 的振......
车载显示市场高速增长，芯片厂商嗅到新商机，国产OLED“版图”补齐(2023-05-12)
面板业务研究分析师蒋与杨对《中国电子报》记者指出，显示驱动芯片在汽车领域主要应用于仪表盘、中控台、抬头显示、后视镜、行车记录仪显示。随着新能源汽车市场兴起和智能驾驶、智慧座舱升级换代，消费......
光伏逆变器系统设计从系统目标到解决方案，一次性讲透(2024-06-07)
要求更高
3 通道飞跨电容升压型 SiC 混合功率集成模块（PIM）
特性
● 1000 V 低 VCE(SAT)快速开关 IGBT 和 1200 V 碳化硅二极管
● 模块具有低热阻抗基板
● 提供......
东部高科将建设8英寸碳化硅半导体生产线(2022-06-22)
，同时也生产使用 80 ~ 90 纳米工艺的SoC。自新冠疫情爆发以来，该公司生产的温度和心率测量模拟芯片及 OLED 驱动芯片需求激增。
封面图片来源：拍信网......
电驱系统三大核心之IGBT模块如何工作(2024-06-18)
迪半导体矢志成为高效、智能、集成的新型半导体供应商。
主营产品：
电源管理芯片、功率MOSFET、LED驱动芯片、电量计、复位芯片、IGBT芯片及模组、智能功率模块及IGBT智能驱动模块、CMOS图像......
碳化硅器件发展方向与面临的三大难题(2023-03-22)
的高成本使得它难以在高端以外的电动汽车上实现这项技术的大规模采用。工业部门的高功率应用目标是3300伏，但出于同样的原因，仍不愿涉足碳化硅，仍依赖硅IGBT选项。根据Yole SystemPlus的分析，衬底制造和外延阶段的成本包括总芯片......
中国车规级芯片企业名单及综合实力比拼(2024-02-22)
、功率芯片、模拟芯片等。本期我们将给大家分享，在国产替代进程加速推进驱动下，国产车规级芯片行业版图。
01 功率类芯片新能源汽车是功率器件增量需求主要来源。其中，增量较大的主要是IGBT模块、SiC......
中国车规级芯片企业名单及综合实力比拼-icspec(2024-06-27)
和逻辑器件，产品完全符合AEC-Q100/Q101标准；
华大半导体驱动芯片是控制器和功率器件之间的桥梁，面向工业和汽车应用，配合自主研发IGBT和SiC功率器件，提供完整的解决方案。
09 安全芯片......
募资20亿元，比亚迪半导体创业板首发过会(2022-01-28)
半导体关键技术研发项目的研发内容包括：新一代高性能IGBT芯片及模块、SiC MOSFET芯片及模块、高压功率器件驱动芯片。
比亚迪半导体认为，功率半导体在新能源汽车领域的重要性逐步凸显，通过本项目的实施和建设，比亚......
OBC DC/DC SiC MOSFET驱动选型及供电设计要点(2022-12-06)
用特点，介绍了车载充电机和直流变换器DC/DC应用中的SiC 的典型使用场景，并针对SiC 的特性推荐了驱动芯片方案。最后，本文根据SiC MOSFET驱动对供电的特殊要求，对不......
中科赛飞获数千万天使轮融资，主攻车规级数模混合芯片(2023-10-20)
前国内玩家并不是很多，车规级驱动芯片及SBC芯片也是汽车芯片国产化的重要部分，并且功能安全等级要求较高，国产化需求迫切。
在SBC芯片方面，中科赛飞所研发的产品集成了DC-DC、LDO以及诊断等功能，可广......
新洁能拟增资8000万元控股国硅，加强功率IC／功率模块布局(2022-06-29)
，包括：栅极驱动控制IC芯片（含IGBT、硅基MOSFET及三代半导体等开关器件的栅极驱动芯片）、电机驱动IC芯片（含半桥、H桥、三相桥）；智能功率IC开关（SmartMOS）和功率驱动控制IC芯片......
英飞凌推出全新62 mm封装CoolSiC产品组合，助力实现更高效率和功率密度(2023-11-29)
英飞凌推出全新62 mm封装CoolSiC产品组合，助力实现更高效率和功率密度;【2023年11月29日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司近日宣布其CoolSiC 1200 V和2000 V......
储能逆变器带动哪电力电子器件？(2024-10-18 17:33:25)
的分类也包括这些方面，比如线性电源芯片、电压基准芯片、开关电源芯片、LCD驱动芯片、LED驱动芯片、电压检测芯片、电池充电管理芯片等。
4.PCB......
相关企业
;汕头市创芯电子;;汕头市创芯电子有限公司，专业销售电喷发动机控制单元系统;汽车级芯片IC.电子元器件,产品功能有，汽车ECU控制单元喷油驱动芯片.IGBT点火控制.节气门控制处理.电机驱动控制芯片
;深圳元器件厂家双宜科技陈文婉;;LED功能芯片，电源管理芯，LED驱动芯片，红外线管理芯片，节能灯驱动芯片，触摸芯片，适配器芯片,QX5243,QX5305,QX5241,QX9920
;深圳冠辰科技公司;;主要销售 矽恩微电子驱动芯片 亚成微电子驱动芯片 思美思MOS管
;东顺科技香港有限公司;;我公司代理飞利浦 NXP 纽腾高频头，CU1216LS/AGIGH-3,绿达光电节能灯驱动芯片，LED驱动芯片，供货及时，服务周到，信誉第一，顾客至上。欢迎惠顾！
影音，手机等生产厂家提供数码前沿系列IC。 LED日光灯驱动芯片|LED射灯，球泡灯驱动芯片|LED洗墙灯驱动芯片|LED护栏管驱动IC| LED路灯驱动IC |LED升压驱动IC|LED恒流驱动芯片
一系列Class D音频功率放大器，电源管理芯片，低压差线性调整器， 开关型升压IC， 开关型降压IC， LED驱动芯片，运放， 耳机驱动芯片,通过不断创新的设计，为客户提供最专业的服务。
;北京普尔盛技术有限公司;;北京普尔盛电子技术有限公司始创于2001年，是集贸易及研发制造于一体的专业电力电子器件供应商。2003年成立驱动事业部专注于IGBT驱动芯片的开发设计，于技
;上海晶丰明源半导体有限公司;;上海晶丰明源半导体有限公司（Bright Power Semiconductor ） 是一家从事LED驱动芯片设计和销售的公司，为从事节能环保的LED绿色
;深圳芯动科技;;LEd等电源管理驱动芯片
;深圳明和科技;;深圳明和科技是一家从事LED驱动芯片的研发 应用方案推广和销售。公司主营：升压恒流LED驱动；降压恒流LED驱动；升降压LED驱动；电源管理芯片（电压检测芯片 LDO稳压芯片