【导读】高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋企业和全球供应商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布推出其1200伏功率管仿真模型及初始规格书。TP120H070WS功率管是迄今为止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半导体，领先同类产品。这款产品的发布展现Transphorm有能力支持未来的汽车电力系统，以及已普遍用于工业、数据通信和可再生能源市场的三相电力系统。

该器件已准备就绪：为Transphorm的创新常关型氮化镓平台应用于新一代汽车和三相电力系统

高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋企业和全球供应商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布推出其1200伏功率管仿真模型及初始规格书。TP120H070WS功率管是迄今为止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半导体，领先同类产品。这款产品的发布展现Transphorm有能力支持未来的汽车电力系统，以及已普遍用于工业、数据通信和可再生能源市场的三相电力系统。与替代技术相比，这些应用可受益于1200伏氮化镓器件更高的功率密度及更优异的可靠性、同等或更优越的性能，以及更为合理的成本。Transphorm近期已验证了氮化镓器件在100kHz开关频率的5kW 900伏降压转换器中更高的性能。1200伏氮化镓器件实现了98.7%的效率，超过了具有类似额定值的量产SiC MOSFET。

创新的1200伏技术也展现了Transphorm在氮化镓功率转换方面的领先地位。垂直整合模式、自有外延片生产能力、以及专利工艺技术，再加上数十年的工程专业知识，使该公司能够将性能最优异的氮化镓器件组合推向市场，并且还在以下四个方面具有重大差异化优势：可制造性、易驱动性、易设计和可靠性。

在5月9日至11日的PCIM 2023展会上, Transphorm 也发表了关于1200伏器件的信息。

初步器件规格及如何获取样品

Transphorm的1200伏技术以经过验证的工艺和成熟的技术为基础，满足了客户在可靠性方面的要求。GaN-on-Sapphire工艺目前在LED市场上已批量生产。此外，1200伏技术充分利用了Transphorm当前器件组合中使用的性能优越、常关型的氮化镓平台。

TP120H070WS器件主要规格包括：

• 内部阻值70毫欧

• 常关型

• 高效双向导通

• 最大值±20V栅极电压

• 4伏的栅极驱动低扰度

• 零QRR 反向恢复电荷

• 3引脚TO-247封装

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我们建议将Verilog-A器件型号与SIMetrix Pro v8.5电路模拟器结合使用。LTSpice型号正在开发中，将于2023年第四季度发布。仿真建模有助于实现快速高效的电力系统设计验证，同时还可减少设计迭代、开发时间和硬件投资。

器件模型文件和规格书可在此处下载：。

1200伏功率管样品预计会于2024年第一季度推出。

Transphorm氮化镓功率器件在汽车动力系统和充电生态系统中的应用

1200伏氮化镓器件不但是各种市场应用的理想解决方案，而且也可为汽车系统提供独特的优势。

电动汽车行业，尤其是在大型汽车的更高千瓦节点，将在这十年的后半期朝着800伏电池的方向发展。因此，1200伏电源转换开关将会被用于提供所需的性能水平。因此，Transphorm的1200伏平台在新一代车载充电器、DC-DC转换器、驱动逆变器和充电桩系统领域定会大显身手。

对于当前使用400伏电池的电动汽车，Transphorm可提供650伏常关型SuperGaN®功率管解决方案。这些功率器件符合AEC-Q101标准，可承受175°C的高温，并已批量生产。

Transphorm首席技术官兼联合创始人Umesh Mishra表示： “我们是领先的功率半导体公司，展示并兑现了GaN的承诺。Transphorm的专业知识为市场带来性能卓越的氮化镓器件，这些器件时时刻刻在功率密度、性能和系统成本方面树立新的标准。我们的1200伏技术证明了Transphorm工程团队的创新愿景和决心。我们正在证明，氮化镓可以轻松地在此前指定用碳化硅的应用市场中发挥作用。对于我们的业务和氮化镓技术而言，开启了广泛的市场应用潜力。”

关于Transphorm

Transphorm, Inc.是氮化镓革命的全球领导者，致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性的氮化镓半导体功率器件。Transphorm拥有最庞大的功率氮化镓知识产权组合之一，持有或取得授权的专利超过1,000多项，在业界率先生产经JEDEC和AEC-Q101认证的高压氮化镓半导体器件。得益于垂直整合的业务模式，公司能够在产品和技术开发的每一个阶段进行创新：设计、制造、器件和应用支持。Transphorm的创新使电力电子设备突破硅的局限性，以使效率超过99%、将功率密度提高40%以及将系统成本降低20%。Transphorm的总部位于加州戈利塔，并在戈利塔和日本会津设有制造工厂。

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