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IR推出坚固可靠的全新1200V超高速绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列

发布时间:2013-06-14  
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IR推出坚固可靠的全新1200V超高速绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列，针对工业电机驱动及不间断电源 (UPS) 应用进行了优化。

全新器件采用IR的场截止沟道超薄晶圆技术，可减少传导和开关损耗。该器件具有10us最小短路时间额定值，与具有低反向恢复电荷 (Qrr) 的软恢复二极管共同封装，为坚固的工业应用做出了有效优化。

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“全新1200V沟道IGBT具有极低的Vce(on) 和低开关损耗，并带来更高的系统效率及稳固的瞬态效能，从而提高可靠性，使其非常适合恶劣的工业环境。”

这些经过封装的器件适用于从10A到50A的宽泛的电流范围。其他主要性能优势包括高达150°C 的Tjmax、有助于并联的正VCE(on) 温度系数，以及能够降低功耗和提升功率密度的低VCE(on)。新器件还可提供裸片形式。

规格

采用封装形式

器件编号

封装

VCES

IC (标称)

Vceon

Tsc (最小)

IRG7PH30K10D

TO-247AC

1200 V

10 A

2.0 V

10us

IRG7PH30K10D-E

TO247AD 长引线

1200 V

10 A

2.0 V

10us

IRG7PH37K10D

TO-247AC

1200 V

15 A

1.9 V

10us

IRG7PH37K10D-E

TO247AD长引线

1200 V

15 A

1.9 V

10us

IRG7PH44K10D

TO-247AC

1200 V

25 A

1.9 V

10us

IRG7PH44K10D-E

TO247AD长引线

1200 V

25 A

1.9 V

10us

IRG7PH50K10D

TO-247AC

1200 V

40 A

1.9 V

10us

IRG7PH50KD-E

TO247AD长引线

1200 V

40 A

1.9 V

10us

IRG7PSH54K10D

Super TO-247

1200 V

50 A

1.9 V

10us


采用裸片形式

器件编号

VCES

IC (标称)

Vceon

Tsc (最小)

IRG7CH30K10B

1200 V

9 A

2.0 V

10us

IRG7CH37K10B

1200 V

15 A

1.9 V

10us

IRG7CH44K10B

1200 V

25 A

1.9 V

10us

IRG7CH50K10B

1200 V

35 A

1.9 V

10us

IRG7CH54K10B0-R

1200 V

50 A

1.9 V

10us

IRG7CH73K10B-R

1200 V

75 A

1.9 V

10us

IRG7CH75K10B-R

1200 V

100 A

1.9 V

10us

IRG7CH81K10B-R

1200 V

150 A

1.9 V

10us

相关产品现正接受批量订单。新器件符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS)。

文章来源于:ECCN    原文链接
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