资讯
变频驱动和工频驱动的区别(2022-12-05)
尖峰电压吸收器是一种新型的电机保护装置，如图7所示（航天科工集团的SVA型号）。并联连接电机的电源输入端。
图7 示意图
SVA尖峰电压吸收器的原理框图如图8所示，它的工作过程如下：
尖峰电压检测电路实时检测电机电源线上的电压......
变频器驱动与工频驱动的区别 变频器对电机的损伤有哪些(2023-07-21)
器的温度，当温度过高时，适当关闭尖峰能量吸收控制阀门，减小能量的吸收（在保证电机受到保护的前提下），避免尖峰电压吸收器过热而损坏；
轴承电流吸收电路的作用是将轴承电流吸收掉，保护电机轴承。
尖峰吸收......
变频器驱动与工频驱动的区别 变频器对电机的损伤有何影响(2023-10-30)
器还能保护电机的轴承。
尖峰电压吸收器是一种新型的电机保护装置，如图7所示（航天科工集团的SVA型号）。并联连接电机的电源输入端。
SVA尖峰电压吸收器的原理框图如图8所示，它的工作过程如下：
1）尖峰电压检测电路实时检测电机电源线上的电压......
变频器损伤电机的秘密，你知道几个？(2023-08-22)
器还能保护电机的轴承。
尖峰电压吸收器是一种新型的电机保护装置，如图7所示（航天科工集团的SVA型号）。并联连接电机的电源输入端。
SVA尖峰电压吸收器的原理框图如图8所示，它的工作过程如下：
1)尖峰电压检测电路实时检测电机电源线上的电压......
变频器对电机的损伤问题如何预防？(2024-01-31)
了）。
4) 在电缆与电机接口的位置安装尖峰电压吸收器：前面几个措施的缺点是当电机的功率较大时，电抗器或滤波器的体积、重量很大，价格较高，另外，电抗器和滤波器都会导致一定的电压降，影响......
有源钳位技术解析(2022-12-15)
耐压1200V，因此在延缓IGBT关断的同时可以起到很好的保护作用。
实际电路中有可能会碰到TVS动作保护电压远高于TVS钳位电压的情况，但是由于尖峰电压通常为ns级，通过......
详解RCD钳位电路(2024-02-29)
压器漏感Lk的能量无法耦合至副边，只能通过寄生电容释放能量，引起的尖峰电压，可以通过电阻R1吸收回路吸收能量。
1、工作原理
为了简化，其他的元器件已去掉，工作过程：Vin是整流之后的直流脉动电压，当开......
碳化硅MOSFET尖峰的抑制(2023-01-13)
，为了RC 缓冲电路充分吸收电压尖峰，RSNB 和CSNB 的谐振频率ωSNB 必须比电压尖峰的谐振频率ωSURGE 低很多，需要结合算式(5)所示的RC 缓冲电路的谐振频率ωSNB 来确认。
（5......
超详细|开关电源电路图及原理讲解(2024-03-11)
。C4和R6为尖峰电压吸收回路。
4、推挽式功率变换电路：
Q1和Q2将轮流导通。
5、有驱动变压器的功率变换电路：
T2为驱动变压器，T1为开关变压器，TR1为电流环。
硬件......
示波器探头在半导体器件动态测量的应用(2023-01-11)
的性能，获取IGBT在开关过程的主要参数,以评估Rgon及Rgoff的数值是否合适，评估是否需要配吸收电路等，最终考量IGBT在变换器中工作时的实际表现。例如二极管的反向恢复电流是否合适，关断时的电压尖峰......
变频器主电路设计和计算(2023-08-25)
自己的需求择优选取。
②根据体积、结构是否易于并联、维护成本及结构设计的压力等要求决定采用那一种封装形式。
③计算所选IGBT的电流等级、电压等级，该步骤同时也影响了吸收电路的形式选择及结构设计的特点。
关于......
光伏微逆变器应用中的拓扑及工作原理分析(2023-02-14)
)可以加在变压器的原边抑制MOSFET尖峰电压，但是其具有副作用就是，将这个能量只能耗散为热损失。
光伏微逆变器引入了一个有源箝位电路，它本质上是无损吸收电路，漏感尖峰被箝位电容箝位，这些......
PLC控制系统接线和变频器干扰抑制(2023-03-27)
是针对来自电源的传导干扰，可以将绝大部分的传导干扰阻隔在隔离变压器之前。使用滤波器，滤波器具有较强的抗干扰能力，还具有防止将设备本身的干扰传导给电源，有些还兼有尖峰电压吸收功能。
使用输出电抗器，在变......
PLC系统电源安装&布线的技巧分享(2024-01-18)
离变压器，主要是针对来自电源的传导干扰，可以将绝大部分的传导干扰阻隔在隔离变压器之前。使用滤波器，滤波器具有较强的抗干扰能力，还具有防止将设备本身的干扰传导给电源，有些还兼有尖峰电压吸收功能。
使用......
产生尖峰电流的主要原因(2023-09-12)
些机电设备（如电动机、压缩机、泵等）的启动过程中，需要额外消耗电能，产生启动电流，往往比常规工作时的电流大数倍，导致短时间内电路中产生尖峰电流。
2. 过电压：在电路开关突然断开或合上时，电感元件、电容元件内部会产生过电压......
变频器电路的EMC方案设计(2023-08-28)
杂症解惑，问题解决，可以为您提供一站式的检测、整改、认证，服务。
1、主回路吸收电路与di/dt & dIGBTv/dt抑制电路
整流电路在输入侧要接抗雷击过电压或操作过电压吸收电路，这种吸收电路......
充电电阻和储能电容引发的变频器故障解析(2024-03-07)
在此时出现!逆变模块中的IGBT管和电路中的尖峰电压吸收二极管，它们的耐压值在正常时有一定的甚至是较大的富裕量，但在此时高于耐压值数倍的高电压冲击下，并无招架之功，也显得非常脆弱，过电压......
变频器中的器件选取(2023-08-25)
烯电容采用塑壳封装，容量一般从0.1uF～10uF，耐压为1600V，既有较好的高频特性，主要用于直流母线电压尖峰的吸收。容量的选取和变频器容量有关。
③贴片电容
贴片电容是变频器控制电路中使用最多的电容，具有......
变频器的辅助电源设计(2023-08-25)
，注意吸收电容的耐压值要高，这里取R=100Ω，瓷片电容C=470pF，耐压1kV。
开关电源原边电路参数的计算
原边电路图如下：
①驱动电阻Rdrv的选取
这里Vcc>15V，当开关管Q的G极电压......
如何判断变频器滤波电解电容是否损坏？(2024-03-06)
上升，从而造成损坏功率模块或过电压吸收器件损坏。在不得已的情况下，另将高频高压的浪涌吸收电容器用短线加装到逆变模块上，帮助吸收母线的过电压，弥补因电容器连接母线延长带来的危害。
......
电动压缩机设计-ASPM模块篇(2024-04-18)
.采样电阻距离Nu，Nv，Nw引脚应该尽量的短，减少走线带来的寄生电感；
3.Csc保护RC的走线应该尽量的短，且滤波电容的地最好接到控制地而非功率地；
4.PN两端的吸收电容放在距离模块越近，对IGBT......
双通道隔离驱动在OBC上的典型应用(2023-05-26)
在寄生电容中产生大的位移电流Cdv/dt，形成电流尖峰；在MOS关断过程中，通道内产生电流瞬变di/dt， 瞬变电流在寄生电感端产生尖峰电压U=Ldi/dt。
因此，根据公式u=Ldi/dt，在削减尖峰......
Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块，降低导通和开关损耗(2024-02-29)
外壳的热阻极低。器件通过UL E78996认证，可直接安装散热片，EMI小，减少了对吸收电路的要求。
器件规格表：
新型IGBT功率模块现可提供样品并已实现量产，供货周期为15周。
......
车规模块系列（七）：赛米控SKiN技术(2023-10-10)
基本都是绑定线这种形式，当然也有带状绑定线的形式。而这类模块的回路杂散电感一般从9nH到20nH以上，其实对于SiC等高速开关器件来说是存在一定限制的。
因为在硬开关操作过程中，回路杂散电感的存在将会产生一个尖峰电压......
车载电源系统开关电源的设计方案详解(2023-06-08)
工作，开关管截止。短路现象消失后，电源重新启动，自动恢复正常工作。
但由于在高频关断的时候会出现很高的尖峰电压，即使占空比很小的情况下，电路中7脚的输入电压也可能不会降到足够低，过载保护电路......
Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块，降低导通和(2024-02-29)
接安装散热片，EMI小，减少了对吸收电路的要求。
器件规格表：
产品编号
VCES
IC
VCE(ON)
Eoff
速度
封装
@ IC和 +125 °C
VS-GT100TS065S
650 V
100......
Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块，降低导通和开关损耗(2024-03-01)
。
模块符合RoHS标准，集电极至发射极电压为650V，集电极连续电流为100A至200A，结到外壳的热阻极低。器件通过UL E78996认证，可直接安装散热片，EMI小，减少了对吸收电路......
MOS管防护电路解析实测(2023-12-20)
，同样有可能因为器件开关瞬间电流的突变而产生漏极尖峰电压，进而损坏MOS管，功率管开关速度越快，产生的过电压也就越高。为了防止器件损坏，通常采用齐纳二极管钳位(图中D901)和RC缓冲电路......
简单电路轻松解决带电插拔过程的USB电流过冲问题(2023-02-06)
笔、小型硬盘、调制解调器、MP3读取器、存储器卡等。服务器板提供12V主电源供电，有些应用中包含一个buck转换器，将该电压降至3.3V，用于逻辑电路供电。还需要一个升压电路，把3.3V电压......
TDK推出EIA 2220尺寸的紧凑型CeraLink电容器(2022-03-18)
下提供最大容量，甚至会随着纹波电压比例的增加而增加。关于此类反铁电电容器的特殊性能，请参见相关技术指南。
特性和应用
主要应用
● 快速开断功率半导体的吸收电......
还在为用氮化镓设计高压电源犯难？试试这两个器件(2023-03-29)
在 10 至 11 纳秒 (ns) 范围内）需要精心布局，以尽量减少寄生电感，并使用 RC 吸收电路来抑制电压和电流瞬变引起的瞬时振荡。在设计中，高压电源和地之间要设置多个 RC 吸收电路（R17 至......
Vishay推出采用改良设计的INT－A－PAK封装IGBT功率模块，降低导通和开关损耗(2024-02-29 15:02)
小，减少了对吸收电路的要求。器件规格表：
产品编号
VCES
IC
VCE(ON)
Eoff
速度
封装
@ IC和......
I-NPC三电平电路的双脉冲及短路测试方法(2024-01-26)
的设计需要格外优化尽可能减小长换流回路的杂散电感以增加功率模组的电流输出能力。图15所示为FF1800R12IE5在I-NPC电路里的双脉冲实测波形，在室温及额定电流条件下，为了降低长换流回路IGBT的关断电压尖峰，使用......
升压转换器中的输出电压和二极管电流(2024-03-29)
极管电流（绿色轨迹）。
尖峰电流被报告为负，在这个模拟的上下文中表明它是反向（即阴极到阳极）二极管电流。这种电流与被称为反向恢复的现象相关，这种现象发生在二极管的正向偏置电压快速转变为反向偏置电压......
森国科推出行业领先的散热风扇驱动芯片G1287A(2024-03-11)
保护
输入欠压保护，内置过冲吸收电路，无需外接齐纳管。
PWM振荡器输出频率
输出PWM频率......
Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块，降低导通和开关损耗(2024-03-01)
。
模块符合RoHS标准，集电极至发射极电压为650 V，集电极连续电流为100 A至200 A，结到外壳的热阻极低。器件通过UL E78996认证，可直接安装散热片，EMI小，减少了对吸收电路......
工业和汽车浪涌保护电路的原理和设计(2024-04-22)
描述在发电机充电时突然断开电池连接的时间。对于12V系统，如果不考虑负载突降，可能会导致高达120V的尖峰电压，并且足以破坏设备。
为了抵消这种负载突降的情况，经常使用电涌保护电路，如TVS和压敏电阻。
在汽......
如何消除直流电机的噪音？(2024-03-20)
中，以保证电路的平衡，构成LC低通滤波器，抑制碳刷产生的传导噪声。电容主要抑制由碳刷随机断开产生的尖峰电压，同时电容有较好的滤波功能，电容的安装一般与地线相连。电感......
PN8275+PN8308H六级能效12V3A适配器方案(2024-04-02)
特性，彻底避免直通损坏并降低SR开关尖峰电压。
如何实现低待机功耗：PN8275内置850V 高压启动及放电模块，265Vac轻松实现50mW待机功耗！如何提高转换效率：PN8308H内置80V......
如何测量功率回路中的杂散电感(2024-03-19)
IGBT CE之间出现一个电压尖峰。因为有模块内部寄生电感的存在，IGBT芯片实际承受的电压大于在模块主端子上测得的电压，因此部分模块在定义RBSOA曲线时，会分别给出芯片级和模块级的曲线，模块......
基于C8051F340单片机实现低频超声波促透皮系统的应用方案(2024-01-12)
采用芯片IR2112来实现。IR2112是IR公司生产的大功率MOSFET、和IGBT专用集成驱动电路。该芯片具有两个独立的高低端通道，其中高端通道可采用自举电路，最高可承受500 V电压......
自动执行宽禁带SiC/GaN器件的双脉冲测试(2023-09-05)
电流、高速硬开关过程中，常常会出现电压尖峰。
● 峰值电流：WBG 晶体管的快速开关操作会产生尖峰电流，给器件施加压力，并可能缩短器件的使用寿命。
● 反向恢复电荷：对反向恢复电荷行为进行量化，以了......
自动执行宽禁带 SiC/GaN 器件的双脉冲测试(2023-09-05)
信号时的纳秒误差可能会导致结果不准确。
• 峰值电压：在大电流、高速硬开关过程中，常常会出现电压尖峰。
• 峰值电流：WBG 晶体管的快速开关操作会产生尖峰电流，给器件施加压力，并可能缩短器件的使用寿命。
• 反向......
豪威集团发布业内最低内阻双N沟道MOSFET(2022-06-30)
现更高效率、更优EMI性能。适用于同步整流应用，优化了反向恢复电荷从而实现更低的尖峰电压，提供最高水平的功率密度和能效，继而为电源提供更高的效率和更强的可靠性。
WNM6008适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路......
新能源电动汽车中的驱动电机高电压耐久性分析(2023-05-11)
线耐高频冲击试验仪的波形参数
图5 耐高频冲击电压波形
U：电压；t：时间；Up：峰值电压；Ub：尖峰电压；Ua：稳态冲击电压；Upk-pk：峰峰电压。
4.2 绝缘结构
在逆变器供电系统中，逆变器驱动产生的复杂电压......
800V平台下新能源汽车的绝缘设计技术探讨(2024-04-03)
缘是在生命周期不产生局部放电，按理是不需要特别考察耐电晕的，那为什么400V不需要考察耐电晕，800V还要特别强调耐电晕？
解答这个问题前，要谈谈逆变器输出波形。可以看到逆变器输出的尖峰电压其实并不一致，也就是在于尖峰......
能实现更高的电流密度和系统可靠性的IGBT模块(2023-10-20)
关断的过程中，IGBT 的电流下降产生较大的 di/dt, 由于回路中存在杂散电感，在IGBT 的上叠加反向电动势，delta V=L*di/dt。 产生较大的电压尖峰，由于......
自动执行宽禁带 SiC／GaN 器件的双脉冲测试(2023-09-06 10:16)
信号时的纳秒误差可能会导致结果不准确。• 峰值电压：在大电流、高速硬开关过程中，常常会出现电压尖峰。• 峰值电流：WBG 晶体管的快速开关操作会产生尖峰电流，给器件施加压力，并可能缩短器件的使用寿命。• 反向恢复电荷：对反......
自动执行宽禁带 SiC/GaN 器件的双脉冲测试(2023-09-06)
信号时的纳秒误差可能会导致结果不准确。
峰值电压：在大电流、高速硬开关过程中，常常会出现电压尖峰。
峰值电流：WBG 晶体管的快速开关操作会产生尖峰电流，给器件施加压力，并可能缩短器件的使用寿命。
反向恢复电荷：对反......
提供米勒箝位的单电源/双电源高电压隔离IGBT栅极驱动器——ADUM4135(2023-10-11 14:25)
的iCoupler®技术在输入信号与输出栅极驱动器之间实现隔离。
ADuM4135提供米勒箝位，可在栅极电压低于2 V（典型值）时实现稳健的IGBT单轨电源关断。使用或不使用米勒箝位电路，都可......
相关企业
;杭州尖峰电子有限公司;;
;深圳市速成科技有限公司株洲办事处;;深圳市速成科技有限公司 经销批发的IGBT模块、IGBT驱动、电解电容、薄膜电容、吸收电容畅销消费者市场，在消费者当中享有较高的地位，公司
内提供同步发电机微机励磁调节装置、同步发电机励磁整流装置、同步发电机灭磁及过压保护装置、微机消弧消谐选线及过电压保护装置、高压大容量限流熔断组合保护装置、合成绝缘三相组合式过电压保护器、电流互感器二次过电压保护器、可控硅换相尖峰吸收
内提供微机消弧及过压保护装置、高压大容量限流熔断组合保护装置、合成绝缘三相组合式过电压保护器、电流互感器二次过电压保护器、浪涌保护器、特种过压吸收保护器、可控硅换相尖峰吸收器、直流磁场断路器（灭磁开关）及同
;深圳市尖峰电子科技有限公司;;专营 NXP、ON、Allegro、MPS、On-Bright；
;北京东捷恒信科技有限公司;;北京东捷恒信科技有限公司位于中国北京中发电子新市场B1511，北京东捷恒信科技有限公司是一家IGBT吸收电容、滤波电容、电源滤波器、松下CBB电容、EPCOS电容、温控
;北京方杰科技有限公司;;北京方杰科技有限公司秉承“质量第一，信誉第一；服务于客户，让利于客户”的宗旨.专业经销西门康、优派克（英飞凌）、富士、三菱IGBT、IPM、PIM、整流桥、可控硅,无感吸收电
桥（bridge）、高反压（h.v.）以及瞬间突波电压吸收（tvs）、稳压（zener）等各种系列、多种封装形式的二极管.
BHC公司高压大容量电解电容；美国CDE公司无感吸收电容。
三菱（mitsubishi）公司：IGBT，驱动电路。 东芝（TOSHIBA）公司：系列光耦。 EACO公司：无感电容，无感吸收电容，IGBT突波吸收保护电容,金属化薄膜电容器。 我们