一、什么是缓冲器?
缓冲器 是一种 对电压尖峰、振铃和振荡效应的电路保护形式 。缓冲器通过 钳位电压尖峰但不改变振铃频率。
缓冲电路设计通常都比较复杂,设计一个好的缓冲电路需要对电路有很深入的了解,这篇文章就来详细介绍一下 缓冲电路、缓冲电路设计、缓冲电路功耗计算 。
二、缓冲器电路设计的一般分类
1、有损或者散耗缓冲电路
有损缓冲电路 是一种 消耗功率的电路 ,对于电源效率要求比较高的话,这就一个很大的缺点,但是容易设计。耗散缓冲器使用 电阻 ,有时候也使 用二极管作为耗散元件 。
有损缓冲电路
2、无损或者非耗散缓冲电路
无损缓冲电路 是一种理想状态下 不会消散功率的电路 ,一般都来说比较复杂,价格也比较高,但是对于高效应用的话,这是首选。非耗散缓冲器使用 电感和电容 。
3、有损和无损缓冲器功率损耗比较
有损缓冲器 损耗 取决于缓冲器设备的选择 , 器件选择取决于要抑制的尖峰电压和振铃频率 。对于大多数应用,耗散缓冲器损耗被最小化也能够接受,通过会用来快速设计。
无损缓冲器 在理想状态下是无损的或者不会消耗功率,但实际上没有理想的电路,所以 也会有小的损失 。
三、缓冲电路设计
缓冲器电路设计通常集中在2种常用配置中。
1、RC缓冲电路设计
从名字本身来理解,就是用 电阻和电容组成的缓冲电路 ,下面是开关MOSFET常用的缓冲器。
RC缓冲电路设计
下面为有部分采用RC缓冲电路设计的电路
1) 升压转换器拓扑
升压转换器拓扑
2) 降压转换器
降压转换器
3) DC-DC同步整流器
DC-DC同步整流器
2、RCD缓冲电路设计
也有人把这个称为RCD钳位,被叫做RCD钳位是因为RCD缓冲器会钳制电压尖峰,但不会改变尖峰或者振铃频率。
RCD缓冲器 由 电阻 、 电容 和 二极管 组成。
RCD缓冲器
下面为使用RCD缓冲器设计的电路
1) 反激式转换器
反激式转换器
2) 正向转换器
正向转换器
3、RC缓冲器工作原理
RC缓冲器 通常用于 开关转换器 ,这样可以将设备上的电压尖峰限制在安全水平。
RC缓冲器
RC 缓冲器通过修改振铃频率以及降低电压尖峰电平来工作。 电容用作电荷储存,电阻提供放电路径。
例如下面这个电路RC 缓冲器 R1 和 C1 保护 MOSFET Q1 不受漏极电压尖峰的影响。当 MOSFET 关闭时,缓冲电容将通过 R1 充电。
当 MOSFET 导通时,电容将通过 R1 放电到 MOSFET 和电路地。该循环将随着电容为空而重复。电阻是耗散功率的电阻,在单个开关周期中,有两次电流流向电阻。下图将电流称为 充电和放电电流。
充电和放电电流。
实际上, RC缓冲器能够修改振铃频率,有助于解决EMI相关问题 。在之前的设计中,在开关MOSFET和二极管上使用RC缓冲器解决了EMI的几个问题。
四、开关MOSFET中为什么会产生振铃和电压尖峰?
振铃和电压尖峰是由漏感和MOSFET输出电容的相互作用引起的 。漏感会产生电压尖峰,漏感将存储能量,但是该能量不会传输到负载所需要的系统。
下图为 中心抽头全桥整流中常见的同步整流器 ,这种电路结构在SMPS的DC-DC部分非常常见。
如下图,所需电感中的能量将转移到负载(输出侧),但是泄露能量没有地方可以去。
同步整流器
上图中的Q1和Q2不会同时工作。当 Q1 为 ON 时,Q2 为 OFF,反之亦然。可以通过仅采用如下所示的 单个 MOSFET 来简化电路。
单个 MOSFET 来简化电路
VDD 电平理想情况下是输出电平加上尖峰电平的两倍。
五、缓冲电路计算
1、RC缓冲电路中的功率损耗
RC缓冲器中功率耗损主要是电阻 。必须根据功率耗损和缓冲器有效地选择合适的电阻尺寸。电阻过高会降低功率损耗,就有可能无法提供有效的缓冲器。
如果较低的电阻可能提供有效的缓冲器,由于RC缓冲器较高的功率损耗,系统的效率会受到影响。
2、如何计算RC缓冲器电阻的功率损耗
在下面的电路中, Rsn 和 Csn 组成了 RC 缓冲器网络。 当Q1导通时,缓冲电容上的电荷会通过Rsn放电。到 Q1 关断时,电容 Csn 将通过 Rsn 充电。因此,在单个开关周期内,电流将两次通过电阻。
RC缓冲器电流放电充电
用于分析的重要波形, 电阻上的总RMS功耗取决于VRMS1 和 VRMS2。 实际上,RMS1 波形位于负 y 轴上,因为它发生在电容放电时。由于要获得RMS值,就需要在正Y轴绘制波形。
波形图
-
V RMS1 – 电容放电时电阻电压波形的有效值
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V RMS2 – 电容充电时电阻电压波形的有效值
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V DRAIN – Q1 的漏极电压
-
VC SN – 缓冲电容电压
-
VR SN – 缓冲电阻电压
-
PWM – Q1 栅极上的脉冲宽度调制信号,用于将其打开和关闭
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T——一个开关周期
-
Ton——Q1 开启或 PWM 为高电平的时间
-
5RC——简单的 5 个 tau 或 5 个时间常数
-
t1 – Q1 关断后电阻上的电压变为零的时间
在下面的推导中,曲线下的面积就认为是三角形为了方便积分,这样的话,计算的结果应该会比实际测试结果要高一点。下面为推导过程:
1)t1
当 Q1 关闭时,缓冲电容将充电并且其电压将呈指数上升,而缓冲电阻最初会看到非常高的电压但呈指数衰减 ,因此:
t1
-
VDS – Q1 漏极电压的稳态(无尖峰)
-
VDS MAX – 是峰值漏极电压(带尖峰)
2)VRMS1 _
V RMS1存在于从时间零到电容器的完全放电状态,这发生在 5 个时间常数 。
VRMS1 _
VRMS1 _
VR SN_DIS – 放电期间电阻电压的峰值电平,相当于没有尖峰的漏极电压电平。
3)VRMS2 _
V RMS2从 Q1 关闭到 t1 一直存在 。
VRMS2 _
VRMS2 _
VR SN_CHA – 充电期间电阻电压的峰值电平(带电压尖峰)
4)缓冲电阻的总 RMS 电压
缓冲电阻的总 RMS 电压
5)缓冲电阻功耗
缓冲电阻功耗
3、RC缓冲电路功率损耗示例
下面这个示例的特点是 中心抽头变压器在每个变压器支路上都有一个同步整流器 。Q1和Q2互补。(理想情况下占空比为50%,不考虑死区时间)
当 Q1 关闭时,由于 L1 和 L2 的匝数相同,漏极电压最初会出现高电压尖峰,然后稳定到 Vout 电平的两倍,在此期间 C1 将充电。
当Q1导通时,将为C1中的电荷通过R1放电提供接地路径。此时,R1 上的电压峰值正好是 Vout 的两倍加上 Q2 上的压降。
中心抽头变压器在每个变压器支路上都有一个同步整流器。
-
输出电压 = 24V
-
CSN = 1nF
-
RSN = 51Ω
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Fsw = 110kHz(开关频率)
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VDS MAX = 80V(测得的电压尖峰)
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V SR_DROP = 0.2V(Q1 或 Q2 导通时的估计压降)
计算过程:
4、RC缓冲电路计算功率损耗的便捷方法
上面的解决方案很复杂,需要很高的技术知识,有一个 可以使用的直接解决方案 。如果在设计上有很大余量,也是够的,因为会产生更高的功耗。如果你想要更接近实际的结果,就需要使用之前的分析。
在这种方法中,电阻中的能量等于充电和放电状态下的电容。 我更觉得是放电状态,因为很明显电容中的能量比电阻中的能量没有地方可以去,这里没有考虑MOSFETD对状态电阻的小阻尼效应。
在电容处于充电状态时,我不太同意。用这个方法,就假设电容充电和放电期间的能量时相同的,也就是电阻的能量。
电阻中的能量等于充电和放电状态下的电容
由于充放电过程的能量大小相同,所以只考虑其中一个来获取能量,这里考虑分析中的放电状态。
放电状态计算公式
考虑到 110 kHz 的开关频率和 80V 的最大漏极电压以及 1nF 的缓冲电容, 电阻上产生的功耗 为:
电阻上产生的功耗为
这种方法的结果高于以前的方法和实际或测量结果。复杂的方法(上面的方法)记录了 0.545 瓦,而这种简单方法的结果是 0.704 瓦。
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