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新能源汽车解析丨什么是IGBT?结构与拆解(2023-10-08)
俯视图及基本参数。IGBT的栅极和发射极在芯片上方(正面),集电极在下方(背面)。芯片厚度为200um。IGBT上电后,电流由下而上流过,所以这种结构的IGBT也可以称为立式器件。
图 7. IGBT......
干货总结|晶体管的应用知识(2023-03-28)
发光二极管也被关闭了。
要打开晶体管,基极和发射极之间的电压约为0.7V。
如果你有一个0.7V的电池,你可以把它连接到基极和发射极之间,晶体管就会打开。
既然我们大多数人没有0.7V的电池,我们......
必看!IGBT基础知识汇总!(2024-01-03)
它存在锁存问题
04 IGBT的主要参数
1、集电极-发射极额定电压UCES是IGBT在截止状态下集电极与发射极之间能够承受的最大电压,一般UCES小于或等于器件的雪崩击穿电压。
2、栅极-发射极额定电压UGE......
IGBT如何进行可靠性测试?(2024-01-17)
时间内的稳定性和漏电流可指出结表面的稳定性。因此,它是器件质量和可靠性的良好指标。
对于IGBT,电压施加在集电极和发射极之间,栅极与发射极短接。ICES、V(BR)CES、IGES、VGE(th......
变频器的30个基础知识(一)(2024-04-03)
逆变器部分的存在是 VFD 和直流驱动器之间的主要区别。
4.什么是变频器中的 IGBT?
隔离栅双极晶体管 (IGBT) 是电子驱动非常快的半导体开关。通过在 IGBT 的栅极和发射极......
变频器的30个基础知识(之一)(2024-03-28)
器本身有时被称为逆变器,因为逆变器部分的存在是 VFD 和直流驱动器之间的主要区别。
4.什么是变频器中的 IGBT?
隔离栅双极晶体管 (IGBT) 是电子驱动非常快的半导体开关。通过在 IGBT 的栅极和发射极......
IGBT驱动电路介绍(2024-02-29)
制板和IGBT控制端子不能直接连接时,考虑用双股绞线(2转/CM小于3CM长)或带状线,同轴线进行连接。栅极保护
为了保险起见,可采用TVS等栅极箝位保护电路,考虑放置于靠近IGBT模块的栅极和发射极......
用数字万用表判断三极管的引脚(2023-06-26)
上正向电压时,PN结就能够导通。
如果是NPN管,基极接红表笔,集电极和发射极接黑表笔,PN结正向导通,万用表会显示导通电压。
如果是PNP管,则基极接黑表笔,集电极和发射极接红表笔,这样两个PN结都......
双向双极结技术的力量(2023-04-07)
之间的电阻显着降低。预关断模式:为了降低B-Tran的关断损耗,需要一个预关断阶段。该阶段涉及将顶侧和底侧(B1-E1 和 B2-E2)的基极和发射极端子短路,如图 2(c) 所示。这种......
现代工业电机驱动中如何可靠地实现短路保护的问题(2022-12-19)
的是,去饱和还可表示栅极-发射极电压过低,且IGBT未完全驱动至饱和区。进行去饱和检测部署时需仔细,以防误触发。这尤其可能发生在IGBT尚未完全进入饱和状态时,从IGBT关断状态转换到IGBT导通......
如何使用万用表测试 IGBT(2024-03-21)
能够正常工作。
识别 IGBT 引脚:最后但并非最不重要的一点是,您需要识别IGBT 的三个引脚:发射极 (E)、集电极 (C) 和栅极 (G)。如有需要,可以参考图进行管脚识别。
二极管测试模式
1......
使用模拟万用表时的注意事项(2023-03-06)
于将一个电阻并联到基极电阻上,不能测得正确的值。
为了减小测量误差,可以先测基极和地之间的电压,然后再测量发射极与地之间的电压,再由两者的差求出基极和发射极之间的电压。
⑧测量......
关于IGBT 安全工作区 你需要了解这两个关键(2023-12-15)
次击穿限制的区域 (该区域会因器件设计而有所不同)
④ 受集电极-发射极最大额定电压限制的区域
2 反向偏置安全工作区
反向偏置安全工作区定义了IGBT关断期间的可用电流和电压条件。
图3......
基础知识之晶体管(2024-03-21)
接地时的开关工作来介绍起到开关作用的晶体管。
当晶体管的基极引脚被施加电压(约0.7V以上)并流过微小电流时,晶体管会导通,电流会在集电极和发射极之间流动。
反之,当施......
A类功率放大器简介:共发射极PA(2024-01-03)
为集电极支路写了一个KVL方程:
方程式1
其中:
iC是集电极电流总和
vCE表示集电极和发射极之间的总电压,包括直流和交流分量。
该方程式给出了电路的交流负载线,如图2所示。任何可能的iC值和相应的vCE值都......
Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块,降低导通和开关损耗(2024-02-29)
发布的半桥器件使用节能效果优于市场上其他器件的Trench IGBT,与具有超软反向恢复特性的第四代FRED Pt®反并联二极管封装在一起。模块小型INT-A-PAK封装采用新型栅极引脚布局,与34 mm工业标准封装100%兼容,可采......
功率放大器的基本知识(2023-06-26)
以集电极为输入和输出信号公共端的“共集电极接法”增益较低,不宜用在功放电路中。接进C63以后,它对音频信号也可看为通路,所以输入信号对BG13是通过R72加在基极和发射极上;对BG14则是通过R73、R72加到基极和发射极......
Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块,降低导通和开关损耗(2024-03-01)
电流下,集电极至发射极电压仅为≤1.07V,达到业内先进水平。VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N适用于高频电源应用,开关损耗极低,+125C,额定电流下,Eoff仅为1.0mJ......
Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块,降低导通和(2024-02-29)
+125 °C,额定电流下,集电极至发射极电压仅为 ≤ 1.07 V,达到业内先进水平。VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N适用于高频电源应用,开关损耗极低,+125 °C,额定......
来尝试分析下这个有意思的电路设计(2024-04-26)
.根据原理图,稳压管ZD1,ZD2支路是和Q2、EC2这两个器件串联后的支路并联在一起的。分别是下图的支路1和支路2:
支路1的电压为已知的11.2V.支路2中Q2的集电极和发射极......
Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块,降低导通和开关损耗(2024-02-29 15:02)
+125 °C,额定电流下,集电极至发射极电压仅为 ≤ 1.07 V,达到业内先进水平。VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N适用于高频电源应用,开关损耗极低,+125 °C,额定......
Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块,降低导通和开关损耗(2024-03-01)
发布的半桥器件使用节能效果优于市场上其他器件的Trench IGBT,与具有超软反向恢复特性的第四代FRED Pt®反并联二极管封装在一起。模块小型INT-A-PAK封装采用新型栅极引脚布局,与34......
英飞凌推出CIPOS Mini IM523系列智能功率模块(2022-11-01)
的产品阵容。该系列智能功率模块采用了全新的600V逆导型驱动器2(RCD2)IGBT技术,并且带有开放式发射极。
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码......
三极管电路,分析有方法(2024-02-29)
基极直流电路。
通过这一步分析可以搞清楚直流工作电压是如何加到集电极、基极和发射极上的。如图所示,是放大器直流电路分析示意图。对于一个单级放大器而言,其直流电路分析主要是图中所示的三个部分。
分析......
产生尖峰电流的主要原因(2023-09-12)
产生尖峰电流的主要原因;在实际电路连线中,由于工艺的关系,电路的输入回路至开关管V的集电极和发射极之间的导线上存在一定的杂散电感,等效于LS。在V导通时,输入电流iI经过LS,产生一个感应电流ULS......
老司机怎么测量三极管管型、管脚和性能?(2023-03-14)
极管PN结的测量方法一样),又可确认管型。
② 集电极和发射极的判别
确定基极后,假设余下管脚之一为集电极c,另一为发射极e,用手指分别捏住c极与b极(即用手指代替基极电阻Rb)。同时,将万......
米勒电容、米勒效应和器件与系统设计对策(2023-03-06)
门极电压在开关过程中展现出来的平台称为米勒平台。导致米勒平台的“罪魁祸首”是IGBT 集电极-门极之间寄生电容Cgc。由于半导体设计结构, IGBT内部存在各类寄生电容,如下图所示,可分为栅极-发射极......
如何优化SiC MOSFET的栅极驱动?这款IC方案推荐给您(2023-07-20)
,有些制造商规定电压低至-10 V。
四 欠压保护(DESAT)
DESAT保护是一种过电流检测,起源于IGBT的驱动电路。在导通时,如果IGBT不能再保持饱和状态("去饱和"),集电极-发射极......
电动汽车电池充电器电路原理图讲解(2023-08-16)
厘米,以防止热量改变 Pertinax。当 LED 闪烁时,您可以发出蜂鸣声。它必须连接在 LED 的阳极和晶体管的发射极之间,并且必须是电子类型,其中包含振荡器。仪器......
用电压表测量晶体三极管的集电极电流和发射极电流(2022-12-06)
用电压表测量晶体三极管的集电极电流和发射极电流;图1所示为用电压表测量晶体的集电极电流和发射极电流的电路。用电压表分别测出rc和re两端电压后,根据欧姆定律可得集电极电流ic=uc/rc,发射极......
东芝推出智能栅极驱动光耦,有助于简化功率器件的外围电路设计(2022-08-31)
驱动光耦---“TLP5222”。这是一种可为MOSFET或IGBT等功率器件提供过流保护的隔离栅极驱动IC,内置保护操作自动恢复的功能。该产品于今日开始出货。
TLP5222持续监测其驱动的功率器件的漏极-源极......
东芝推出智能栅极驱动光耦,有助于简化功率器件的外围电路设计(2022-08-31)
驱动光耦---“TLP5222”。这是一种可为MOSFET或IGBT等功率器件提供过流保护的隔离栅极驱动IC,内置保护操作自动恢复的功能。该产品于今日开始出货。
TLP5222持续监测其驱动的功率器件的漏极-源极......
英飞凌推出CIPOS Mini IM523系列智能功率模块,提升中低功率驱动应用的性能和可靠性(2022-10-31 15:33)
的工业风扇和驱动器等。
RCD2 IGBT与功能全面的绝缘体上硅(SOI)栅极驱动器相结合,可降低整个系统的功率损耗。同时,将带有开放式发射极的三相逆变器配置集成至DIP 36x21封装中,这种......
MAX2205—检测高峰均比信号(2023-06-25)
x cos(ωt)作用于Q1。
与式1相比,可根据Vi = VQ + VAC x cos(ω x t) >> VT作如下近似运算:
其中:VAC = 交流输入信号的峰值幅度VQ = 基极和发射极......
如何增强工业电机控制性能?这有两款隔离解决方案(2023-03-24)
总时序预算的很大一部分。
图7. 故障关断时序
电机控制应用的栅极驱动器关断时序如图8所示,其中处理器的关断命令跟在IGBT栅极发射极信号之后。从关断信号开始到IGBT栅极驱动信号接近0的总......
东芝推出两款采用SC-63封装的双极晶体管TTA2097/TTC5886A(2024-01-22)
-Mold)的双极晶体管“TTA2097和TTC5886A”。这两款产品适用于功率器件中的栅极驱动电路、消费设备和工业设备中的电流开关以及LED驱动电路。TTA2097的集电极-发射极......
基础知识之光三极管传感器(2024-03-11)
等多种封装结构,引脚分为两脚和三脚型。一般两个管脚的光电三极管,管脚分别为集电极和发射极,而光窗口则为基极。
在无光照射时,光电三极管处于截止状态,无电信号输出。当光信号照射光电三极管的基极时,光电......
用于 EV 充电系统栅极驱动的隔离式 DC/DC 转换器(2022-12-05)
电压的直流快速充电 (DCFC) 系统迁移。像碳化硅这样的宽带隙功率器件非常适合这些应用,与硅 IGBT 相比具有更低的传导和开关损耗。然而,SiC 更快的开关速率以及更高的电压会对栅极......
100W MOSFET功率放大器电路(2023-09-06)
相比,MOSFET 具有驱动电路简单、热稳定性较低、输入阻抗高等优点。前置放大器由两级差分放大器电路组成,用于产生无噪声放大信号。 前置放大器的第一级由使用 PNP 晶体管的差分模式发射极......
怎么使用万用表测量电路电压、电流、电阻、二极管、三极管、场效应管(2023-02-17)
表笔与该脚相接,红表笔与其他两脚分别接触其他两脚;若两次读数均为0.7V左右,然后再用红笔接A脚,黑笔接触其他两脚,若均显示"1",则A脚为基极,否则需要重新测量,且此管为PNP管。那么集电极和发射极......
提高 xEV 牵引逆变器系统的安全性(2022-12-08)
用于检测此类故障的最常见保护电路称为去饱和 (desat)
保护,它可以集成在栅极驱动器中。显示了一个典型的去饱和电路的实现,该电路监控开关的通态电压(IGBT 中的集电极-发射极电压 [V CE......
2月新品推荐:电源模块、IGBT单管、加速平台、热敏电阻、光电二极管(2021-02-26)
极管能快速开关,而不会有严重的振荡和寄生导通的风险。此系列提供TO-247-3或TO-247-4引脚的Kelvin Emitter封装供客户选择。Kelvin Emitter封装的第四引脚可实现超低电感的栅极发射极......
ADALM2000实验:生成负基准电压(2023-06-06)
)的电压和带隙并联稳压器(Q3的集电极和发射极)上的电压。可以调整电位计R3以产生-1.25 V基准电压。
测试电源裕量
为了测试+VDD的裕量要求,断开固定正电源与+VDD的连接,并移......
全新4.5 kV XHP™ 3 IGBT模块让驱动器实现尺寸小型化和效率最大化(2023-12-25)
引用地址:
XHP3_IGBT
XHP系列包括一款带有一个发射极控制续流二极管的TRENCHSTOP™ IGBT4450 A半桥IGBT模块,以及一款带有发射极控制E4二极管的450 A二极管半桥模块。这两......
全新4.5 kV XHP™ 3 IGBT模块让驱动器实现尺寸小型化和效率最大化(2023-12-25)
控制续流二极管的TRENCHSTOP™ IGBT4450 A半桥IGBT模块,以及一款带有发射极控制E4二极管的450 A二极管半桥模块。这两个模块的绝缘电压均提高至10.4 kV。这对......
东芝推出有助于减轻环境负荷的双极晶体管(2023-06-29)
别名PW-Mini)。这两款产品适用于功率器件中的栅极驱动电路、消费设备和工业设备中的电流开关以及LED驱动电路。
TTA2060的集电极-发射极......
常用的功率元器件大全(2023-02-06)
有较高的可靠性。
与IGBT相比,IEGT结构的主要特点是栅极长度Lg较长,N长基区近栅极侧的横向电阻值较高,因此从集电极注入N长基区的空穴,不像在IGBT中那样,顺利地横向通过P区流入发射极,而是......
介绍用万用表辨别三极管/E极的方法(2023-03-07)
介绍用万用表辨别三极管/E极的方法;通常我们很容易找到三极管的基极b,但另外两个电极哪个是集电极c,哪个是发射极e呢?这时我们可以用测穿透电流ICEO的方法确定集电极c和发射极e。
1、对于PNP......
用万用表辨别三极管C/E极的方法(2023-02-07)
用万用表辨别三极管C/E极的方法;通常我们很容易找到三极管的基极b,但另外两个电极哪个是集电极c,哪个是发射极e呢?这时我们可以用测穿透电流ICEO的方法确定集电极c和发射极e。
1、对于PNP......
功率MOSFET的UIS(UIL)特性知多少?(2024-03-19)
漂移 (epi) 区形成一个npn晶体管。此npn晶体管的基极到发射极结由p掺杂区域和n掺杂源极区域形成,被前端金属短接。因此,源极金属触点是MOSFET UIS能力的关键设计和工艺参数。如果npn被激......
相关企业
、阳极基板、玻盖等组成的真空器件。阴极灯丝是在很细的钨丝上,涂覆三元碳酸盐的氧化物,再以适当的张力安装在灯丝支架上,其主要作用是发射电子;栅极是不锈钢类的金属薄片通过光刻蚀加工而成的金属网栅,直接
了可显着提高电动汽车和可再生能源应用性能和效率的变革性技术。我们的栅极驱动器内核,即插即用栅极驱动器中获得专利的增强开关TM技术,适用于SiC和IGBT开关。它们用于各种应用,包括电动汽车,太阳能逆变器,风力涡轮机,储能,电机驱动,储能,牵引
顿、红外线接收发射管、IGBT模块、TVS管、放电管等产品的经销批发的个体经营。深圳市伟力升电子有限公司经营的集成电路、高压二极管、大中小功率三极管、场效应管、霍尔元件、高频发射、可控硅、达林顿、红外线接收发射
、可控硅、达林顿、红外线接收发射管、IGBT模块、TVS管、放电管等产品的经销批发的个体经营。深圳市伟力升电子有限公司经营的集成电路、高压二极管、大中小功率三极管、场效应管、霍尔元件、高频发射、可控
;临华光电有限公司;;公司具有完整的LED发光二极管的生产线,有员工厂百来人,能生产各种型号的LED发光二极管,和发射管.
经营世界各地著名品牌的 IC,如数字IC、模拟IC、单片机,二三极管,模块,光电器件,如光电断续器、红外接收头和发射头、数据传输器、霍尔元件、光纤接收管、光电开关等等,品种齐全,封装形式多样,货源充足,价格从
;深圳科丽伟业科技有限公司;;深圳科丽伟业科技有限公司,集开发,研究,生产和销售于一体。主营产品有网络摄像机,网络服务器恒速球无线接收机和发射机等相关产品。公司坚守诚信。
;深圳市华坤伟业电子经营部;;IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅极型功率管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成
;旭日电子有限公司(采购部);;专业长期收购以下直插DIP,贴片SMD元器件:集成电路、二三极管、稳压管、发光管、IGBT管,可控硅,肖特基管,电解电容电阻电感、钽电容、可调电容,法拉电容,VCD
;深圳市辉煌科技有限公司;;我公司专业长期收购以下直插DIP,贴片SMD元器件:集成电路、二三极管、稳压管、发光管、IGBT管,可控硅,肖特基管,电解电容电阻电感、钽电容、可调电容,法拉电容,VCD