资讯
变频器和IGBT的基础知识(2024-05-30)
动原理与电力MOSFET基本相同，它是一种压控型器件。
开通和关断是由栅极和发射极间的电压UGE决定的，当UGE为正且大于开启电压UGE（th）时，MOSFET内形成沟道，并为晶体管提供基极电流使其导通。
当栅极与发射极......
新能源汽车解析丨什么是IGBT？结构与拆解(2023-10-08)
俯视图及基本参数。IGBT的栅极和发射极在芯片上方（正面），集电极在下方（背面）。芯片厚度为200um。IGBT上电后，电流由下而上流过，所以这种结构的IGBT也可以称为立式器件。
图 7. IGBT......
干货总结｜晶体管的应用知识(2023-03-28)
发光二极管也被关闭了。
要打开晶体管，基极和发射极之间的电压约为0.7V。
如果你有一个0.7V的电池，你可以把它连接到基极和发射极之间，晶体管就会打开。
既然我们大多数人没有0.7V的电池，我们......
必看！IGBT基础知识汇总！(2024-01-03)
它存在锁存问题
04 IGBT的主要参数
1、集电极-发射极额定电压UCES是IGBT在截止状态下集电极与发射极之间能够承受的最大电压，一般UCES小于或等于器件的雪崩击穿电压。
2、栅极-发射极额定电压UGE......
IGBT如何进行可靠性测试？(2024-01-17)
时间内的稳定性和漏电流可指出结表面的稳定性。因此，它是器件质量和可靠性的良好指标。
对于IGBT，电压施加在集电极和发射极之间，栅极与发射极短接。ICES、V(BR)CES、IGES、VGE(th......
变频器的30个基础知识（一）(2024-04-03)
逆变器部分的存在是 VFD 和直流驱动器之间的主要区别。
4.什么是变频器中的 IGBT？
隔离栅双极晶体管 (IGBT) 是电子驱动非常快的半导体开关。通过在 IGBT 的栅极和发射极......
变频器的30个基础知识（之一）(2024-03-28)
器本身有时被称为逆变器，因为逆变器部分的存在是 VFD 和直流驱动器之间的主要区别。
4.什么是变频器中的 IGBT？
隔离栅双极晶体管 (IGBT) 是电子驱动非常快的半导体开关。通过在 IGBT 的栅极和发射极......
IGBT驱动电路介绍(2024-02-29)
制板和IGBT控制端子不能直接连接时，考虑用双股绞线(2转/CM小于3CM长)或带状线，同轴线进行连接。栅极保护
为了保险起见，可采用TVS等栅极箝位保护电路，考虑放置于靠近IGBT模块的栅极和发射极......
汽车级大功率IGBT现状及未来趋势研究 (2024-07-14)
在设计和制造 IGBT 时采用一些针对性的预防策略防止寄生的晶闸管导通。例如可以通过芯片金属化的方法把 NPN 晶体管的基极与发射极短路来解决闭锁问题，这种技术可以保证晶体管的基极和发射极的电压为 0，确保......
用数字万用表判断三极管的引脚(2023-06-26)
上正向电压时，PN结就能够导通。
如果是NPN管，基极接红表笔，集电极和发射极接黑表笔，PN结正向导通，万用表会显示导通电压。
如果是PNP管，则基极接黑表笔，集电极和发射极接红表笔，这样两个PN结都......
现代工业电机驱动中如何可靠地实现短路保护的问题(2022-12-19)
的是，去饱和还可表示栅极-发射极电压过低，且IGBT未完全驱动至饱和区。进行去饱和检测部署时需仔细，以防误触发。这尤其可能发生在IGBT尚未完全进入饱和状态时，从IGBT关断状态转换到IGBT导通......
双向双极结技术的力量(2023-04-07)
之间的电阻显着降低。预关断模式：为了降低B-Tran的关断损耗，需要一个预关断阶段。该阶段涉及将顶侧和底侧（B1-E1 和 B2-E2）的基极和发射极端子短路，如图 2(c) 所示。这种......
如何使用万用表测试 IGBT(2024-03-21)
能够正常工作。
识别 IGBT 引脚：最后但并非最不重要的一点是，您需要识别IGBT 的三个引脚：发射极 (E)、集电极 (C) 和栅极 (G)。如有需要，可以参考图进行管脚识别。
二极管测试模式
1......
12V转220V逆变器电路，不过就几个元件？(2024-10-28 10:39:17)
刚通上电的一瞬间是有一个导通顺序的。假设此刻Q1先导通，电流从电源正极流出，通过变压器和三极管Q1流到电源负极。
由于三极管Q1导通后会瞬间进入到饱和状态，所以集电极和发射极之间的压降很低，一般......
这40个模拟电路基础知识太有用了！(2024-06-06)
)和正的Vt(相当于三极管基极和发射极的Vbe)，而P沟道的MOS管需要负的Vds和负的Vt。
23、VMOSFET有高输入阻抗、低驱动电流;开关速度快、高频特性好;负电流温度系数、无热恶性循环，热稳......
90%的工程师会忽略的 40 个实用模拟电路小常识，你是其中之一吗？(2024-10-20 23:26:13)
在正负的栅源电压下工作）
22、N沟道的MOS管需要正的Vds（相当于三极管加在集电极的Vcc）和正的Vt（相当于三极管基极和发射极的Vbe），而P沟道的MOS管需要负的Vds和负的Vt......
使用模拟万用表时的注意事项(2023-03-06)
于将一个电阻并联到基极电阻上，不能测得正确的值。
为了减小测量误差，可以先测基极和地之间的电压，然后再测量发射极与地之间的电压，再由两者的差求出基极和发射极之间的电压。
⑧测量......
关于IGBT 安全工作区 你需要了解这两个关键(2023-12-15)
次击穿限制的区域 (该区域会因器件设计而有所不同)
④ 受集电极-发射极最大额定电压限制的区域
2 反向偏置安全工作区
反向偏置安全工作区定义了IGBT关断期间的可用电流和电压条件。
图3......
基础知识之晶体管(2024-03-21)
接地时的开关工作来介绍起到开关作用的晶体管。
当晶体管的基极引脚被施加电压（约0.7V以上）并流过微小电流时，晶体管会导通，电流会在集电极和发射极之间流动。
反之，当施......
Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块，降低导通和开关损耗(2024-02-29)
发布的半桥器件使用节能效果优于市场上其他器件的Trench IGBT，与具有超软反向恢复特性的第四代FRED Pt®反并联二极管封装在一起。模块小型INT-A-PAK封装采用新型栅极引脚布局，与34 mm工业标准封装100%兼容，可采......
A类功率放大器简介：共发射极PA(2024-01-03)
为集电极支路写了一个KVL方程：
方程式1
其中：
iC是集电极电流总和
vCE表示集电极和发射极之间的总电压，包括直流和交流分量。
该方程式给出了电路的交流负载线，如图2所示。任何可能的iC值和相应的vCE值都......
功率放大器的基本知识(2023-06-26)
以集电极为输入和输出信号公共端的“共集电极接法”增益较低，不宜用在功放电路中。接进C63以后，它对音频信号也可看为通路，所以输入信号对BG13是通过R72加在基极和发射极上；对BG14则是通过R73、R72加到基极和发射极......
Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块，降低导通和开关损耗(2024-03-01)
电流下，集电极至发射极电压仅为≤1.07V，达到业内先进水平。VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N适用于高频电源应用，开关损耗极低，+125C，额定电流下，Eoff仅为1.0mJ......
Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块，降低导通和(2024-02-29)
+125 °C，额定电流下，集电极至发射极电压仅为 ≤ 1.07 V，达到业内先进水平。VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N适用于高频电源应用，开关损耗极低，+125 °C，额定......
来尝试分析下这个有意思的电路设计(2024-04-26)
.根据原理图，稳压管ZD1,ZD2支路是和Q2、EC2这两个器件串联后的支路并联在一起的。分别是下图的支路1和支路2：
支路1的电压为已知的11.2V.支路2中Q2的集电极和发射极......
工业马达驱动设计中IGBT的作用(2024-08-13)
了最大饱和集电极电流，通常用于感性负载。在反向偏置安全工作区（RBSOA）的反向偏置条件中，最大电流随关断期间集电极和发射极之间的峰值电压有关。遵守最大限制是必要的，以在......
Vishay推出采用改良设计的INT－A－PAK封装IGBT功率模块，降低导通和开关损耗(2024-02-29 15:02)
+125 °C，额定电流下，集电极至发射极电压仅为 ≤ 1.07 V，达到业内先进水平。VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N适用于高频电源应用，开关损耗极低，+125 °C，额定......
借助智能功率模块系列提高白色家电的能效(2024-06-17)
型驱动器2（RC-D2）IGBT技术，它们采用DIP 36x21封装，具备开放式发射极。IM523支持从6A到17A不等的多个电流等级，能够为终端系统提供最合适的选择。
对于家用电器而言，600 V......
Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块，降低导通和开关损耗(2024-03-01)
发布的半桥器件使用节能效果优于市场上其他器件的Trench IGBT，与具有超软反向恢复特性的第四代FRED Pt®反并联二极管封装在一起。模块小型INT-A-PAK封装采用新型栅极引脚布局，与34......
借助智能功率模块系列提高白色家电的能效(2024-06-14)
高能效IPM基于英飞凌最先进的600 V逆导型驱动器2（RC-D2）IGBT技术，它们采用DIP 36x21封装，具备开放式发射极。IM523支持从6A到17A不等的多个电流等级，能够......
英飞凌推出CIPOS Mini IM523系列智能功率模块(2022-11-01)
的产品阵容。该系列智能功率模块采用了全新的600V逆导型驱动器2（RCD2）IGBT技术，并且带有开放式发射极。
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码......
三极管知识讲解，补课(2024-11-09 18:33:37)
式三极管有三个电极的，也有四个电极的。一般三个电极的贴片式三极管从顶端往下看有两边，上边只有一脚的为集电极，下边的两脚分别是基极和发射极。在四个电极的贴片式三极管中，比较大的一个引脚是三极管的集电极，另有两个引脚相通是发射极......
三极管电路，分析有方法(2024-02-29)
基极直流电路。
通过这一步分析可以搞清楚直流工作电压是如何加到集电极、基极和发射极上的。如图所示，是放大器直流电路分析示意图。对于一个单级放大器而言，其直流电路分析主要是图中所示的三个部分。
分析......
教你掌握三极管电路的分析方法(2024-11-17 22:48:20)
这一步分析可以搞清楚直流工作电压是如何加到集电极、基极和发射极上的。如图所示，是放大器直流电路分析示意图。对于一个单级放大器而言，其直......
请问一下IGBT是如何实现电路控制的？(2024-06-14)
构造
IGBT是一种由控制电路控制、是否导电的半导体。G是栅极，也就是控制极，C是集电极，E是发射极。
例如控制电路指示为通，我们给G电极高电平，那么 IGBT就会导通，IGBT就是导体，有电......
产生尖峰电流的主要原因(2023-09-12)
产生尖峰电流的主要原因;在实际电路连线中，由于工艺的关系，电路的输入回路至开关管V的集电极和发射极之间的导线上存在一定的杂散电感，等效于LS。在V导通时，输入电流iI经过LS，产生一个感应电流ULS......
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系(2024-11-09 00:48:11)
了然。
为了减小上述电阻，并且提高栅极面积利用率，沟槽栅IGBT变成主流，作用效果如下图。
此外，为了......
老司机怎么测量三极管管型、管脚和性能？(2023-03-14)
极管PN结的测量方法一样)，又可确认管型。
② 集电极和发射极的判别
确定基极后，假设余下管脚之一为集电极c，另一为发射极e，用手指分别捏住c极与b极(即用手指代替基极电阻Rb)。同时，将万......
双极性结型晶体管的开关损耗(2024-05-09)
LTspice中建模的。
图3显示了运行模拟时产生的基极-发射极和集电极-发射极电压。
在开关周期的有源部分，模拟BJT开关的基极-发射极和集电极-发射极电压。
图3。在开关周期的有效部分期间，基极到发射极电压和集电极到发射极......
PNP与NPN两种三极管使用方法(2024-10-06 11:59:22)
P1.0 由我们的程序给一个高电平 1，那么e到 b 不会产生一个 0.7V 的压降，这个时候，发射极和集电极也就不会导通，那么竖着看这个电路在三极管处是断开的，没有电流通过，LED2 小灯......
米勒电容、米勒效应和器件与系统设计对策(2023-03-06)
门极电压在开关过程中展现出来的平台称为米勒平台。导致米勒平台的“罪魁祸首”是IGBT 集电极-门极之间寄生电容Cgc。由于半导体设计结构, IGBT内部存在各类寄生电容，如下图所示，可分为栅极-发射极......
手把手教你分析三极管电路(2024-11-12 21:27:25)
工作电压加到三极管各个电极上主要通过两条直流电路：一是三极管集电极与发射极之间的直流电路，二是基极直流电路。通过这一步分析可以搞清楚直流工作电压是如何加到集电极、基极和发射极上的。图1-85所示是放大器直流电路分析示意图。对于......
干货分享丨太厉害了，终于有人能把IGBT讲得明明白白！(2024-10-21 17:53:55)
-栅极，C-集电极，E-发射极。
在IGBT使用过程中，可以通过控制其集-射极......
如何优化SiC MOSFET的栅极驱动？这款IC方案推荐给您(2023-07-20)
，有些制造商规定电压低至-10 V。
四 欠压保护(DESAT)
DESAT保护是一种过电流检测，起源于IGBT的驱动电路。在导通时，如果IGBT不能再保持饱和状态（"去饱和"），集电极-发射极......
东芝扩展有助于降低设备能耗的双极型晶体管的产品线(2024-07-10)
-Mini）和“TPCP8515”（东芝封装别名PS-8）。这两款产品适用于功率器件中的栅极驱动电路、消费设备和工业设备的电流开关。新产品的集电极-发射极间的额定电压和集电极电流（DC）均为12 V/5......
电动汽车电池充电器电路原理图讲解(2023-08-16)
厘米，以防止热量改变 Pertinax。当 LED 闪烁时，您可以发出蜂鸣声。它必须连接在 LED 的阳极和晶体管的发射极之间，并且必须是电子类型，其中包含振荡器。仪器......
东芝推出智能栅极驱动光耦，有助于简化功率器件的外围电路设计(2022-08-31)
驱动光耦---“TLP5222”。这是一种可为MOSFET或IGBT等功率器件提供过流保护的隔离栅极驱动IC，内置保护操作自动恢复的功能。该产品于今日开始出货。
TLP5222持续监测其驱动的功率器件的漏极-源极......
东芝推出智能栅极驱动光耦，有助于简化功率器件的外围电路设计(2022-08-31)
驱动光耦---“TLP5222”。这是一种可为MOSFET或IGBT等功率器件提供过流保护的隔离栅极驱动IC，内置保护操作自动恢复的功能。该产品于今日开始出货。
TLP5222持续监测其驱动的功率器件的漏极-源极......
用电压表测量晶体三极管的集电极电流和发射极电流(2022-12-06)
用电压表测量晶体三极管的集电极电流和发射极电流;图1所示为用电压表测量晶体的集电极电流和发射极电流的电路。用电压表分别测出rc和re两端电压后，根据欧姆定律可得集电极电流ic=uc/rc，发射极......
IGBT重要的动态参数解析(2024-11-11 14:18:47)
钳位：
在下图所示的IGBT半桥中，当上半桥IGBT_H导通时,下半桥IGBT_L的集电极-发射极之间电压VCE_L 迅速......
相关企业
、阳极基板、玻盖等组成的真空器件。阴极灯丝是在很细的钨丝上，涂覆三元碳酸盐的氧化物，再以适当的张力安装在灯丝支架上，其主要作用是发射电子；栅极是不锈钢类的金属薄片通过光刻蚀加工而成的金属网栅，直接
了可显着提高电动汽车和可再生能源应用性能和效率的变革性技术。我们的栅极驱动器内核，即插即用栅极驱动器中获得专利的增强开关TM技术，适用于SiC和IGBT开关。它们用于各种应用，包括电动汽车，太阳能逆变器，风力涡轮机，储能，电机驱动，储能，牵引
顿、红外线接收发射管、IGBT模块、TVS管、放电管等产品的经销批发的个体经营。深圳市伟力升电子有限公司经营的集成电路、高压二极管、大中小功率三极管、场效应管、霍尔元件、高频发射、可控硅、达林顿、红外线接收发射
、可控硅、达林顿、红外线接收发射管、IGBT模块、TVS管、放电管等产品的经销批发的个体经营。深圳市伟力升电子有限公司经营的集成电路、高压二极管、大中小功率三极管、场效应管、霍尔元件、高频发射、可控
;临华光电有限公司;;公司具有完整的LED发光二极管的生产线,有员工厂百来人,能生产各种型号的LED发光二极管,和发射管.
经营世界各地著名品牌的 IC,如数字IC、模拟IC、单片机,二三极管,模块,光电器件，如光电断续器、红外接收头和发射头、数据传输器、霍尔元件、光纤接收管、光电开关等等，品种齐全，封装形式多样，货源充足，价格从
;深圳科丽伟业科技有限公司;;深圳科丽伟业科技有限公司，集开发，研究，生产和销售于一体。主营产品有网络摄像机，网络服务器恒速球无线接收机和发射机等相关产品。公司坚守诚信。
;深圳市华坤伟业电子经营部;;IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅极型功率管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成
;旭日电子有限公司(采购部);;专业长期收购以下直插DIP,贴片SMD元器件：集成电路、二三极管、稳压管、发光管、IGBT管，可控硅，肖特基管，电解电容电阻电感、钽电容、可调电容，法拉电容，VCD
;深圳市辉煌科技有限公司;;我公司专业长期收购以下直插DIP,贴片SMD元器件：集成电路、二三极管、稳压管、发光管、IGBT管，可控硅，肖特基管，电解电容电阻电感、钽电容、可调电容，法拉电容，VCD