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研发客服6月28日，新洁能发布公告表示，根据公司发展战略规划及实际发展经营的需要，拟以自有资金8000万元人民币对国硅集成电路技术（无锡）有限公司进行增资，注册资本由315.7895万元增加至631.579万元，增资后公司持股比例由5%增至52.5%。本次增资以收益法评估结果作为定价依据，评估基准日为2022年3月31日，增资后国硅集成电路技术（无锡）有限公司纳入公司2022年度合并财务报表范围。
公告显示，国硅集成电路技术（无锡）有限公司是一家专注于车规级智能功率集成电路芯片的设计公司，拥有完整的自主研发体系并掌握多项国内领先的关键核心技术，国内首创四端口单片集成高压自举、自适应高压侧窄脉冲传输、增强型快速电平移位、互导型电容隔离信号传输、超高精度的片上集成双向过流保护等多项功率IC芯片核心技术，已形成系列智能功率集成电路芯片，包括：栅极驱动控制IC芯片（含IGBT、硅基MOSFET及三代半导体等开关器件的栅极驱动芯片）、电机驱动IC芯片（含半桥、H桥、三相桥）；智能功率IC开关（SmartMOS）和功率驱动控制IC芯片及模块（DrMOS、IPM等）系列产品在积极研发中。产品应用市场已涵盖汽车电子、光伏及储能、数据中心和工业控制等领域。目前，国硅的智能功率集成电路芯片已经在光伏逆变、光伏储能、汽车电子和工业控制等市场成功上量。
新洁能表示，公司本次对国硅进行增资并实现控股，构建了集成电路领域发力平台，不仅新增了IC系列产品本身，还能与公司既有IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMT、SGT MOSFET、超结MOSFET等芯片集成创新，形成智能功率集成产品。在保持公司既有产品技术持续创新、领先的同时，又拓展了智能化、集成化的产品系列，提高了公司产品的整体领先性与综合技术门槛，增强了公司的核心竞争力，进一步满足高端客户的创新需求，为终端客户提供包含IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMT、SGT MOSFET、超结MOSFET、智能功率IC芯片、智能功率模块等功率半导体芯片的整体解决方案，向打造国内功率半导体第一品牌的目标又前进了一大步。
封面图片来源：拍信网
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