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ALSA声卡12_从零编写之添加音量控制_学习笔记(2024-07-16)
一个snd_kcontrol结构体，然后调用snd_control结构体的put函数。
（4）这个snd_kcontrol结构体是谁提供的
ASOC驱动程序分为3大块（machine,codec......
清华大学科研团队新成果：有望为EUV光刻光源提供新技术路线(2021-02-26)
清华大学科研团队新成果：有望为EUV光刻光源提供新技术路线;2月25日，清华大学工程物理系教授唐传祥研究组与来自亥姆霍兹柏林材料与能源研究中心（HZB）以及德国联邦物理技术研究院（PTB）的合......
光源技术突破，EUV量产指日可待(2017-03-09)
Electric)合作开发更高平均功率的二氧化碳(CO2)雷射放大器。
图1：Gigaphoton的雷射驱动电浆(LPP)光源原型
工程师早就认定，250W光源是使EUV系统......
台湾大停电，这事得EUV光刻机背锅！(2017-08-16)
，部分制程将首度导入极紫外光（EUV）微影制程，这是半导体产业期待已久的“救世主”技术。
目前半导体制程的主流光源是氩氟雷射，波长为 193 纳米，当晶体管尺度已微缩到几十纳米时，就像......
曝光技术大进展！三星称关键材料EUV光罩掩膜“透光率达90%”(2023-12-05)
司认为即使没有光罩掩膜也可以进行存储器量产。
EUV光罩掩膜目前有ASML、三井化学（Mitsui Chemicals）、信越化学、S&S Tech、FST等业者跨足，但据Kang透露，三星并没有使用韩国国内供应商提供的......
中科院中紫外光刻设备研制成功，国产光刻机有望突破(2017-04-14)
，ASML也将其电源功率提升到200瓦特。
后记
上面EUV光刻机的介绍，是让大家知道，目前最先进的是极紫外光光刻机，光源是极紫外光，而关于中科院的中紫外光的波长是多少，半导......
纳米压印光刻是否是半导体制造的未来一步？(2023-10-31)
个即使是最小的错误都可能导致重大后果的行业中，佳能的技术很难匹配EUV提供的质量。
- 缺陷问题：半导体研发组织imec的Cedric Rolin强调了纳米压印技术的“相当高”缺陷率。这种......
ASML登上全球半导体曝光设备龙头，两个转折点都与台积电有关(2021-11-19)
ASML登上全球半导体曝光设备龙头，两个转折点都与台积电有关;外媒报导，半导体制程一家独大的极紫外光曝光设备（EUV）厂商艾司摩尔（ASML），几乎成为各半导体制造商发展不可或缺的伙伴，尤其10纳米......
事关光刻机！美国开发新光源：效率有望提升10倍(2025-01-08 14:03:24)
激光器拥有将极紫外光刻（EUV）光源效率提高约10倍的能力，或有望取代当前EUV工具中使用的二氧化碳激光器，以更......
埃赛力达科技从贺利氏集团收购贺利氏特种光源(2023-10-11)
埃赛力达科技从贺利氏集团收购贺利氏特种光源;埃赛力达科技公司（Excelitas Technologies Corp.）是一家领先的工业技术制造商，专注于提供具有市场驱动力的创新光子解决方案，埃赛......
埃赛力达科技从贺利氏集团收购贺利氏特种光源(2023-09-20)
埃赛力达科技从贺利氏集团收购贺利氏特种光源;埃赛力达进一步扩大和拓宽其工业技术组合，在整个光谱范围提供高度互补的光子解决方案。
美国马萨诸塞州沃尔瑟姆，2023年9月 18日 – 埃赛......
ASML合作IMEC：共同加速推进新一代光刻机(2023-06-30)
产量。
Fouquet表示，EUV光源输出功率一直稳步增加，ASML传统型号EUV光源输出功率为250W~300W，最新型号3600D增加到350W，现在研究层面已做到600W，800W指日可待。
到......
极紫外光刻新技术问世，超越半导体制造业的标准界限(2024-08-02)
此设计的光刻设备可采用更小的EUV光源，其功耗还不到传统EUV光刻机的十分之一，从而降低成本并大幅提高机器的可靠性和使用寿命。
在传统光学系统中，例如照相机、望远镜和传统的紫外线光刻技术，光圈......
国产光刻机获重大突破，ASML如何应对？(2023-10-19)
国产光刻机获重大突破，ASML如何应对？; 中国科学院院士、中国科学院党组书记白春礼于4月13日访问长春光机所，调研EUV光源等技术，高度肯定光电关键核心技术攻关成果。国产......
ASML宣布与比利时微电子研究中心合作 加速推进新一代光刻机(2023-06-30)
产量。
Fouquet表示，EUV光源输出功率一直稳步增加，ASML传统型号EUV光源输出功率为250W~300W，最新型号3600D增加到350W，现在研究层面已做到600W，800W指日可待。
到2030......
ASML：数值孔径0.75超高NA EUV光刻设备2030年登场(2023-06-21)
，EUV光源输出功率一直稳步增加，ASML传统型号EUV光源输出功率为250W~300W，最新型号3600D增加到350W，现在研究层面已做到600W，800W指日可待。
到2030年，使用High......
ASML首席技术官：明年交付首台High-NA EUV光刻机(2022-09-28)
ASML首席技术官：明年交付首台High-NA EUV光刻机;据外媒Bits & Chips报道，ASML首席技术官Martin van den Brink日前受访时表示，目前......
极紫外光刻新技术问世，能大幅提高能源效率并降低半导体制造成本(2024-08-05 09:20)
此设计的光刻设备可采用更小的EUV光源，其功耗还不到传统EUV光刻机的十分之一，从而降低成本并大幅提高机器的可靠性和使用寿命。在传统光学系统中，例如照相机、望远镜和传统的紫外线光刻技术，光圈......
工业机器视觉系统中光源设计应用(2024-01-31)
的选取与打光合理与否可直接影响至少30%的成像质量。所以光源是机器视觉系统中非常重要的一部分。
作用
通过适当的光源照明设计，使图像中的目标信息与背景信息得到最佳分离，可以......
与ASML平分市场，日本这家工程机械企业不容忽视(2023-06-30)
荷兰的ASML在EUV相关设备市场上垄断了核心光刻机，但日本在DUV光刻设备中的实力也不容忽视。Gigaphoton是日本最大工程机械企业小松旗下的半导体企业，在光刻设备的DUV光源......
EUV光刻机“忙疯了”(2024-06-06)
机组件供应商蔡司联手，在EUV领域深化合作。公开资料显示，蔡司集团是全球唯一的极紫外（EUV）光系统供应商ASML Holding NV的光学系统唯一供应商。据透露，每台EUV光刻机中包含了三万多个由蔡司提供的......
最近申请的一项光刻装置专利到底是什么呢？公开图纸，我们也造不出来？(2022-11-28)
机的升级就势必与分辨率水平相关联。
光刻机演进过程是随着光源改进和工艺创新而不断发展的。EUV 作为 7nm
及更先进制程芯片的基础，采用了更加成熟化的极紫外光源，同时......
华为公布一项EUV光刻新专利(2022-11-25)
半导体工艺向7nm及以下节点的推进，极紫外(extreme ultraviolet，EUV)光刻成为首选的光刻技术。
相关技术的EUV光刻机中采用强相干光源在进行光刻时，相干......
事关EUV光刻技术，中国厂商公布新专利(2022-11-25)
ultraviolet，EUV)光刻成为首选的光刻技术。
相关技术的EUV光刻机中采用强相干光源在进行光刻时，相干光经照明系统分割成的多个子光束具有固定的相位关系，当这......
EUV光刻机争夺战打响，国产光刻技术难题有何解？(2021-01-29)
）
有业界人士指出，这样频繁的互访，核心当然在于EUV设备。三星电子希望ASML提供更多的EUV设备，同时希望ASML协助三星电子更加顺利地使用已经购买的EUV。
据了解，ASML 2021年......
台积电CEO秘访ASML，High-NA EUV光刻机竞赛提前打响？(2024-05-30)
-NA光刻机？
从早期的深紫外光刻机（DUV）起步，到后来的极紫外光刻机（EUV）以其独特的极紫外光源和更短的波长，再到如今的高数值孔径光刻机（High-NA）正式登上舞台，为制造更小、更精密的芯片提供......
EUV光刻机“忙疯了”(2024-06-05)
统供应商ASML Holding NV的光学系统唯一供应商。据透露，每台EUV光刻机中包含了三万多个由蔡司提供的组件。
三星电子此前指出，其目标是引领3nm以下的微制造工艺技术，今年计划采用EUV......
台积电和三星7nm竞赛正式开打，EUV成为关键(2017-01-19)
电路上可容纳的电晶体数量每隔18~24 个月会增加一倍的目标变得窒碍难行，极紫外光（EUV）微影就被视为摩尔定律能持续往下走的关键。
EUV先前因光源强度与生产量未达经济效益，迟迟未能量产。据目......
埃赛力达科技从贺利氏集团收购贺利氏特种光源(2023-09-20 16:03)
埃赛力达科技从贺利氏集团收购贺利氏特种光源;
埃赛力达进一步扩大和拓宽其工业技术组合，在整个光谱范围提供高度互补的光子解决方案。
埃赛力达科技公司（Excelitas......
俄罗斯宣布自研EUV光刻机：比ASML更便宜、更容易制造！(2024-12-20)
易制造。
据悉，俄罗斯的自主光刻机采用11.2nm的激光光源，而非ASML标准的13.5nm。这种波长将与现有的EUV设备不兼容，需要俄罗斯开发自己的光刻生态系统，这可......
ASML 一季度财报解读，EUV未出货订单累积到21台(2017-04-20)
和台积电分别注资503million和1.5 billion欧元，希望加速公司的EUV研发；在2012年底，为了解决EUV的光源问题，公司收购了美国的光源生产商Cymer；2016年11月份ASML以10亿欧......
EUV光刻新突破，是不是真的？(2023-09-18)
机分辨率=k1*λ/NA”中，可以得知，NA越大，光刻机分辨率就越高，制程就越先进。但NA孔径并没有那样容易提升，所以光刻机就选择了改变光源，用13.5nm的EUV光源取代193nm的DUV光源，就能......
，Gigaphoton还将介绍EUV光源的研发进展。
* 如果您希望在您的材料中引用这些论文，请联系我们。
关于GIGAPHOTON
GIGAPHOTON公司成立于2000年，作为一家半导体光刻光源的供应商，自成立以来一直为全球的半导体生产厂商提供......
如何判断机器视觉照明的好坏？(2023-01-05)
照明：暗域照明是相对于物体表面提供低角度照明。使用相机拍摄镜子使其在其视野内，如果在视野内能看见光源就认为使亮域照明，相反的在视野中看不到光源就是暗域照明。因此光源是亮域照明还是暗域照明与光源......
机器视觉上四大LED光源介绍(2023-12-18)
领域应用广泛。应用领域：液晶显示领域面板检测、PCB覆铜检测及精密测量等。
背光源
背光源是由大规模LED阵列构成，可提供高强度背光照明，照射面积大，能将被测物外形轮廓特征凸显出来，应用领域：划痕......
英特尔拿下首套High-NA EUV，台积电如何应对？(2024-01-08)
指出，至少在初期，High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA EUV，这也是台积电暂时观望的原因，台积电更倾向于采用成本更低的成熟技术，以确保产品竞争力。High-NA EUV 需要更高的光源......
ASML再宣布新计划，2030年推出Hyper-NA EUV(2024-06-18)
5月在IMEC ITF World演讲表示，长远来说，Hyper-NA EUV需改进光源系统，须采Hyper-NA基础，同时还需将所有系统生产效率提升到每小时400~500片晶......
三星使用日本产EUV薄膜，透光率达到90%(2023-12-06)
三星使用日本产EUV薄膜，透光率达到90%;
【导读】近日据半导体业界透露，三星的极紫外（EUV）光刻技术取得了重大进展。最近在釜山举行的“KISM2023”学术会议上，三星DS事业......
半导体“粮草”先行，国产光刻胶走到哪一步了？(2023-04-11)
目前最前沿的EUV光刻胶（<13.5nm波长）。通常来讲，波长越短加工分辨率越佳，能制造的芯片工艺越先进，技术难度也越高。
其中， g线、 i线光刻胶分别适用于436nm、365nm的波长光源......
另辟蹊径？俄罗斯拟自研“比ASML便宜”的EUV光刻机(2024-12-20)
斯决心通过创新路线图来突破目前的困局，但设计这些EUV光刻系统可能需要十年甚至更长时间。若研发进展一切顺利，未来俄罗斯可能会成为中小型芯片制造商的重要设备供应商，为全球芯片生产提供新选择，也为整个行业格局带来新的变化。......
韩企开发石墨烯EUV光罩护膜，瞄准台积电/三星/英特尔等潜在客户(2022-12-16)
护膜是一种需要定期更换的消耗品，而由于EUV微影曝光设备的光源波长较短，因此护膜需要较薄厚度来增加透光率。之前，硅已被用于制造光罩护膜，但石墨烯会是一种更好的材料，因为石墨烯制造的光罩护膜比硅更薄、更透......
三菱电机将开始提供用于数字相干通信，内置波长监视器的DFB-CAN样品(2024-03-27)
耗做出贡献。
三菱电机集团近日（2024年3月21日）宣布，将于4月1日开始提供其新型光器件样品——内置波长监视器的DFB*1-CAN。这种创新的新型光源是业界率先使用TO-56CAN*2封装进行高速、长距离传输的数字相干通信光源......
美国开发新一代BAT激光器：远超现有EUV光刻 效率提升10倍！(2025-01-06)
Aperture Thulium ) 激光技术，与当前行业标准二氧化碳 (CO2) 激光器相比可将EUV光源效率提高约10 倍，未来有望取而代之。
ps.Petawatt(PW)是一......
韩国本土半导体厂商开发石墨烯技术，提高生产良率(2022-12-16)
下节点制程的先进制程技术的良率表现至关重要。
另外，光罩保护膜也是一种需要定期更换的消耗品，而由于EUV光刻设备的光源波长较短，因此护膜需要较薄厚度来增加透光率。
之前，硅已......
Brewer Science：半导体工艺进步引领材料科技发展新方向，先进封装市场增长快(2022-12-30)
影响到半导体各个分支领域的技术发展方向。7纳米制造工艺引入EUV（极紫外光设备）设备，必须要为EUV制造工艺匹配相应的光刻胶。“光刻最重要的就是三光，即光刻机、光源和光刻胶，这三光都做好，光刻就没有什么特别的地方，”Brewer......
3nm追赶台积电？三星将首家采用高端EUV薄膜(2023-01-06)
份。
据悉，薄膜在EUV工艺时代起着至关重要的作用，可以防止EUV受污染而导致良率性能不佳。
三星将采用透光率超过90%的薄膜，以尽量减少光源的损失并稳定其3nm芯片......
ASML 新款 NXE:3800E EUV 光刻机引入部分 High-NA 机型(2024-03-27)
NXE:3800E 而言，其光学原件同之前的 3600D 机型相同，仅是配备了更高效的 EUV
光源，所以其吞吐量收益主要来自每次曝光之间的晶圆移动加速。与 3600D 相比，3800E 的载......
制程升级压力，三大DRAM厂商EUV竞争白热化？(2022-05-27)
制程生产以及最先进的极紫外光（EUV）设备。
公开资料显示，EUV制程采用波长为10-14nm的极紫外光作为光源的光刻，相较于将蚀刻液喷洒在半导体表面，利用蚀刻液与半导体基底化学反应的DUV......
国产光刻机工厂落地雄安？中国电子院澄清(2023-09-20)
国产光刻机工厂落地雄安？中国电子院澄清;近期，一则“7纳米光刻机实现国产化”消息在业界刷屏，消息指出清华大学EUV项目实现了光刻机国产化，并表示该项目已在雄安新区落地。
对此，9月18日中......
华特气体四款光刻气产品通过日本GIGAPHOTON株式会社认证(2021-10-09)
用途准分子激光机以及极紫外光刻(EUV)的开发商和制造商，也是次世代光刻光源的极端远紫外光源（EUV）的开发者并实现量产。近年来，日本GIGAPHOTON株式......
相关企业
;我是谁;;
;深圳市灿基电子科技有限公司;;LED光源是21世纪光源市场的希望众多优点预先其未来将逐步取代传统光源，科学家指出高亮度LED将是人类继爱迪生发明白炽灯泡之后，最伟大的发明之一，在当
;深圳市金鑫显示有限公司;;LED显示屏/广告光源是LED显示屏单元板、LED单双色整屏、LED全彩整屏、LED广告光源、LED车载屏等产品专业生产加工的个体经营,公司总部设在深圳,LED显示
年兴建完毕，并于2009年7月份正式启用。 专业生产COB类型LED发光源，该光板/光源是目前市面上每瓦产生热能最低的LED发光源，其优势可大幅度提升LED信赖度。
;事实上我是谁的谁;;事实上我是谁的谁,手机靓号 手机吉祥号. 。 目前公司的主要市场放在通讯行业上，一直
;深圳市威迪亚电子有限公司;;深圳市威迪亚电子有限公司是一家以生产LCD、LED背光源为主的私营有限责任公司，LCD模块、LCD显示屏、LED背光源是公司的主营产品。企业实力雄厚，公司
等众多领域。 朗明光电科技发展有限公司是PHILIPS特殊光源经销商.PHILIPS光源是世界第一的领导品牌,其产品被广泛应用在各行各业.我公司将使您能以最合理的价格,最快
采集卡,MCC数据采集卡,HALCON图像处理软件等. 机器视觉光源是康视达公司的核心产品，基于种类丰富的光源样品和众多可供选择的工业相机和镜头，康视达能够在第一时间为客户提供
也为客户在视觉定位、光学检测、图像分析、图像测量等方面提供系统开发与集成等方面提供最优的可行解决方案。 机器视觉光源是凯瑞斯自动化科技有限公司的核心产品，基于种类丰富的光源样品和众多可提供选择的工业相机镜头，凯瑞斯能够第一时间为客户提供
库存元件分销，为各元件贸易商，零售商和各电子厂商提供质量可靠，价格优惠的产品。产品涉及电源，通讯，照明，家电，数码,自动控制等。感到荣幸的是我们所提供的产品在保证质量，价格优势，售后