资讯
B类功率放大器介绍(2024-01-16)
大器效率较低。
电感性负载的A类放大器提供相对较低的效率，因为晶体管始终处于偏置状态，即使没有施加信号，也会从电源中汲取恒定的直流电流。这导致大量功率消耗在晶体管中，而不是负载中。
图5首次出现在“电感......
电感负载A类功率放大器简介(2024-01-04)
没有交流电流可以流过电感器，晶体管的交流电流只流过RL。
图2显示了两个交流等效电路模型：一个模型中，晶体管吸收了ic的交流电流，另一个模型中，晶体管提供了相同的交流电流。
示例放大器的两个等效电路模型。在一个模型中，晶体管......
摩尔定律“60岁高龄” 仍是半导体行业的驱动力(2023-03-27)
曼彻斯特大学计算机工程学教授斯蒂芬·弗伯说：“摩尔发现，可以在集成电路上装配的晶体管的数量每两年左右就会增加一倍。他预言这种指数级增长过程将持续10年，也就是一直持续到1975年。”
弗伯......
推挽式B类功率放大器的基本原理(2024-01-22)
给负载的功率（PL）随着ic的平方而增加。
从电源中提取的功率（PCC）呈线性增加。
晶体管中消耗的功率（PTran）在ic的最大值处达到最大值。
每个晶体管中......
MOSFET共源放大器介绍(2024-02-27)
连接的MOSFET（左）及其小信号模型（右）。
在二极管连接的晶体管中，漏极电压总是等于栅极电压。因此，当电流流动时，它总是饱和的，就像我们在方程式3中看到的那样：
•方程式3。
如果我们将测试电压源连接到二极管连接的晶体管......
MOSFET共源放大器介绍(2024-02-26)
极和漏极端子短路在一起，如图6的左侧部分所示。小信号等效模型如图右侧所示。
左：栅漏）。右：的小模型。
•图6。栅极-漏极连接的MOSFET（左）及其小信号模型（右）。
在二极管连接的晶体管中，漏极......
51单片机的GPIO配置(2023-07-11)
计采用3个上拉晶体管适应不同的需求，在3个上拉晶体管中，有1个上拉晶体管称为“弱上拉”，当端口寄存器为1且引脚本身也为1时打开。此上拉提供基本驱动电流使准双向口输出为1。
如果一个引脚输出为1而由......
关于半导体工艺节点演变，看这一篇就够了(2017-02-20)
的尺寸。
为什么这个尺寸重要呢？因为晶体管的作用，简单地说，是把电子从一端(S)，通过一段沟道，送到另一端(D)，这个过程完成了之后，信息的传递就完成了。因为电子的速度是有限的，在现代晶体管中，一般......
曝台积电明年量产2nm工艺：苹果首发(2024-05-29)
-Around，中文名为全环绕栅极晶体管，其本质上是一种新型的晶体管设计，可以在更小的制程下提供更好的性能。
在GAA晶体管中，栅极材料包围了晶体管的源和漏，从而提供了更好的电流控制。
这可......
消息称美国要对中国进口的显卡、主板等恢复征收关税！(2024-05-29)
，GAA全称Gate-All-Around，中文名为全环绕栅极晶体管，其本质上是一种新型的晶体管设计，可以在更小的制程下提供更好的性能。
在GAA晶体管中，栅极材料包围了晶体管......
妙趣横生的电子小知识 第1篇：初识晶体管(2023-03-06)
将晶体管的工作原理比作水流模型
从这个模型可以看出，粗管阀门的开闭可以通过细管阀门的开闭来控制。
可能有人会问，“为什么要特意使用联动的阀门呢？直接开闭粗管的阀门不就可以了吗？”这里......
妙趣横生的电子小知识 第1篇：初识晶体管(2023-03-03)
可或缺的重要器件。
但是，对于电子制作初学者来说，掌握晶体管的使用方法有点难。刚开始电子制作时使用的元器件，比如电池、LED、电阻器和开关等，几乎都是两个引脚，而晶体管却有三个引脚。看到三个引脚就已经不知道应该接哪里、应该接什么......
一个便携式的230V大功率白炽灯闪光器电路图(2023-06-09)
）。
该电路是完全晶体管化和电池供电的。自激振荡电路由两个低功耗、低噪声晶体管T1和T2实现。这两个晶体管中的一个持续导通，而另一个截止。由于电容器C1和C2的正常充电和放电，两个晶体管......
还搞不懂TIP147是什么管子？看这一文，引脚图+参数+工作原理(2024-01-22)
面积
3、TIP147 3D 模型
TIP147 3D模型
四、TIP147 三极管参数
晶体管类型： PNP 达林顿
最大集电极电流(IC )：-10A
最大集电极-发射极电压（V CE......
3.3V和1.8V电平转换——电平转换芯片(2024-11-21 14:19:56)
。
每个导通晶体管的低端上的最大正电压限制由参考晶体管设置的电压
。晶体管中的所有晶体管电气特性相同；因此它们中的
任何一个都可用于参考晶体管......
采样保持电路工作原理+电路案例(2024-11-20 12:53:06)
时间是保持电容中的电荷达到接近输入电压的水平所需的时间。采集时间受三个因素影响：
RC 时间常数，其中 C 代表保持电容，R 代表导通电阻，用于计算时间长度的常数。
运算放大器压摆率， 是晶体管中的晶体管中的晶体管中的晶体管中的晶体管......
自制频谱分析仪(2023-03-17)
下变频至10.7 MHz的第二中频之前被放大和滤波。第一个IF被选择来适合我库存中的螺旋滤波器。没有理由为什么不能使用另一个频率（例如145 MHz）来代替。
晶体滤波器决定分辨率带宽。螺旋......
下一代高性能晶体管——纳米线能否继任FinFET(2016-11-23)
的一种自然延伸，在工艺上他们有很多相似之处，目前FinFET的所采用的制造技术几乎可以全部应用到水平纳米线围栅晶体管中。
利用纳米线堆栈实现晶体管（截面图） （图片来源：IMEC......
下一代高性能晶体管——纳米线能否继任FinFET(2016-11-23)
的一种自然延伸，在工艺上他们有很多相似之处，目前FinFET的所采用的制造技术几乎可以全部应用到水平纳米线围栅晶体管中。
利用纳米线堆栈实现晶体管（截面图） （图片来源：IMEC......
SIP模块需求量持续上升，市场越来越热，有望成为主流封装工艺(2022-11-06)
台的一个特点是围绕夹在基板之间的功率 FET 的 EMC 填充工艺。EMC 必须满足杨氏模量（拉伸）和玻璃化转变温度（流动）的特定参数，以最大限度地减少封装翘曲——这在功率晶体管中尤其重要，因为......
技术前沿：“环抱”晶体管与“三明治”布线(2024-09-12)
。
RibbonFET：栅极“环抱”晶体管
通过RibbonFET晶体管，英特尔实现了全环绕栅极（GAA）架构。在晶体管中，栅极扮演着关键的开关角色，控制着电流的流动。RibbonFET使得栅极能够全面环绕带状的晶体管......
MOSFET开关损耗简介(2024-04-30)
的栅极到源极电压足以使电流流过沟道，但沟道电阻相对较高。跨沟道的电压和流过沟道的电流都是显著的，导致晶体管中的高功耗。
在开关模式中，栅极到源极电压足够低以防止电流流动，或者足够高以使FET处于“完全增强”状态，在该......
新能源汽车解析丨什么是IGBT？结构与拆解(2023-10-08)
新能源汽车解析丨什么是IGBT？结构与拆解;IGBT （绝缘栅双极晶体管）作为一种功率半导体器件，广泛应用于轨道交通、智能电网、工业节能、电动汽车和新能源装备等领域。具有节能、安装方便、维护......
7nm物理极限！1nm晶体管又是什么鬼？(2016-10-11)
7nm物理极限！1nm晶体管又是什么鬼？;适用了20余年的摩尔定律近年逐渐有了失灵的迹象。从芯片的制造来看，7nm就是硅材料芯片的物理极限。不过据外媒报道，劳伦......
一文看懂3D晶体管(2016-11-01)
来看看早期最有力、速度最快的BJT晶体管和现在最常用的MOSFET晶体管有什么不同。
BJT晶体管通道
BJT的构成很简单，就是把2个P型半导体夹住1个N型半导体变成三明治。当然，也有用2个N型半......
想知道你老了后会变成什么模样吗？迪士尼展示 AI 老化工具 FRAN(2022-12-01)
想知道你老了后会变成什么模样吗？迪士尼展示 AI 老化工具 FRAN;IT 之家 12 月 1 日消息，迪斯尼科研工作室（Disney Research Studios）近日展示了名为 的面部老化网络模型......
用于模拟IC设计的小信号MOSFET模型(2024-01-26)
述了体效应如何影响漏极电流。我们可以计算如下：
方程式6
其中η是背栅跨导参数，通常取值在0到3之间。
低频和高频模型
现在我们已经定义了我们的参数，我们可以建立一个电路模型，表示晶体管的小信号操作。图4......
HMC554A-DIE数据手册和产品信息(2024-11-11 09:20:11)
HMC554A-DIE数据手册和产品信息;HMC554ACHIPS 是一款通用型双平衡混频器，可用作 10 GHz 至 20 GHz 的上变频器或下变频器。该混频器采用砷化镓 (GaAs) 金属半导体场效应晶体管......
帮助电源解决方案遵循摩尔定律(2024-05-06)
和能量存储为主。与低压半导体一样，这类元件每十年的关键品质因数 (FOM) 往往会比每年翻一番。与电源解决方案有什么关系？对电子和电气设备路线图发展速度的考虑通常会围绕[2]，这更多的是晶体管缩放的经济趋势，而不......
还搞不懂推挽放大电路？看这一文，工作原理+电路图讲解，秒懂(2024-11-19 20:04:21)
个很好的选择。主要优点就是当没有信号存在时，输出晶体管中没有功耗。缺点就是信号子0V附近失真。下面来看看使用一些简单的技术可以降低多少失真。
推挽......
基础知识之SPICE(2024-04-03)
的。 实际的电子电路组合了多个IC、分立元件等。那么，所谓的IC的SPICE模型是什么样的呢？ 就现在的IC来说，简单的IC是由几十个元件构成，而被称为ULSI的IC是由几亿个元件构成。 若如实制作每个晶体管......
STC15W408AS单片机GPIO口介绍及其工作模式(2024-01-31)
脚输出为低时，它的驱动能力很强，可吸收相当大的电流。准双向口有3个上拉晶体管适应不同的需要。
在3个上拉晶体管中，有1个上拉晶体管称为"弱上拉"，当端口 为1时打开。此上拉提供基本驱动电流使准双向口输出为1......
院士观点:计算驱动当今的发现和创新(2023-12-30)
驱动是计算密集型、数据驱动和基于模型的完美结合。本文引用地址：1 20世纪是电气化驱动的
之前的科学发现和创新是被什么驱动的？图1是美国工程院对20 世纪最伟大的工程技术发明做的调查，可见......
登纳德定律中一直在“偷懒”的芯片(2017-06-01)
登纳德定律中一直在“偷懒”的芯片;
来源：内容来自 原理 ，谢谢。
什么是登纳德缩放比例定律？为什么芯片里总有那么一部分甚至一大部分是不能同时工作的？那为什么我们还要费尽心思往集成电路里加更多的晶体管......
Nexperia将于2021年9月21日-23日举办“Power Live”(2021-08-30)
Live’，这是其第二次举办此年度虚拟会议。鉴于去年首届活动取得圆满成功，本届为期三天的活动将扩大规模，涵盖与功率电子元件相关的众多主题，包括面向汽车和工业应用的GaN、MOSFET、功率二极管和双极性晶体管......
自动驾驶大模型，千万别入戏太深(2024-02-06)
一个伦理道德问题，没有标准答案，人工智能再强大，也无法计算这样的问题。
其次，许多情况，无论用什么模型，用多么强的算力，也都算不出来。
在数学上，还有一个经典命题，1900年，数学......
新能源汽车里面的配电系统和E-Fuse(2023-07-11)
次击穿限制， 与双极晶体管中的二次击穿区域类型相同，该区域在连续运行或以相对较长的脉冲宽度（几毫秒或更长）打开的条件下出现。
......
AMD祭出“史上最复杂芯片”：狂塞1460亿个晶体管 采用Chiplet技术(2023-01-09)
迄今最复杂的芯片”，共有1460亿个晶体管，相较InstinctMI250X，InstinctMI300可提升8倍的AI训练算力和5倍的AI能效。image
1460亿个晶体管是什么概念？英特......
分析接收机和频谱仪的EMI测试方法和结果的差异(2023-03-20)
谱仪模式还是-6dB的接收机模式，只是软件函数的切换选择；
检波器也是数字检波器，选用什么算法也是软件设置；
软件设置电压和功率单位换算；
本振的扫描方式选择连续扫描还是步进，更是......
新方法“近乎完美”控制单原子，提高建造通用量子计算机可能性(2024-04-01)
用电信号和磁信号来操纵它们处理信息，就像操纵传统计算机中的二进制晶体管来输出0或1一样。
建造量子计算机的各种方法正在研发中，但还没有一种方法能够达到所需的规模和低错误率。
在硅晶体中精确定位单个“杂质”原子，从而......
PLC 开关量输出接口有哪几种类型?各有什么特点?(2024-08-19)
机等其他设备进行信息交换;
（5）电源。
3、 PLC 开关量输出接口有哪几种类型?各有什么特点?
晶闸管输出型:一般情况下，只能带交流负载,响应速度快,动作频率高;
晶体管输出型:一般情况下，只能......
摩尔定律没有死去，而是一直在推进：看英特尔如何延续摩尔定律(2024-06-26)
绕栅极（GAA）晶体管，它代表了英特尔自FinFET以来的首个全新晶体管架构。这项技术的优势在于：
在RibbonFET晶体管中，栅极能够更好地控制电流的流通，同时......
A类功率放大器简介：共发射极PA(2024-01-03)
，放大器的最大效率计算为：
向负载输送交流电
由电源提供的电力
方程式10
这意味着电源必须提供4 W才能向负载提供1 W。额外的3 W的一部分在晶体管中损失；其余部分作为RL中的直流功率损失。在实......
半导体工艺变局在即｜3nm以下工艺举步维艰，纳米片浮出水面(2023-01-11)
代纳米片将使用高迁移率材料来制作pFET，nFET继续使用硅。这些材料使沟道中的电子移动得更快，提高了器件性能。高迁移率沟道并不是新东西，已经在晶体管中用了很多年。但这......
英特尔、三星和台积电演示3D堆叠晶体管，三大巨头现已能够制造互补场效应晶体管（C(2023-12-18)
堆叠成反相器电路所需的所有互连装置挤入区域会损耗优势。为了保持紧凑，英特尔试图消除与连接到堆叠设备有关的一些拥挤。在今天的晶体管中，所有连接都来自设备本身的上方。但是，英特......
学习PLC必须知道的几个问题(2023-09-12)
机等其他设备进行信息交换;
（5）电源。
3、 PLC 开关量输出接口有哪几种类型?各有什么特点?
晶闸管输出型:一般情况下，只能带交流负载,响应速度快,动作频率高;
晶体管输出型:一般情况下，只能......
plc入门基础知识大全及答案(2024-04-29)
通信接口与监视器、打印机等其他设备进行信息交换;
（5）电源。
3、 PLC 开关量输出接口有哪几种类型?各有什么特点?
晶闸管输出型:一般情况下，只能带交流负载,响应速度快,动作频率高;
晶体管输出型:一般......
搞自动化PLC必懂的基础知识汇总(2023-07-26)
量输出接口有哪几种类型?各有什么特点?
晶闸管输出型:一般情况下，只能带交流负载,响应速度快,动作频率高;
晶体管输出型:一般情况下，只能带直流负载,响应速度快,动作频率高;
继电器输出型:一般情况下，可带......
关于PLC的15个基础，你知道多少？(2024-01-04)
通信接口与监视器、打印机等其他设备进行信息交换; （5）电源。
3、 PLC 开关量输出接口有哪几种类型?各有什么特点? 晶闸管输出型:一般情况下，只能带交流负载,响应速度快,动作频率高; 晶体管输出型:一般......
plc的自动化控制的15个基础知识有哪些？(2024-07-11)
。
3、PLC开关量输出接口有哪几种类型?各有什么特点?
晶闸管输出型:一般情况下，只能带交流负载,响应速度快,动作频率高; 晶体管输出型:一般情况下，只能带直流负载,响应速度快,动作频率高; 继电......
相关企业
;铁岭市高中频设备厂;;铁岭市高中频设备厂成立于一九九八年，是专业生产全晶体管化高频（全固态）、中频、超音频感应加热设备为主，电子管、晶闸管高频（高频炉），超音频，中频感应加热设备（中频炉）为辅
与国外几家著名感应加热厂商合作，开发了KGPS系列可控硅中频电源、IGPS系列IGBT晶体管中频及超音频电源、WFSP系列MOSFET场效应晶体管高频电源等三大系列，共40多个品种的高中频感应加热电源，以及WFBY（变压
和FET,功率双极晶体管和FET, IGBT, etc） h. 二极管（整流、齐纳、开关二极管,SBD,变容二极管,etc） i. 晶闸管/可控硅 II 罗姆电子 a. ASSP（音视频用IC
产品涉及各个领域，与俄罗斯、台湾的大型相关企业有着良好的交流与合作。公司涉及生产高频低噪声中小功率晶体管、场效应管中小功率晶体管、中小功率晶体管场效应管中小功率晶体管、带阻晶体管、开关二极管、变容二极管、肖特
;香袭人精油品牌;;什么牌子的精油好?最有效的去痘印方法，如何快速去痘，2010年淘宝网最有效的祛痘印产品排行榜，去痘印用什么精油?薰衣草精油祛痘，想知道薰衣草精油去痘印效果好吗？薰衣草精油去痘印为什么
熔炼炉和保温炉为主导产品的前提下，又开发出IGBT晶体管中频电源，该设备特别适合中小功率中频感应熔炼场合，比传统设备可节电10%，而且对电网没有高次谐波污染。先进可靠的变频电源，再配置坚固、实用的感应电炉，延长
十分便利。 公司自创立以来专业致力于感应加热设备的开发、制造，秉承不断创新的精神，同时加强与国内科研机构的合作，与上海电炉研究所、西安电炉研究所、哈工大联合研究的IGBT晶体管中频装置技术更是国内领先。 一贯
省级鉴定、并获“1996年度国家级新产品认证。认定该产品属国内创新、达到国际水平。公司生产的中频无心感应炉、中频电炉加热炉和IGBT晶体管模块中频电源装置比同类电炉产品更加省电30%左右，并具
;襄樊立科电力电子有限公司;;晶闸管中频变频装置系列、IGPS系列IGBT超音频电源、晶闸管触发系统系列、晶闸管调压电源、电解电镀电源等。
于电子管高频电源、MOS晶体管高频电源、IGBT中高频电源、大功率晶闸管中频电源、电炉调压电源。广泛用于机械制造、铁路、航空航天、有色金属、硬质合金、太阳能电池、新材料制造等行业中的熔炼、透热、淬火、高温烧结、钎焊