资讯
【泰克应用分享】 FET 生物传感器的直流I-V 特性研究(2023-11-17)
些应用包括检测特定分子，如葡萄糖、pH值和离子种类。
图6. 扩展栅FET
离子选择FET（ISFET）
如图7所示，离子选择场效应晶体管（ISFET）用于测量溶液中的离子浓度。离子浓度与流过晶体管的漏极电流......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
英文全称Metal Oxide Semiconductor，中文全称是金属-氧化物-半导体场效应晶体管，属于一种电压控制型器件，正如其名，由金属(M)，氧化物(O)和半导体(S)构成，和三......
一种新的软件时序偏差校准方法加速双脉冲测试进程(2023-11-03)
速度显著加快，缩短了测试时间。
该技术适用于使用场效应晶体管或 IGBT 的功率转换器。在本篇文章中，我们将使用 FET 术语，来使得描述简单明了。
为什么要消除时序偏差（deskew）？
在设......
【泰克应用分享】一种新的软件时序偏差校准方法加速双脉冲测试进程(2023-11-03)
速度显著加快，缩短了测试时间。
该技术适用于使用场效应晶体管或 IGBT 的功率转换器。在本篇文章中，我们将使用 FET 术语，来使得描述简单明了。
为什么要消除时序偏差（deskew）？
在设......
一种低电压、低功耗模拟电路设计方案(2024-07-23)
驱动MOS晶体管的原理类似于结型场效应晶体管，也就是一个耗尽型器件，它可以工作在负、零、甚至略微正偏压条件下[2].由于衬底电压影响与反型层(即导电沟道)相连的耗尽层厚度，通过MOS晶体管的体效应改变衬底电压就能调制漏极电流......
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA(2023-09-12)
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA;MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化，N沟道增强型功率MOS场效应......
浅析基本放大电路！(2024-10-05 18:03:02)
间电压
U
GS
来控制漏极电流
i
D
，因此，它和晶体管一样可以实现对能量的控制......
用于模拟IC设计的小信号MOSFET模型(2024-01-26)
的最佳值，使单个晶体管产生最大的增益——换句话说，它的固有增益。对于现代工艺，固有增益通常在5到10之间。
体效应跨导
我们需要推导的最后一个小信号参数是体效应跨导（gmb），它描述了体效应如何影响漏极电流......
中国科大首次研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管(2023-02-28)
)器件工作原理示意图；(c)N离子注入晶体管的输出曲线；(d)与已报道的氧化镓垂直场效应晶体管的性能比较。
氧气氛围退火和N离子注入所形成的电流阻挡层均能够有效隔绝晶体管源、漏极之间的电流......
使用先进的SPICE模型表征NMOS晶体管(2024-06-18)
的长度和宽度。图片由Robert Keim提供
对于这个，我选择了90纳米的长度和360纳米的宽度。
绘制漏极电流和栅极电压
我们可以使用图4的示意图对该电路进行快速检查，并确定其近似阈值电压。请注意：
栅极......
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5(2023-09-26)
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5;MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。有P沟道MOS管和N沟道MOS管，SVG032R4NL5采用......
下一代纳米结构开启制造超低功率电子元件的可能(2023-04-25 09:55)
长出一个多层TMDC结构。资料来源：东京都立大学
场效应晶体管（FET）是几乎所有数字电路的一个重要组成部分。它们根据跨接的电压来控制电流的通过。虽然金属氧化物半导体场效应晶体管（或称MOSFET）构成了当今使用的大多数场效应晶体管......
下一代纳米结构开启制造超低功率电子元件的可能(2023-04-23)
长出一个多层TMDC结构。资料来源：东京都立大学
场效应晶体管（FET）是几乎所有数字电路的一个重要组成部分。它们根据跨接的电压来控制电流的通过。虽然金属氧化物半导体场效应晶体管（或称MOSFET）构成了当今使用的大多数场效应晶体管......
还在为用氮化镓设计高压电源犯难？试试这两个器件(2023-03-29)
转换效率和功率密度是设计成功的关键。本文引用地址：
为了满足这些要求，开关模式电源系统的设计者需要从使用传统的硅 (Si) 基金属氧化物场效应晶体管 (MOSFET) 和绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 转为使用其它器件，因为......
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系(2024-11-09 00:48:11)
金属-氧化物-半导体场效应晶体管，简称场效晶体管。内部结构(以N-MOSFET为例)如下图所示。
MOSFET......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
MOS管基础及选型指南;，即金属（Metal）—氧化物（Oxide）—半导体（Semiconductor）场效应晶体管，是一种应用场效应原理工作的半导体器件。本文引用地址：
和普通双极型晶体管......
MOSFET开关损耗简介(2024-04-30)
）。
栅极电荷损失
所有MOSFET都有一层绝缘层，可以防止电流流过栅极端子——这也是它们与其他类型场效应晶体管的区别所在。然而，严格地说，这种绝缘只能阻挡稳态电流。如图3所示，MOSFET的绝......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
表示。
控制栅极电压VGS的大小改变了电场的强弱，就可以达到控制漏极电流ID的大小的目的，这也是MOS管用电场来控制电流的一个重要特点，所以也称之为场效应管。
3、MOS管的特性
上述MOS管的......
pHEMT功率放大器的有源偏置解决方案(2023-10-30)
沟道的高电导率可能会导致器件烧毁。本文探讨耗尽型射频(RF)放大器的工作原理以及如何对其有效偏置。耗尽型场效应晶体管(FET)需要负栅极电压，并且必须小心控制开启/关断的时序。文中将介绍并比较固定栅极电压和固定漏极电流......
中科大在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展(2022-05-27)
能力。此外，器件的导通电阻得到了很好的保持，为151.5Ω·mm，并且击穿电压达到了980V。
▲图2.基于异质PN氧化镓结型场效应晶体管（a）结构示意图及工艺流程图，（b）不同漏极......
东芝开发带嵌入式肖特基势垒二极管的低导通电阻高可靠性SiC MOSFET(2022-12-13)
; Storage Corporation)和东芝株式会社(Toshiba Corporation)（统称“东芝”）已经开发了一种碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该晶体管......
三星向外界公布 GAA MBCFET 技术最新进展(2023-06-27)
之间通过通道流动。
在晶体管设计的优化过程中，有三个关键变量：性能、功耗和面积（PPA）。晶体管制造商一直在不断追求更高的性能、更低的功耗要求和更小的面积。
随着晶体管尺寸的缩小，它们的结构也从平面晶体管发展到鳍式场效应晶体管......
芯片三巨头发力CFET晶体管，进军埃米时代(2024-06-03)
芯片三巨头发力CFET晶体管，进军埃米时代;
【导读】日前，台积电资深副总经理暨副共同首席运营官张晓强在2024技术论坛上宣布，台积电已成功集成不同晶体管架构，在实验室做出CFET（互补式场效应晶体管......
立锜科技与宜普电源转换携手推出小型化、140W快充解决方案(2023-01-18)
立锜科技与宜普电源转换携手推出小型化、140W快充解决方案;
【导读】宜普电源转换公司（EPC）和立锜科技（Richtek）携手推出新型快充参考设计，使用RT6190降压-升压控制器和氮化镓场效应晶体管......
不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
放大系数是（跨导gm）当栅极电压改变一伏时能引起漏极电流变化多少安培。晶体三极管是电流放大系数（贝塔β）当基极电流改变一毫安时能引起集电极电流变化多少。
3、场效应管栅极和其它电极是绝缘的，不产生电流......
不同的电平信号的MCU串口通信(2024-10-24 15:47:14)
器件，由VGS控制ID，普通的晶体三极管是电流控制电流器件，由IB控制IC。MOS管道放大系数是（跨导gm）当栅极电压改变一伏时能引起漏极电流变化多少安培。晶体三极管是电流......
不同的电平信号的MCU怎么通信？(2024-10-22 16:01:50)
沟道MOS管和NPN型晶体三极管引脚，图二所示是P沟道MOS管和PNP型晶体三极管引脚对应图。
2、场效应管是电压控制电流器件，由VGS控制ID......
pHEMT功率放大器的有源偏置解决方案(2023-11-13)
偏置时序不正确，漏极沟道的高电导率可能会导致器件烧毁。本文探讨耗尽型pHEMT射频(RF)放大器的工作原理以及如何对其有效偏置。耗尽型场效应晶体管(FET)需要负栅极电压，并且必须小心控制开启/关断......
垂直GaN JFET的动态性能(2024-01-02)
问题可能会导致器件的导通损耗增加，并缩短器件在应用中的寿命。”
研究人员将NexGen的650V/200mΩ和1200V/70mΩ级GaN JFET（图1）的性能与商用650V和1200V碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管......
IGBT在新能源汽车上的应用(2024-10-22 08:01:16)
变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。所以这就是其名称中
“场效应”
的来......
立锜科技与宜普电源转换携手推出小型化、140W快充解决方案(2023-01-18)
立锜科技与宜普电源转换携手推出小型化、140W快充解决方案;转换公司（EPC）和科技（Richtek）携手推出新型快充参考设计，使用RT6190降压-升压控制器和氮化镓场效应晶体管EPC2204......
Nexperia发布具备市场领先效率的晶圆级12和30V MOSFET(2022-07-27)
生产大批量基础半导体二极管件的专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护二极管件、MOSFET二极管件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia......
EPC新推最小型化的100 V、2.2 mΩ 氮化镓场效应晶体管(2022-05-16)
EPC新推最小型化的100 V、2.2 mΩ 氮化镓场效应晶体管;
宜普电源转换公司（EPC）新推100 V、2.2 mΩ的氮化镓场效应晶体管（EPC2071）,为设计工程师提供比硅MOSFET更小......
科普丨十大最常用电子元器件介绍(2024-10-22 09:33:32)
管
场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(108......
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板(2021-05-14)
关频率下实现97%的效率，可实现每相800 W，而硅基解决方案只能实现每相600 W，因为后者在100 kHz的最大开关频率下，电感电流受限。通过使用氮化镓场效应晶体管，有可能将3.5 kW转换......
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板(2021-05-14)
关频率下实现97%的效率，可实现每相800 W，而硅基解决方案只能实现每相600 W，因为后者在100 kHz的最大开关频率下，电感电流受限。通过使用氮化镓场效应晶体管，有可能将3.5 kW转换......
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板(2021-05-14)
关频率下实现97%的效率，可实现每相800 W，而硅基解决方案只能实现每相600 W，因为后者在100 kHz的最大开关频率下，电感电流受限。通过使用氮化镓场效应晶体管，有可能将3.5 kW转换......
可控硅控制器工作原理(2024-01-22)
三极管简称普通双极管。
(2)场效应管
场效应管的内部含有许多由导电材料构成的栅源和漏源两个电极形成的空间电荷层而构成具有放大能力的器件叫场效应晶体管，也叫绝缘栅双极晶体管......
这40个模拟电路基础知识太有用了！(2024-06-06)
NPN管，这应该在确定电源形式时同时考虑。有些的外壳与某个电极相连，对于硅管来说往往是集电极。在需要某极接地时应考虑这个因素。
11、场效应晶体管与BJT在工作过程中有很大的区别：BJT中的......
90%的工程师会忽略的 40 个实用模拟电路小常识，你是其中之一吗？(2024-10-20 23:26:13)
是用 PNP 还是 NPN 管，这应该在确定电源形式时同时考虑。有些三极管的外壳与某个电极相连，对于硅管来说往往是集电极。在需要基极接地时应考虑这个因素。
11、场效应晶体管......
90%的人会忽略的40个实用模拟电路小常识(2024-11-30 17:23:02)
地时应考虑这个因素。
11、场效应晶体管与BJT在工作过程中有很大的区别：BJT中的电荷载体是空穴或被击出的少量的“少子”，FET中的电荷则是数目相对多几个数量级的自由电子，“多子......
电子工程师必备！40个模拟电路小常识！(2024-12-15 01:50:33)
场效应晶体管与BJT在工作过程中有很大的区别：BJT中的电荷载体是空穴或被击出的少量的“少子”，FET中的......
OptiMOS线性场效应晶体管兼具低R值与大安全工作区(2017-07-31)
最适合电信和电池管理系统（BMS）中常见的热插拔、电子熔断器和保护应用。耐用的线性模式操作和更高的脉冲电流都有助于实现较低传导损耗、更快启动和更短的停机时间。通过限制较高的励磁涌流，OptiMOS线性场效应晶体管......
模拟集成电路设计中的MOSFET非理想性(2024-01-18)
是非常流行的，这会导致体效应以一种非平凡的方式改变阈值电压。
信道长度调制
理论上，饱和状态的晶体管应作为具有无限输出电阻的理想电流源。 实际上，当沟道收缩时，VDS仍对漏极电流有影响，因此晶体管......
NXP为采埃孚下一代SiC MOSFET提供驱动(2024-06-25)
提高了栅极功率的要求。栅极驱动器还可以保护功率场效应晶体管 (FET) 免受损害，因此它们需要更多的电流隔离和强大的保护功能。
专为电动汽车时代设计的栅极驱动器 IC
NXP 表示，其隔......
如何用万用表测试MOSFET(2024-04-03)
源极 (S)、栅极 (G)、漏极 (D) 和体 (B) 端子。MOSFET 的主体经常连接到源极端子，因此使其成为类似于场效应晶体管的三端器件。
以下是如何判断 MOSFET 是否有缺陷的指南。这些......
Nexperia首次推出 用于48 V汽车和其他更高电压总线电路的80 V RET(2021-01-12)
器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨，每年可交付900多亿件产品，产品符合汽车行业的严苛标准。其产品在效率（如工艺、尺寸、功率及性能）方面......
IBM与三星合作发表VTFET芯片设计技术，预计突破1纳米制程瓶颈(2021-12-14)
以垂直方式堆栈，并让电流也垂直流通，使晶体管数量密度再次提高，更大幅提高电源使用效率，并突破1纳米制程的瓶颈。
相较传统将晶体管以水平放置，垂直传输场效应晶体管将能增加晶体管......
车规级氮化镓ToF可在28A并具1.2ns脉宽的脉冲电流驱动激光(2020-01-14)
速度，驱动二极管、VCSEL或LED，而且具有小尺寸、低能量及低成本等优势。
由于氮化镓场效应晶体管及集成电路提供大电流脉冲、超窄脉宽及小尺寸，所以可以实现不昂贵并且高性能的激光雷达系统。窄脉......
集成电路（IC）芯片内部电路结构详解(2025-01-09 22:09:25)
1) 类型：芯片中最基本的元件是晶体管，主要类型为MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），包括NMOS和PMOS。
2) 结构：晶体管由源极(Source......
相关企业
;szwtron;;分布式组件、集成电路、电子组件、被动组件等。主动组件：小信号晶体管、功率晶体管、场效应晶体管、IGBT、线性IC、逻辑处理IC、LCD驱动IC、、MP3IC、DVDIC、工业
软启动电路，可以减小在上电过程中变压器的应力，防止变压器饱和。 二，韩国信安品牌MOSFET和士兰的高压MOSFET： TSM1N60M/F/D是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管，有TO-251
;丰泰电子（香港）公司;;ROHM大中华区专业经销商。分离式半导体如晶体管，场效应晶体管MOSFET、双极晶体管、数字晶体管、复合晶体管；二极管，肖特基势垒二极管、整流二极管、整流二极管、开关
;结型场效应管 欧阳志航;;欧信电子商行位于中国汕头市潮南区司马浦镇华里西村华祥路顺德楼，欧信电子商行是一家主营各厂家场效应管、肖特基、功率管、可控硅等晶体管的经销批发的个体经营。欧信电子商行经营的主营各厂家场效应
;易信通科技有限公司;;深圳市易信通科技有限公司是一家MOS-FET(场效应晶体管)销售的专家,现推出台湾茂钿半导体股份有限(WWW.MTSEMI.COM)公司全线产品.产品主要有MT2300
;东莞灿域电子有限公司;;我司是一家生产代理.二三极管 .产品系列有各种封装的 晶体管 场效应管 可控蛙 三端稳压IC等品种达800遇种. 产品用于;显示器 电源 音响 电话机 电脑 玩具 节能
;欧阳志航;;欧信电子商行位于中国汕头市潮南区司马浦镇华里西村华祥路顺德楼，欧信电子商行是一家主营各厂家场效应管、肖特基、功率管、可控硅等晶体管的经销批发的个体经营。欧信电子商行经营的主营各厂家场效应
;结型场效应管 深圳市福田区大兴华微电子商行;;深圳市福田区大兴华微电子商行 经销批发的MOSFET场效应管、光耦、FLASH/DDR/SDRM、三端稳压IC、MOSFET场效应晶体管、单双
器专用开关三极管)、大功率晶体管、音响音频配对管、达林顿晶体管、高反压晶体管、MOSFET-功率场效应晶体管、二极管(快恢复/超快恢复、整流/高效整流、稳压/齐纳、双向触发、肖特基、TVS瞬态
;深圳市福田区大兴华微电子商行;;深圳市福田区大兴华微电子商行 经销批发的MOSFET场效应管、光耦、FLASH/DDR/SDRM、三端稳压IC、MOSFET场效应晶体管、单双向可控硅、快速