资讯
性能比硅优越的半导体材料，立方砷化硼取得研究进展(2022-07-25)
洞迁移率较差，此外硅的导热率表现不佳，而“发热”是许多电子产品的主要瓶颈，也因此碳化硅正在逐渐取代硅（包括特斯拉在内的电动车），尽管碳化硅电子移动率（electron mobility）较低，但导热率......
碳化硅大规模上车：道阻且长，行则将至(2023-04-11)
上车的呼声越来越高，很多车企开始在电驱系统中导入碳化硅（SiC）技术。碳化硅半导体宽禁带、高导热率、高击穿场强、高饱和电子迁移率的物理特性，让它能耐高压、高温、高频，从而满足高效率、小型化和轻量化的场景要求。比亚......
我国首次突破沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造技术(2024-09-03)
界击穿电场、高电子饱和迁移速率和高导热率等优良特性。
碳化硅 MOS 主要有平面结构和沟槽结构两种结构，目前业内应用主要以平面型碳化硅 MOSFET 芯片为主。
平面碳化硅 MOS 结构......
露笑科技拟26亿投资碳化硅项目，与天域半导体签订15万片大单(2021-11-24)
注意的是，合肥露笑半导体近日还与下游买家东莞天域半导体签订了《战略合作协议》。
与东莞天域半导体签订15万片大单
根据协议，东莞天域半导体将优先选用露笑半导体生产的6英寸碳化硅导电衬底，且未......
意法半导体第3代SiC碳化硅功率模块，这品牌用上了？(2022-12-19)
平台主要在后轴驱动马达的升压逆变器中，搭载了 SiC 碳化硅导体的功率模块(Power Module)，SiC 碳化硅导体的成本比起 Si 硅导体、IGBT(绝缘闸双极晶体管)更高，但 SiC 碳化硅......
意法半导体第3代SiC碳化硅功率模块，这品牌用上了？(2022-12-13)
-GMP 平台的相关科技信息时，当时就有提到 SiC 碳化硅半导体的身影。
E-GMP 平台主要在后轴驱动马达的升压逆变器中，搭载了 SiC 碳化硅导体的功率模块(Power Module)，SiC 碳化硅导......
Diodes推出符合汽车规格的碳化硅MOSFET产品，可提升车用子系统效率(2023-07-19)
Diodes推出符合汽车规格的碳化硅MOSFET产品，可提升车用子系统效率;【2023 年 7 月 19 日美国德州普拉诺讯】 公司 () (Nasdaq：DIOD) 今日......
Diodes 公司推出符合汽车规格的碳化硅 MOSFET 产品，可提升车用子系统效率(2023-07-19)
Diodes 公司推出符合汽车规格的碳化硅 MOSFET 产品，可提升车用子系统效率;【2023 年 7 月 19 日美国德州普拉诺讯】Diodes 公司 (Diodes) 今日......
共同打造碳化硅在新能源汽车的应用！(2023-09-21)
共同打造碳化硅在新能源汽车的应用！;碳化硅器件（SiC）在新能源汽车领域对传统硅基（Si-）IGBT的替代正在加速。自2018年特斯拉在Model3中首次将IGBT模块替换成SiC模块后，就有......
投资额为25亿元，高金富恒集团碳化硅产业合作项目签约山东东营(2023-03-07)
亿元，建设碳化硅半导体生产基地项目，年产6英寸碳化硅导电片36万片。项目占地230亩，分二期建设，建筑面积8万平方米，计划3月份开工建设，明年年底前建成投产，投产后新增产值20亿元。
封面......
理想率先迈入补能“5G时代”，碳化硅的春天来了？(2023-06-24)
谈热阻的重要原因。
据芯聚能半导体透露，国内及海外的碳化硅厂商能够做到90W/(mK)的导热率，个别厂商已经可以提供130W/(mK)高导热的基板。正如前文所言，随着电动汽车渗透率不断提高，碳化硅势必将借着这股热潮，继续......
天岳先进官宣：液相法P型碳化硅衬底成功交付(2024-11-07)
衬底产品全球市占率排名第三。
2023年，天岳先进与英飞凌、博世等签署了长期合作协议。目前，天岳先进的车规级产品已实现6英寸和8英寸碳化硅导电型衬底产品批量销售。高纯半绝缘碳化硅......
疯狂的碳化硅，国内狂追！(2024-01-24)
和电工占据了全球超90％的碳化硅导电型外延片市场份额，形成双寡头垄断。目前我国由于进口外延炉供货短缺，国内外延炉仍需验证并且外延工艺难度大，国内SiC外延厂商较少，市占率较低。
就国内企业看，瀚天......
露笑科技：现有碳化硅衬底片年产能2.5万片，预计明年6月前扩大到10万片(2021-12-01)
将根据市场订单情况继续进行扩产，预计到明年6月份之前，公司将年产能扩大到10万片。
据了解，目前碳化硅导电型衬底的供给主要集中在海外巨头，美国Wolfspeed、罗姆公司、二六公司占据绝大部分市场份额。国内......
浅谈新能源汽车电驱系统的核心技术(2023-06-26)
点有很多，体积小利于封装和集成、开关/导通响应快且损耗更小、耐压值高（是硅基的10倍）、导热率高利于散热，及更高的功率密度等。
△ 碳化硅优势原理解析
最重要的是使用SiC碳化硅模块的电机控制单元，相比......
深度解析电动汽车电驱动系统的核心技术(2024-03-04)
基的10倍）、导热率高利于散热，及更高的功率密度等。
△ 碳化硅优势原理解析
最重要的是使用SiC碳化硅模块的电机控制单元，相比IGBT模块方案，可以实现从电池到电机路径，约5%的效率提升，也就......
全球加速碳化硅产能扩充(2024-03-18)
全球加速碳化硅产能扩充;受惠于下游应用市场的强劲需求，碳化硅产业正处于高速成长期。据TrendForce集邦咨询预期，至2026年SiC功率元件市场规模可望达53.3亿美元，其主......
这才是第三代半导体的最佳应用场景(2020-12-14)
半导体产业链强，电机控制器则更有竞争力。
蔡蔚指出，碳化硅功率半导体属于第三代宽禁带半导体的一种，具有高饱和电子速度、高导热率、高电子密度、高迁移率等特点。碳化硅器件具备的耐高温、高效、高频特性，正是......
氧化镓商业化脚步临近，或将与碳化硅直接竞争(2023-09-22)
衬底的研究，如转移到高导热率碳化硅和碳基衬底上异质集成制备氧化镓MOSFET器件，近日也出现了将氧化镓与金刚石进行键合的消息。美国弗吉尼亚理工大学通过双面银烧结的封装方式解决散热问题，能够......
新能源电驱动核心的技术有哪些(2023-05-10)
MOSFET 的优点有很多，体积小利于封装和集成、开关/导通响应快且损耗更小、耐压值高（是硅基的10倍）、导热率高利于散热，及更高的功率密度等。
△ 碳化硅优势原理解析
最重要的是使用SiC碳化硅......
国家队加持，芯片制造关键技术首次突破(2024-09-02)
性能“天花板”。据悉这是我国在这一领域的首次突破。
公开资料显示，碳化硅是第三代半导体材料的主要代表之一，具有宽禁带、高临界击穿电场、高电子饱和迁移速率和高导热率等优良特性。碳化硅MOS主要......
GaN和SiC在电动汽车中的应用(2024-01-24)
SiC的导热率比硅高出近3倍，因此组件可以更快地散热。
由于SiC器件，通态电阻和开关损耗也显著降低。这一点意义重大，因为碳化硅比传统硅更有效地散热，随着硅基器件尺寸越来越小，从电......
GaN在射频功率领域会所向披靡吗？(2017-08-01)
最好能够用来散热)。使用金刚石代替硅、碳化硅、或者其他基底材料可以把金刚石高导热率优势发挥出来，可以实现非常接近芯片的有效导热面。
金刚石衬底GaN主要是应用于美国国防部高级研究计划署（DARPA......
电动汽车电驱动系统核心技术是什么(2024-03-26)
MOSFET 的优点有很多，体积小利于封装和集成、开关/导通响应快且损耗更小、耐压值高（是硅基的10倍）、导热率高利于散热，及更高的功率密度等。
△ 碳化硅优势原理解析
最重要的是使用SiC碳化硅......
浅谈电驱系统的演进路线及最核心技术(2023-01-12)
小利于封装和集成、开关/导通响应快且损耗更小、耐压值高（是硅基的10倍）、导热率高利于散热，及更高的功率密度等。
△ 碳化硅优势原理解析
最重要的是使用SiC碳化硅模块的电机控制单元，相比IGBT模块方案，可以......
SiC赛道火热，比亚迪、意法半导体等传来新动态(2022-06-22)
全部达产后，最终形成年产碳化硅衬底近10万片，高纯半绝缘晶体1000公斤的产能；PVT-SiC晶体生长成套设备年产销200台套。据悉，科友半导体产学研聚集区项目一期预计将在今年8月份正式投产。
耗资......
抢夺赛位，第三代半导体战局激烈(2024-07-04)
月启用，并于2024年底开始生产SiC；Nexperia（安世半导体）投资2亿美元（约合人民币14.5亿元）开发碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等下一代宽带隙半导体（WBG），并在......
碳化硅衬底厂商们在行动！(2022-07-23)
衬底片研发中心项目等。露笑科技表示，下一阶段公司将全力推进产能建设。露笑科技还将为下游外延片厂商东莞天域半导体供应6英寸导电型碳化硅导电衬底。
产品方面，天岳先进、天科合达、河北同光晶体等均已完成6英寸......
800V架构下电机面临的两大要求(2023-03-21)
器件导通电阻低，关断时漏电流小，可显著提升电源模组效率；碳化硅器件导热率是硅基器件的三倍，能够承受更高的工作温度，从而降低了散热要求；而碳化硅器件反向恢复电流极低，可以在相对应硅基器件3至5倍的......
提升新能源车电驱方案中单管封装的散热性能(2023-09-26)
厚度要达到230um，折弯安装时易损坏；右边是常规散热界面，采用厚度150um、导热率1.3W/m*k绝缘薄膜K10来实现，成本比较低。
由于单管背板沿对角线形状呈现中间低两头高的分布，有时需要50um、导热率......
如何解决汽车大功率集成磁元件的散热难题？(2023-01-06)
测试了三种不同塑料材料的自然对流。第一种塑料材料是常用的液晶聚合物（LCP），导热率~0.5 W/m·K ，第二种是PA6基化合物（聚酰胺），导热率1.2W/m·K，第三种也是PA6塑料材料，导热率4W/m·K。在内......
如何解决汽车大功率集成磁元件的散热难题？(2024-07-16)
测试了三种不同塑料材料的自然对流。第一种塑料材料是常用的液晶聚合物（LCP），导热率~0.5 W/m·K ，第二种是PA6基化合物（聚酰胺），导热率1.2W/m·K，第三种也是PA6塑料材料，导热率4W/m·K。在内......
采用增强互连封装技术的1200 V SiC MOSFET单管设计高能效焊机(2023-05-23)
采用增强互连封装技术的1200 V SiC MOSFET单管设计高能效焊机;“引言”
近年来，为了更好地实现自然资源可持续利用，需要更多节能产品，因此，关于焊机能效的强制性规定应运而生。经改进的碳化硅......
GaN新技术可使散热能力提高2倍以上(2024-01-04)
公立大学的科学家们成功地用金刚石作为衬底制造了高电子迁移率晶体管。为了进一步提高金刚石的导热性，研究人员在和金刚石之间加入了一层3C-SiC（立方碳化硅）层。这一技术显著降低了界面的热阻，从而提高了散热效率。......
GaN新技术可使散热能力提高2倍以上(2024-01-04)
公立大学的科学家们成功地用金刚石作为衬底制造了GaN高电子迁移率晶体管。为了进一步提高金刚石的导热性，研究人员在GaN和金刚石之间加入了一层3C-SiC（立方碳化硅）层。这一技术显著降低了界面的热阻，从而提高了散热效率。
封面图片来源：拍信网......
汉高为功率芯片应用提供高性能高导热芯片粘接胶(2023-03-14)
宣布推出一款芯片粘接胶，其性能可实现功率半导体封装的可靠运行。乐泰Ablestik
6395T的导热率高达30
W/m-K，是市场上导热性能最好的非金属烧结类产品之一，而且不需要烧结。该产......
上海这一碳化硅长晶技术研发中心大楼封顶(2024-09-11)
研发制造中心将依托公司自有技术，着力研发第三代半导体碳化硅长晶技术和硅基新材料高端产品。项目建成后，将落地形成大尺寸碳化硅长晶炉、特种混炼胶、5G用灌封胶、导热胶、发泡硅橡胶等一系列产品，并通过研发、组装、制造......
纳芯微全新发布1200V系列SiC二极管，布局SiC生态系统(2023-07-11)
纳芯微全新发布1200V系列SiC二极管，布局SiC生态系统;
【导读】碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体材料，相较于硅（Si），具有更大的介电击穿强度、更快......
盘点慕展上的国产SiC产业链玩家(2024-07-10)
国内首家获得汽车质量认证(IATF 16949)的碳化硅半导体材料企业。
在SiC外延片领域，Wolfspeed与昭和电工约占据全球90％以上的碳化硅导电型外延片市场份额。而中......
SiC 与半导体垂直整合的复兴，先进 SiC 解决方案的需求不断增长(2023-02-16)
SiC 与半导体垂直整合的复兴，先进 SiC 解决方案的需求不断增长;
碳化硅 (SiC) 半导体在处理高功率和导热方面比电动汽车 (EV) 系统......
下游需求迅速增长，半导体厂商扩签碳化硅供应协议(2023-01-13)
下游需求迅速增长，半导体厂商扩签碳化硅供应协议;当地时间1月12日，半导体大厂英飞凌宣布，公司正在扩大与碳化硅 (SiC) 供应商的合作，已与Resonac（前身为昭和电工）签署......
Diodes 公司推出功率密度更高的工业级碳化硅 MOSFET(2023-04-13 09:25)
Diodes 公司推出功率密度更高的工业级碳化硅 MOSFET;Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出碳化硅 (SiC) 系列最新产品：DMWS120H100SM4......
英飞凌推出下一代碳化硅技术，充电性能上提升20%(2024-03-27)
CoolSiCG2的设计与屡获殊荣的.XT封装技术相结合，可提供更高的导热性、更好的装配管理和更高的性能。英飞凌供应硅、碳化硅和氮化镓，通过设计灵活性和先进的应用专业知识满足设计人员的期望和需求。基于碳化硅......
Diodes推出功率密度更高的工业级碳化硅 MOSFET(2023-04-13)
Diodes推出功率密度更高的工业级碳化硅 MOSFET;
【导读】Diodes 公司 推出碳化硅 (SiC) 系列最新产品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET......
ST Microelectronics获22亿美元建造世界首个碳化硅工厂(2024-06-03)
充道：“我完全相信其他国家也会有更多的投资，而且我认为它们也会很快到来，但我现在不能告诉你具体时间。”
除了这项投资，值得关注的是其对碳化硅的关注。与传统的硅片相比，碳化硅在硬度、导热......
汽车功率半导体成立行业组织(2023-04-11)
功率半导体成本。
公开资料显示，以碳化硅为代表的第三代半导体在高功率、大电压环境下具有更好的导热性、耐压性等特性，新能源车领域对碳化硅器件的需求不断攀升。
据TrendForce集邦咨询研究统计，随着......
英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2， 推动低碳化的高性能系统(2024-03-12)
英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2， 推动低碳化的高性能系统;【2024年3月12日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽......
碳化硅下游市场需求旺盛 企业纷纷扩张产能加速出货(2023-08-14)
，在新能源汽车的高压充电技术方面，碳化硅作为其中的关键材料，其需求正日益增长。“碳化硅作为一种优良的半导体材料，具有耐高压、导热好、耐高温等优点，是实现高压快充技术的核心材料，能够......
碳化硅下游市场需求旺盛 企业纷纷扩张产能加速出货(2023-08-21)
项目已经落地实施。
例如，在汽车的高压充电技术方面，碳化硅作为其中的关键材料，其需求正日益增长。“碳化硅作为一种优良的半导体材料，具有耐高压、导热好、耐高温等优点，是实现高压快充技术的核心材料，能够......
英凯高级材料有限责任公司推出突破性导热底部填充胶UF 158A2(2023-05-17 09:35)
我们的客户提供可靠且具有成本效益的解决方案：1). 快速流动且易于使用底部填充 100x100 mm 芯片（20m 间隙）；2) 缩短制造过程；3). 高导热率 3-4W/mk；4). 快速固化和可返工；5). 巨大的成本节约，满足......
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和销售于一体的综合性企业。公司专业生产刚玉、碳化硅，刚玉莫来石耐火材料，产品广泛应用于磁性材料厂、陶瓷厂和玻璃窑炉等行业。现主要产品有：规格为25KG-1T的刚玉-碳化硅坩埚、浇口；粉体煅烧匣钵；氧化
;苏州英能电子科技有限公司;;苏州英能电子科技有限公司，成立于2011年5月，是一家专注碳化硅二极管研发、生产、销售的半导体制造公司，其以优秀的归国博士团队为基，与浙江大学电力电子中心密切合作，引进国外碳化硅