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研发客服【2023 年 7 月 19 日美国德州普拉诺讯】 公司 () (Nasdaq：DIOD) 今日宣布推出 DMWSH120H90SM4Q 和 DMWSH120H28SM4Q 两款符合汽车规格的碳化硅 (SiC) MOSFET，进一步强化宽能隙 (Wide-Bandgap) 产品阵容。此系列 N 信道 MOSFET 产品可满足市场对 SiC 解决方案不断增长的需求，提升电动与混合动力汽车 (EV/HEV) 车用子系统的效率及功率密度，例如电池充电器、车载充电器 (OBC)、高效 DC-DC 转换器、马达驱动器及牵引变流器。
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DMWSH120H90SM4Q 可在最高 1200VDS 范围内安全可靠地运作，其闸极-源极 (Gate-Source) 电压 (Vgs) 为 +15/-4V，且在 15Vgs 时具有 75mΩ (典型值) 的 RDS(ON)规格。此装置适用于 OBC、汽车马达驱动器、EV/HEV 中的 DC-DC 转换器以及电池充电系统。
DMWSH120H28SM4Q 可在最高 1200VDS、+15/-4Vgs 的条件下运作，且在 15Vgs 时具有较低的 20mΩ (典型值) RDS(ON)。此 MOSFET 适用于其他 EV/HEV 子系统中的马达驱动器、EV 牵引变流器及 DC-DC 转换器。凭借低 RDS(ON) 的特性，在需要高功率密度的产品应用中，此系列 MOSFET 能以较低的温度运作。
这两款产品均有低导热率 (RθJC=0.6°C/W)，DMWSH120H90SM4Q 的汲极 (Drain) 电流高至 40A，DMWSH120H28SM4Q 的汲极电流高至 100A。此系列也内建快速且稳健的本体二极管 (Body )，具有低反向复原电荷 (Qrr)，在 DMWSH120H90SM4Q 中为 108.52nC，在 DMWSH120H28SM4Q 中为 317.93nC，因此能够执行快速切换，同时降低功率损耗。
Diodes 采用平面制造技术开发出全新 MOSFET，能在汽车产品应用中提供强大与可靠的效能，提高汲极电流、崩溃 (Breakdown) 电压、接面温度及功率环形电路，表现优于先前发布的版本。此系列装置采用 TO247-4 (WH 型) 封装，提供额外的凯氏感测 (Kelvin-sensing) 接脚。可连接至源极以优化切换效能，实现更高的功率密度。
DMWSH120H90SM4Q 与 DMWSH120 H28SM4Q 均符合 AEC-Q101 标准，由 IATF 16949 认证的设施制造，并支持 PPAP 文件。