近期，大阪公立大学的研究团队成功利用金刚石为衬底，制作出了氮化镓（）晶体管，其散热性能是使用碳化硅（SiC）衬底制造相同形状晶体管的两倍以上，有望应用于5G通信基站、气象雷达、卫星通信、微波加热、等离子体处理等领域，该研究成果已发表在“Small”杂志上。

随着半导体技术不断发展，功率密度和散热等问题日益凸显，业界试图通过新一代材料解决上述问题。

据悉，金刚石具备极强的导热性能，氮化镓具有宽带隙和高导电性等特性，居于上述特性，以金刚石为衬底的氮化镓晶体管被寄予厚望。

在最新研究中，大阪公立大学的科学家们成功地用金刚石作为衬底制造了高电子迁移率晶体管。为了进一步提高金刚石的导热性，研究人员在和金刚石之间加入了一层3C-SiC（立方碳化硅）层。这一技术显著降低了界面的热阻，从而提高了散热效率。