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研发客服11月6日，据天岳先进官微消息，天岳先进近日向客户成功交付高质量低阻P型碳化硅衬底。天岳先进表示，高质量低阻P型碳化硅衬底将加速高性能SiC-IGBT的发展进程，实现高端特高压功率器件国产化。
据介绍，针对高压大功率电力电子器件用P型碳化硅单晶衬底存在的成本高、电阻率高、缺陷控制难度大等技术难题，天岳先进布局液相法技术，在2023年公布了全球首个8英寸碳化硅晶体，并于2024年推出了采用液相法制备的4度偏角P型碳化硅衬底。
据悉，液相法具有生长高品质晶体的优势，在长晶原理上决定了可以生长超高品质的碳化硅晶体。天岳先进目前在液相法领域获得了低贯穿位错和零层错的碳化硅晶体。其通过液相法制备的P型4度偏角碳化硅衬底，电阻率小于200mΩ·cm，面内电阻率分布均匀，结晶性良好。
市占率方面，天岳先进N型产品市占率全球第二，高纯半绝缘型碳化硅衬底产品全球市占率排名第三。
2023年，天岳先进与英飞凌、博世等签署了长期合作协议。目前，天岳先进的车规级产品已实现6英寸和8英寸碳化硅导电型衬底产品批量销售。高纯半绝缘碳化硅衬底产品，为高频高输出的射频器件提供材料品质基础，适用于5G基站射频器件、卫星通信等应用。
文章来源于:全球半导体观察 原文链接
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