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晶格领域：公司液相法生长碳化硅晶圆项目开始试生产(2021-04-08)
年产值6亿元。其中，项目一期投资5000万元，租赁厂房1050平方米，建设4—6英寸液相法碳化硅晶体生长中试线。
据了解，晶格领域于2020年06月注册成立，注册资本2000万元，其主营业务为碳化硅......
第三代半导体SiC动态涌现！(2024-05-16)
第三代半导体SiC动态涌现！;近日，化合物半导体动态频频，国家标准GB/T 43885-2024《碳化硅外延片》正式对外发布，并将于今年年末开始实施。另外晶升股份研发出液相法碳化硅晶体生长设备，多家碳化硅......
晶格领域获得投资，加速推进液相法SiC衬底研发和生产(2024-12-17)
。
资料显示，晶格领域是集碳化硅（SiC）衬底研发、生产及销售于一体的创新型高技术企业，具有自主知识产权的液相法碳化硅单晶生长技术，能有效提高晶体质量，降低生产成本，并能制备出高质量4H-p型碳化硅和3C......
天岳先进官宣：液相法P型碳化硅衬底成功交付(2024-11-07)
布了全球首个8英寸碳化硅晶体，并于2024年推出了采用液相法制备的4度偏角P型碳化硅衬底。
据悉，液相法具有生长高品质晶体的优势，在长晶原理上决定了可以生长超高品质的碳化硅晶体。天岳先进目前在液相法领域获得了低贯穿位错和零层错的碳化硅晶体......
从基础到应用碳化硅晶体研制获突破(2023-01-29 10:07)
，研制情况如何？在物理研究所的先进材料与结构分析实验室，陈小龙和同事们正在对刚刚生长出来的碳化硅晶体进行分析研究。与传统的气相法不同，这个4英寸的碳化硅晶体采用的是最新的液相法生长而成。中科......
国产“芯”，遍地开花(2024-12-04)
光伏与半导体装备领域全产业链。在半导体装备领域，此前10月底，连科半导体的液相法碳化硅（感应）加热长晶炉及液相法碳化硅电阻加热长晶炉已在客户现场完成验收。液相法技术在细分领域的优势逐步凸显，尤其适用于生长P型碳化硅衬底，可实现生长......
碳化硅衬底又传新动态！涉及晶盛机电/天岳先进(2023-12-06)
推进第三代半导体材料国产化进程。
自2017年，晶盛机电开始碳化硅晶体生长设备和工艺的研发，通过研发团队的技术攻关，公司于2018年成功研发出6英寸碳化硅晶体生长炉，于2020年建......
国内6英寸、8英寸碳化硅衬底片迎来新进展(2023-11-07)
，此次签约项目总投资达21.2亿元。据晶盛机电介绍，公司自2017年开始碳化硅晶体生长设备和工艺研发，相继成功开发6英寸、8英寸碳化硅晶体和衬底片，是国内为数不多能供应8英寸衬底片的企业。目前，公司......
SiC融资火热！今年以来超20家获融资，金额超23亿(2023-03-20)
拓展及产品量产等后续发展。
该公司基于自主长期积累的热场设计、活性助溶体系、晶体稳定生长等核心技术，致力于液相法碳化硅晶体生长工艺的产业化应用，实现高品质、低成本碳化硅衬底的规模化生产。
爱仕特
1月11日，爱仕......
SiC融资火热！今年以来超20家获融资，金额超23亿(2023-03-20)
长晶工艺研发、市场拓展及产品量产等后续发展。
该公司基于自主长期积累的热场设计、活性助溶体系、晶体稳定生长等核心技术，致力于液相法碳化硅晶体生长工艺的产业化应用，实现高品质、低成本碳化硅......
8英寸碳化硅时代呼啸而来！(2024-09-09)
热场旋转及热场工艺稳定性设计，确保晶体生长过程中的温度均匀性和稳定性，目标为新能源汽车、5G通讯等新兴产业的进一步发展提供材料基础。
天岳先进8英寸碳化硅衬底批量销售
近日，天岳先进披露了今年上半年财报，公司......
12英寸SiC衬底，我国两家企业首发(2024-12-31)
年发布了8英寸碳化硅晶体，并于2024年推出了采用液相法制备的4度偏角P型碳化硅衬底。
封面图片来源：拍信网......
半导体设备厂商晶升装备成功登陆科创板(2023-04-24)
备能够稳定产出适合于MOSFET用的大尺寸碳化硅晶锭。
3、温度梯度可控单晶炉加热及控制系统：针对当前PVT法温度梯度可控性差的问题，进一步开发包括电阻式加热、液相法等其他碳化硅长晶技术，实现......
国际著名半导体公司英飞凌签约国产碳化硅材料供应商(2023-05-03)
器件厂商与材料厂签订长约，一直是普遍的做法，英飞凌锁定天科合达的部分产能，即有利于推动天科合达技术进步，也巩固了的供应链系统，是一个双赢的选择。
另外，中科院物理所陈小龙教授还称，目前物理所研发团队还关注碳化硅液相法晶体生长......
第三代半导体企业大丰收：三安斩获38亿大单；华润微拟扩产(2022-11-08)
研发、生产和销售的企业，拥有热场设计、活性助溶体系、晶体稳定生长等核心技术，已突破大尺寸液相法碳化硅长晶技术。
据悉，新洁能6英寸产品预计于2023年下半年（6-9 月）向客户送样，已与......
8英寸时代：国产碳化硅衬底如何升级？(2023-10-27)
出厚度达27毫米的8英寸n型碳化硅单晶锭。据悉，其8英寸碳化硅晶体生长技术于2023年四季度转入萧山研发中心进行中试。
9月下旬，乾晶半导体与谱析光晶、绿能芯创签订三方战略合作协议。三方约定紧密配合、共同......
SiC供需缺口较大，天岳先进：已与英飞凌、博世集团等加强合作(2023-07-05)
持续加大研发力度，在晶体生长和缺陷控制等核心技术领域展开密集的试验，不断突破技术瓶颈，提高产品良率。
天岳先进通过液相法制备出了低缺陷的8英寸晶体，通过热场、溶液设计和工艺创新突破了碳化硅单晶高质量生长......
第三代半导体功率器件在汽车行业的应用(2023-09-19)
应用”等环节。
4.1碳化硅高纯粉料
碳化硅高纯粉料是采用PVT法生长碳化硅单晶的原料，其产品纯度直接影响碳化硅单晶的生长质量以及电学性能。
碳化硅粉料有多种合成方式，主要有固相法、液相法和气相法3......
业界首款300mm碳化硅衬底问世(2024-11-14)
单晶炉，解决了碳化硅“盲盒生长”的瓶颈，实现了晶体生长过程的可视化和可监测。晶升股份的8英寸碳化硅长晶设备已完成验证，并开启了批量交付进程。该公司正在积极布局碳化硅外延和切割设备的开发工作，以进......
全自动金刚石生长炉研发成功，晶盛机电破解“终极半导体”材料(2022-03-08)
机电顺应行业发展趋势，提早布局碳化硅晶片市场。目前，该公司碳化硅外延设备已通过客户验证，同时在6英寸碳化硅晶体生长、切片、抛光环节建立测试线，其6英寸碳化硅晶片已获得客户验证。
晶盛......
台湾中山大学突破6英寸碳化硅晶体生长！(2023-03-08)
台湾中山大学突破6英寸碳化硅晶体生长！;今日，据台媒报道，台湾中山大学晶体研究中心已成功长出6英寸导电型4H碳化硅单晶，中心厚度为19mm，边缘约为14mm，生长速度达到370um／hr，晶体生长......
成本可降低10%，日本推碳化硅衬底新技术(2024-07-01)
硝子开发出了利用含有硅和碳的溶液（液相法）来制造SiC衬底的技术。与使用高温下升华的SiC使单晶生长（升华法）的传统技术相比，液相法在增大衬底尺寸以及提高品质方面更具优势。该技术可使衬底的制造成本降低10%以上......
打造首款国产碳化硅生产设备， 德国PVA TePla集团助力中国半导体产业高质发展(2024-03-22 15:23)
再次亮相，并向行业展示其最新打造的国产碳化硅晶体生长设备“SiCN”。该设备专为中国市场定制，并结合半导体行业生产特点，将德国的设计经验和理念与中国本土化生产配套能力优势联合，采用PVT法(物理......
碳化硅相关技术实现新突破(2024-08-22)
对浅沟槽隔离结构顶角区域处的栅氧化层的保护，增加浅沟槽隔离结构顶角区域处的栅氧化层工艺厚度，最终优化TDDB的可靠性，使得MOSFET器件拥有更高的击穿电压以及更长的可靠性寿命。
北方华创“碳化硅晶体生长装置”专利公布
天眼......
SiC迈入8英寸时代，国际大厂量产前夕，国内厂商风口狂追(2024-04-08)
关领域发表高水平文章及期刊百余篇。
科友半导体表示，通过与俄罗斯N公司的合作，他们将研发获得“无微管，低位错”完美籽晶，应用品质优异的籽晶进行晶体生长，会进一步大幅降低8英寸碳化硅晶体内部的微管、位错等缺陷密度，从而提高晶体生长......
科友半导体开展“完美八英寸碳化硅籽晶”项目(2024-04-03)
关领域发表高水平文章及期刊百余篇。
科友半导体表示，通过与俄罗斯N公司的合作，科友半导体将研发获得“无微管，低位错”完美籽晶，应用品质优异的籽晶进行晶体生长，会进一步大幅降低八英寸碳化硅晶体内部的微管、位错等缺陷密度，从而提高晶体生长......
晶盛机电：已成功生长出8英寸碳化硅晶体(2022-09-02)
晶盛机电：已成功生长出8英寸碳化硅晶体;近日，晶盛机电在接受机构调研时表示，目前公司已成功生长出8英寸碳化硅晶体，并建设了6英寸碳化硅晶体生长、切片、抛光环节的研发实验线，实验......
建筑面积约1.4万平方米。项目致力于打造一个引领发展、彰显特色的中国总部；一个技术、资金、创新资源集聚的中国市场总部。
汉虹二期建设工程项目，将为碳化硅晶体生长及切磨抛设备的制造、车载......
德国PVA TePla发布为中国定制的首款碳化硅生产设备“SiCN”(2024-03-29)
德国PVA TePla发布为中国定制的首款碳化硅生产设备“SiCN”;近日，在国际盛会SEMICON China 2024上，全球高端半导体设备制造商德国PVA TePla集团亮相，并向行业展示了其为中国市场定制化的碳化硅晶体生长......
科友半导体开展“完美八英寸碳化硅籽晶”项目(2024-04-08)
缺陷密度控制有着丰富的研究经验，在相关领域发表高水平文章及期刊百余篇。
签约现场合影
通过与俄罗斯N公司的合作，科友半导体将研发获得“无微管，低位错”完美籽晶，应用品质优异的籽晶进行晶体生长，会进一步大幅降低八英寸碳化硅晶体......
碳化硅技术再突破 烁科晶体、晶盛机电、露笑科技迎新进展(2022-03-04)
国内率先完成4、6、8英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底技术攻关。
晶盛机电6英寸碳化硅晶片已获得客户验证
晶盛机电近期在投资者关系活动记录表中披露，公司已组建一条从原料合成-晶体生长-切磨......
产品供应华为/比亚迪等，河北一SiC晶片项目未来年产能达12万片(2022-04-27)
，建设400台套完整的碳化硅晶体生产线。届时，4-8英寸碳化硅晶片的年产能将达到12万片。
此前，清河经济开发区2021年消息显示，天达晶阳公司投资建设的碳化硅单晶体项目，分两期建设。其中，第一......
科友半导体碳化硅晶体厚度突破80mm(2024-05-31)
科友半导体碳化硅晶体厚度突破80mm;5月29日，科友半导体碳化硅晶体生长车间传来捷报，自主研发的电阻长晶炉再次实现突破，成功制备出多颗中心厚度超过80mm，薄点厚度超过60mm的导电型6英寸碳化硅......
13.5亿元微芯长江半导体项目预计今年6月份生产(2022-04-28)
铜陵经济技术开发区消息，安徽微芯长江项目是FerroTec集团在第三代半导体领域的全新布局，项目占地100亩，新建碳化硅晶体生长车间、碳化硅晶圆片加工车间、研发中心等。项目建成达产后，预计年产碳化硅晶......
车规碳化硅功率模块 - 衬底和外延篇(2023-01-10)
粉到衬底的生产流程简图
图二 碳化硅衬底生产流程图
目前比较成熟的碳化硅晶体生长方法主要是PVT和CVD两种，它们都属于气象生长（vapor phase growth），而碳化硅型体主要是4H和6H两种......
科友半导体6/8英寸碳化硅规模化生产取得重大技术突破(2023-05-15)
产业化制备系列技术，并实现了6英寸碳化硅单晶衬底的规模生产和批量供货，8英寸碳化硅单晶衬底的小批量生产及供货，向碳化硅晶体生长企业提供涵盖设备、材料......
车规碳化硅功率模块——衬底和外延篇(2023-01-10)
衬底生产流程图
目前比较成熟的碳化硅晶体生长方法主要是PVT和CVD两种，它们都属于气象生长（vapor phase growth），而碳化硅型体主要是4H和6H两种。
图三 碳化硅晶体生长方式
首先我们来看看晶体的生长......
南砂晶圆：补齐广东碳化硅晶片产业链衬底关键一环(2022-12-19)
器件的成本中，衬底、外延、模块分别占比46%、23%、20%，晶体生长及衬底加工环节占据了接近一半。王垚浩介绍，目前产品成本控制和产能扩大的制约主要在于人才短缺。碳化硅晶片虽然在衬底、外延片、封测......
宾夕法尼亚州立大学与安森美签署谅解备忘录以推动碳化硅研究(2023-05-17)
法尼亚州立大学则拥有世界一流的纳米制造厂和表征设施，可用于支持对半导体及其他技术中使用的薄膜、碳化硅和其他材料进行研究。安森美与宾夕法尼亚州立大学之间的这些互补能力将为研发带来重大帮助。”
宾夕法尼亚州立大学有着出色的科研能力，是安森美推进硅晶体生长......
科友半导体产出直径超过8英寸碳化硅单晶(2022-12-29)
表面光滑无缺陷，最大直径超过204mm。
这是科友半导体于今年十月在六吋碳化硅晶体厚度上实现40mm突破后，在碳化硅晶体生长尺寸上取得的又一次极具历史意义的重大突破。
在碳化硅......
晶盛机电宣布成功研发出8英寸N型SiC晶体(2022-08-16)
研发上取得的重大突破。不但成功解决了8英寸碳化硅晶体生长过程中温场不均、晶体开裂、气相原料分布等难点问题，同时还破解了碳化硅器件成本中衬底占比过高的难题，为大尺寸碳化硅衬底广泛应用打下基础。
资料......
良率超 50%，全球第三大硅晶圆厂环球晶明年试产 8 英寸 SiC(2023-10-27)
兰表示客户都希望环球晶圆教书从 6 英寸到 8 英寸 SiC 量产的过渡，主要客户来自汽车领域。
环球晶圆设计并开发了专门的碳化硅晶体生长炉（Crystal Growth Furnace），增强了材料质量控制并降低了晶体生长......
意法半导体与吉利汽车签署SiC长期供应协议(2024-06-04)
企业展开一系列合作。此外，从国内碳化硅研发动态来看，晶升股份已成功研发出液相法SiC晶体生长设备并提供给了多家客户，将会继续配合客户不断进行设备的优化和改进工作；科友......
意法半导体与吉利汽车签署SiC长期供应协议(2024-06-05)
晶体生长设备并提供给了多家客户，将会继续配合客户不断进行设备的优化和改进工作；科友半导体自主研发的电阻长晶炉再次实现突破，成功制备出多颗中心厚度超过80mm，薄点厚度超过60mm的导电型6英寸碳化硅......
总投资50亿元，晶盛机电碳化硅衬底晶片生产项目落户银川(2022-02-28)
机电近期在投资者关系活动记录表中披露，公司已组建一条从原料合成-晶体生长-切磨抛加工的中试产线，6英寸碳化硅晶片已获得客户验证。截至2022年2月7日，客户A已与公司形成采购意向，2022年-2025年公司将优先向其提供碳化硅......
安徽微芯长江半导体项目建设工程竣工 深入布局碳化硅领域(2021-11-29)
圆片项目建设工程竣工仪式。
据悉，该项目是FerroTec集团在第三代半导体领域的全新布局，项目总投资13.5亿元，占地100亩，新建碳化硅晶体生长车间、碳化硅晶圆片加工车间、研发中心等。项目建成达产后，预计年产碳化硅晶......
科友半导体拿下超2亿元欧洲SiC长订单(2024-03-21)
产业化制备系列技术，并实现了6英寸碳化硅单晶衬底的规模生产和批量供货，8英寸碳化硅单晶衬底的小批量生产及供货，向碳化硅晶体生长企业提供涵盖设备、材料及技术服务等全产业链的解决方案。
2023年9月，科友......
SEMICON2024收官，第三代半导体赛道竞争激烈！(2024-03-25)
TePla 向业界展示了多款前沿技术产品并带来了为中国市场定制的碳化硅晶体生长设备“SICN”，其采用的是物理气象传输工艺PVT法生产碳化硅晶体，预计计划今年二季度投入市场。
PVA......
SEMICON2024收官，第三代半导体赛道竞争激烈！(2024-03-26)
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德国PVA TePla
德国 PVA TePla是全球碳化硅设备行业隐形冠军，其主要产品是大尺寸硅晶体以及6寸、8寸碳化硅晶体材料生长设备，在本次展会中德国 PVA TePla 向业界展示了多款前沿技术产品并带来了为中国市场定制的碳化硅晶体生长......
哈尔滨科友半导体“8英寸碳化硅长晶设备及工艺”通过中国电子学会科技成果鉴定(2023-02-17)
表面光滑无缺陷，最大直径超过204mm。这是科友半导体继去年10月在6英寸碳化硅晶体厚度上实现40mm突破后，在碳化硅晶体生长尺寸和衬底尺寸上取得的又一次极具历史意义的重大突破。
哈尔......
相关企业
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、SR92、SR93、SR94、SR23，程序调节器MR13（三 回路）、FP93、FP23（单双回路）等。适用在半导体制造，各种工业电炉、真空炉，塑料加工设备等行业广泛应用。晶体生长设备：晶体生长
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路）、FP93、FP23（单双回路）温控仪 岛通SHIMAX温控仪表：MAC3系列，MAC50系列等 相调压调功器：TAC16P、TAC03i、TAC60i、TAC35P 晶体生长设备：晶体生长
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;江苏环能硅碳陶瓷有限公司;;泰州市环能硅碳棒制造有限公司是一家专业生产碳化硅制品企业，公司致力于研发高性能硅碳棒及碳化硅陶瓷，并与高等科研所合作开发新型高温电热元件，是一
;淄博兴德碳化硅有限公司;;本公司目前致力于开发｜磁性材料炉用推板 碳化硅莫来石结合新型耐火材料
;上海烁虹晶体科技有限公司;;上海烁虹晶体科技有限公司是一家专业从事卤化物晶体研发生产的公司，公司成立于2006年，公司技术实力雄厚，由有数十年卤化物晶体研究经验的知名专家领衔，倾力开发出来了一套可动态除氧的卤化物晶体生长
;枣庄市鑫阳磨料磨具有限责任公司;;碳化硅 枣庄市鑫阳磨料磨具有限责任公司 地址：山东省滕州市经济工业园区 电话：0632－5883388 5883366 传真：0632－5883366 电子