近日，泰科天润、积塔半导体以及北方华创在碳化硅相关技术研发上实现最新突破，相关专利陆续公布。

泰科天润“一种分离平面栅低阻碳化硅VDMOS的制备方法”专利公布

天眼查显示，泰科天润半导体科技（北京）有限公司“一种分离平面栅低阻碳化硅VDMOS的制备方法”专利公布，申请公布日为2024年8月9日，申请公布号为CN118471811A。

本发明提供了一种分离平面栅低阻碳化硅VDMOS的制备方法，包括：在碳化硅衬底的一侧面淀积金属，形成漏极金属层，在碳化硅衬底的另一侧面淀积生长形成漂移层；在漂移层上方淀积阻挡层，刻蚀，离子注入形成低阻结构层、阱区和源区；去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀形成通孔，对通孔进行金属淀积，形成源极金属层；去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀，淀积，形成栅介质层；去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀，金属淀积，形成栅极金属层，所述栅极金属层位于低阻结构层和源区之间的阱区上方；去除阻挡层，完成制造，降低了栅极控制反型区面积，进而降低了栅极电荷，降低了器件的驱动损耗。

积塔半导体“基于TDDB优化的MOSFET器件及其制备方法”专利公布

天眼查显示，上海积塔半导体有限公司“基于TDDB优化的MOSFET器件及其制备方法”专利公布，申请公布日为2024年8月9日，申请公布号为CN118471899A。

本发明提供了一种基于TDDB优化的MOSFET器件及其制备方法。本发明通过两次多晶硅生长刻蚀工艺，使得所形成的栅氧化层以及栅极的膜层厚度满足MOSFET器件的相应工艺厚度要求的同时，所形成的浅沟槽隔离结构的顶面高于半导体衬底的表面，浅沟槽隔离结构的侧壁与栅氧化层相接触，能够避免在后续刻蚀第二多晶硅层过程中对浅沟槽隔离结构顶角区域处的栅氧化层的破坏，实现对浅沟槽隔离结构顶角区域处的栅氧化层的保护，增加浅沟槽隔离结构顶角区域处的栅氧化层工艺厚度，最终优化TDDB的可靠性，使得MOSFET器件拥有更高的击穿电压以及更长的可靠性寿命。

北方华创“碳化硅晶体生长装置”专利公布

天眼查显示，北京北方华创微电子装备有限公司“碳化硅晶体生长装置”专利公布，申请公布日为2024年8月9日，申请公布号为CN118461121A。

本发明提供了一种碳化硅晶体生长装置，涉及碳化硅单晶材料的制造技术领域，为解决坩埚内的粉体温度均匀性差的问题而设计。碳化硅晶体生长装置包括坩埚、感应线圈组件和盖设于坩埚上方的盖板，盖板用于在盖板的中心设置籽晶，坩埚内设置有至少一个的感应加热件；感应加热件具有封闭连续的外周面，且能够在感应线圈组件的作用下产生感应涡电流。本发明提供的碳化硅晶体生长装置可以改善坩埚内的粉体温度均匀性。

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