碳化硅器件（SiC）在新能源汽车领域对传统硅基（Si-）IGBT的替代正在加速。自2018年特斯拉在Model3中首次将IGBT模块替换成SiC模块后，就有越来越多的新能源厂商开始在电驱中使用SiC器件。

全球新能源汽车头部厂商们均已开始采用SiC。目前，比亚迪汉EV、比亚迪新款唐EV、蔚来ES7、蔚来ET7、蔚来ET5、小鹏G9、保时捷Tayan、现代ioniq5等众多车型，均已在电驱中采用碳化硅功率器件。

近日，深圳欣锐科技与美国安森美成立联合实验室，计划通过对核心功率器件，尤其是SiC应用技术的先期研究，为新能源汽车车载电源提供技术支持与保障。

与此同时，双方还可通过联合实验室建立有效的合作平台，整合双方优势资源，积极推动安森美产品在新能源汽车方面的应用，使双方在碳化硅器件带来的行业变革中常处于不败之地。

SiC是由碳元素和硅元素组成的一种化合物。这种半导体材料的性能大大优于传统硅材料：禁带宽度是其3倍，导热率达到4到5倍，击穿电压是8到10倍，电子饱和漂移速率也能达到2至3倍。由于性能优异，SiC被认为是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一。

按照电阻性能的不同，碳化硅器件分为导电型碳化硅功率器件和半绝缘型碳化硅基射频器件。其中前者主要应用于新能源汽车、光伏发电、轨道交通、数据中心、充电等领域。因此，近年来新能源汽车成为了碳化硅功率器件的最大应用市场，占整个市场的绝大部分。 SiC器件在电动汽车领域有着传统Si-IGBT不可比拟的优势，主要应用范围包括主驱逆变器、车载充电系统（OBC）、电源转换系统（车载DC/DC）等。 碳化硅MOSFET在电动汽车主驱逆变器中相比硅基IGBT优势明显，其具有更高的功率转换效率。根据Wolfspeed的数据，采用碳化硅MOSFET的电动汽车续航距离相比硅基IGBT可延长5%至10%，在同样续航里程的情况下便可减少所搭载的电池容量，降低汽车的电池成本，减轻汽车自重并进一步减少电耗。

同时，碳化硅MOSFET的高频特性可使得逆变器线圈、电容小型化，电驱尺寸得以大幅度减少。由于可承受更高电压，在电机功率相同的情况下，便可通过提升电压来降低电流强度，使得束线轻量化，节省安装空间。 而800V高压正是方便快捷的高压充电的先决条件。全球领先的汽车技术开发商和制造商纬湃科技指出，搭载碳化硅半导体的高效功率电子可缩短新能源汽车的充电时间并延长续航里程，特别是在800V等高电压水平下，SiC逆变器比Si逆变器效率更高。 在车载充电系统（OBC）领域，使用SiC功率器件不仅能达到更高的峰值效率（约提升2%左右）和更大的功率密度（提升50%左右），还能节省磁感器件和驱动器件成本，从而降低系统成本。 可以预见，SiC器件将成为全球趋势，押宝这一领域无疑将会是明智而易于见到成效的。

安森美作为全球知名半导体公司，经过多年的耕耘，已然成为全球SiC芯片领域的领头羊之一，目前在南韩富川（Bucheon）设有大型SiC芯片工厂，也将在美国、捷克或韩国进行产能扩张。其计划投资20亿美元提高SiC芯片产量，到2027年占据碳化硅汽车芯片市场40%的份额。 深圳欣锐科技则是国内行业领先的车载电源供应商，核心产品正是包括车载充电机OBC、车载DC/DC变换器等，与安森美的SiC芯片应用场景有着极高的契合度。 此次双方强强联合，将有助于加速碳化硅功率器件在新能源汽车领域的渗透，迅速抢占行业发展的“制高点”，进一步加大双方的共同利益。