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台积电准备生产HBM4基础芯片：采用N12FFC+和N5制程技术; 【导读】针对当前人工智能（AI）市场的需求，预计新一代HBM4存储将与当前的HBM产品有几项主要的变化，其中......
[接口]引脚加倍。这就是为什么我们正在推动确保我们与所有三个合作伙伴合作，[使用我们先进的封装方法]验证他们的HBM4，并确保RDL或中介层或两者之间的任何内容都可以支持[HBM4]的布局和速度。因此......
HBM4“华山论剑”，谁将登顶？;在AI大模型叩响全球智能大门的进程中，HBM（高带宽存储器）凭借强大的数据存储与读取动力骤然崛起，引发了一场惊心动魄的半导体存储技术争霸赛。 近几年，SK海力......
传三星电子今年底启动HBM4流片 为明年底量产做准备; 【导读】有消息称，三星电子将于今年年底开始其第6代高带宽存储器HBM4的流片工作，这是为明年年底12层HBM4产品......
Rambus宣布推出业界首款HBM4控制器IP，加速下一代AI工作负载;新闻摘要：• 基于一百多项HBM成功设计案例，确保芯片一次流片成功• 在低延迟下提供超过HBM3两倍的吞吐量，满足生成式AI......
消息称特斯拉已要求SK海力士和三星提供HBM4芯片样品;据韩国经济日报报道，特斯拉已向SK海力士和三星提交了HBM4（第六代高带宽存储器）的采购意向，并要求这两家公司提供通用HBM4芯片样品。特斯......
三星完成HBM4逻辑芯片设计，采自家4纳米制程;韩国朝鲜日报消息，三星DS部门存储器业务部最近完成HBM4高带宽存储逻辑芯片的设计，Foundry业务部方面也已经根据该设计，采4纳米试产。 待完......
标准制定组织固态技术协会JEDEC宣布HBM4即将完成的消息引发了业界关注，这似乎也预示着HBM领域新的战场已经开启... ◀堆栈通道数较HBM3翻倍▶ 据悉，JEDEC于7月10日表示，备受......
SK海力士提前供应HBM4; 【导读】知情人士透露，SK海力士最早将于今年6月向英伟达发货HBM4首个样品。预计产品最早将于第三季度末开始供应。 知情......
SK海力士宣布2026年量产HBM4; 【导读】SK海力士宣布下一代HBM4内存，预计2026年开始量产。美光和三星确认会在2025年至2026年左右推出下一代 HBM4内存产品。SK......
三星HBM4内存进入试生产阶段：计划2025年底量产;三星DS部门存储业务部最近完成了HBM4内存的逻辑芯片设计。Foundry业务部方面也已经根据该设计，采用4nm试产。 HBM，即高......
三星完成HBM4内存逻辑芯片设计：4nm工艺、性能大爆发; 1月5日消息，据韩国朝鲜日报报导，DS部门存储业务部最近完成了HBM4内存的逻辑设计。Foundry业务部方面也已经根据该设计，采用......
JEDEC宣布HBM4标准即将制定完成;微电子行业标准制定领域的全球领导者JEDEC 固态技术协会今天宣布，备受期待的高带宽存储器 (HBM) DRAM 标准的下一个版本：HBM4 即将......
HBM4，掀起波澜;AI大势下，存储原厂针对HBM的竞争日渐白热化，HBM3E风头正劲，今年有望成为HBM市场主流。与此同时，原厂也在积极布局下一代HBM4技术。 今年4月SK海力......
TrendForce集邦咨询最新研究，这款新产品的潜在应用包括CSP（云端服务业者）自行研发的ASIC和general purpose GPU（通用型GPU），有望在HBM4世代量产前，提早于HBM3e世代......
三星采用新工艺研发HBM4; 【导读】三星电子正在推行一项计划，将HBM4逻辑芯片的设计从原来的8nm工艺转向4nm。目前各大存储公司已成功将HBM商业化至第四代（HBM3）。第五......
黄仁勋公布最新Rubin架构！最强Rubin Ultra GPU将配12颗HBM4;Nvidia CEO黄仁勋6月2日在台大体育馆举办Keynote主题演讲，他笑......
HBM4标准放宽，三星、SK海力士推迟引入混合键合技术; 【导读】据ZDNET Korea报道，业界消息称，国际半导体标准组织(JEDEC)的主要参与者最近同意将HBM4产品......
三星将采用4nm工艺量产HBM4芯片; 【导读】三星电子计划利用其尖端的4nm代工工艺量产下一代高带宽存储器（HBM）芯片HBM4，这是驱动人工智能（AI）设备的核心芯片，以对......
消息称 SK 海力士 HBM4 内存使用台积电 N5 版基础裸片;7 月 17 日消息，《韩国经济日报》（Hankyung）表示，SK 海力士将采用台积电 N5 工艺版基础裸片（Base Die......
SK海力士宣布2026年量产HBM4：为下一代AI GPU做准备;SK海力士表示，生成式AI市场预计将以每年35%的速度增长，而SK海力士有望在2026年大规模生产下一代HBM4。据了解，HBM类产......
球内存收入的比例将从当前的不到5%增长到20%以上。这就是为什么英伟达、AMD、微软、亚马逊等芯片大厂排队抢货，甚至溢价也可考虑的原因。而且这样的市场表现对于提高存储半导体公司的业绩也有积极的影响。 目前，谷歌、亚马逊、微软......
技术迭代。 存储大厂持续发力，三星将推出HBM4 自2014年首款硅通孔HBM产品问世至今，HBM技术已经更新迭代出多款产品，分别有HBM、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3e等......
SK海力士宣布2026年量产HBM4：为下一代AI GPU做准备;2月4日消息，据媒体报道，SK海力士表示，生成式AI市场预计将以每年35%的速度增长，而SK海力士有望在2026年大......
新产品的潜在应用包括CSP（云端服务业者）自行研发的ASIC和general purpose GPU（通用型GPU），有望在HBM4世代量产前，提早于HBM3e世代......
HBM4将迎来大突破？;AI大势下，高带宽内存 (HBM) 从幕后走向台前，备受存储市场关注。近期，媒体报道下一代HBM将迎来重大变化，HBM4内存堆栈将采用2048位内存接口 。 自2015......
HBM双雄产能售罄至2025，加码HBM4只因金主不差钱;HBM芯片在通用内存市场的占比从去年的8%增长到15%，主要受到人工智能（AI）、高性能计算（HPC）和数据中心需求的驱动【】。HBM通过......
层HBM4，2026年推出16层HBM4。至于16层HBM4的封装技术，SK海力士将决定采用原本的MR-MUF，或改用Hybrid Bonding（混合键合）以降低厚度。 另外，SK海力......
Rambus发布业内首款HBM4内存控制器IP，助力AI训练持续突破性能瓶颈; 作为“AI加速年”，2024年人工智能进展迅猛。得益于GPU、TPU等硬件计算能力的持续提升、算法......
传SK海力士与台积电谈AI芯片联盟，合作开发HBM4;据韩国每日经济消息，SK海力士近日制定了"一个团队战略"，其中包括与台积电合作开发第六代HBM芯片（HBM4）。据悉，台积电将负责部分HBM4......
供给主要客户进行技术验证。” 他进一步补充道：“基于1C纳米工艺的HBM4仍按照原定计划推进，预计将在2025年下半年量产。同时，针对HBM4和HBM4E的定制化HBM项目，也在......
SK海力士抢得HBM4先机; 【导读】AI热潮持续加温，HBM成为三大原厂扭转产业局势的新战场，SK海力士在HBM领域暂时领先，不仅拿下NVIDIA的AI大订单，并和......
近的一次会议上，要求他将下一代高带宽内存芯片 HBM4 的供应提前 6 个月。 近日，SK 集团董事长 Chey Tae-won......
GPU）设计人员，希望将 HBM4 通过 3D 堆叠的方式直接集成在芯片上。 据报道，SK 海力士正在与几家半导体公司讨论其 HBM4 集成设计方法，包括 Nvidia。 外媒认为，Nvidia 和......
近日传出台积电协同旗下创意电子取得下世代 HBM4 关键的基础界面芯片大单。 法人指出，当前 AI 需求强劲，高速运算（HPC）与高带宽内存（HBM）相关需求已是炙手可热，成为市场新商机，吸引三大内存芯片厂（IT之家注：SK 海力士、三星......
传ASMPT与美光联合开发下一代HBM4键合设备;据韩媒报道，韩国后端设备制造商 ASMPT 已向美光提供了用于高带宽内存 (HBM) 生产的演示热压 (TC) 键合机。双方......
一种高性能的3D堆叠内存技术，对于AI和高性能计算处理器的内存性能至关重要。合作的目标是在2026年实现HBM4的量产，采用台积电的12FFC+及5纳米工艺制造HBM4接口芯片，以实......
大摩：三星HBM4基底技术将外包台积电; 【导读】据媒体报道，大摩指出，三星预计在2026年将HBM4基底技术外包给台积电，且未来5年有望实现15%-20%的年......
大摩：三星HBM4基底技术将外包台积电; 【导读】据媒体报道，大摩指出，三星预计在2026年将HBM4基底技术外包给台积电，且未来5年有望实现15%-20%的年......
各原厂预期2024年第一季于NVIDIA完成HBM3e产品验证；而HBM4预计2026年推出｜TrendForce集邦咨询;TrendForce集邦咨询：各原厂预期2024年第一季于NVIDIA完成......
已经到了新的水平，行业需求促使 SK 海力士将加速开发过程，最早在 2026 年推出他们的 HBM4E 内存，相关内存带宽将是 HBM4 的 1.4 倍。 除了 HBM4E 外，据IT之家此前报道，有消......
键合是下一代封装技术，指的是芯片垂直堆叠，能提高单元密度，进而提高性能，该技术也将对HBM4以及3D DRAM带来影响。 02 HBM4呼之欲出 AI时代下，HBM尤其是HBM3E在存......
三星，扩大苏州厂封装产能; 【导读】三星电子正在扩大其在国内外生产基地的投资，以加强其先进的半导体封装业务。随着下一代高带宽内存（HBM）产品（如HBM4）的内部封装流程的重要性增加，三星......
HBM4的不断推进，定制化需求将不断增加，并有望成为全球趋势，且转向合约化，与此同时，存储器市场供过于求的风险也将逐步降低。 事实上，随着人工智能AI的兴起，HBM市场正逐渐从“通用型”向“定制......
MTS2024演讲议题出炉；Q4 DRAM合约价将上涨；存储大厂布局HBM4；全球再增一家芯片工厂…;“芯”闻摘要 MTS2024演讲议题出炉 Q4 DRAM合约价将上涨 三星布局HBM4......
TrendForce集邦咨询：各原厂预期2024年第一季于NVIDIA完成HBM3e产品验证;而HBM4预计2026年推出; Nov. 27, 2023 ---- 据TrendForce集邦......
SK海力士与台积电携手加强HBM技术领导力;·双方就HBM4研发和下一代封装技术合作签署谅解备忘录 ·通过采用台积电的先进制程工艺，提升HBM4产品性能 ·“以构建IC设计厂、晶圆......
三星正在开发HBM4 目标2025年供货; 【导读】三星电子副总裁兼内存业务部DRAM开发主管Sangjun Hwang宣布，三星开始向客户提供高带宽内存HBM3E样品，且下......
海力士与台积电形成了One Team战略，包括合作开发第六代HBM，即HBM4。 相较于前三代HBM，HBM4堆栈将改变自2015年以来1024位接口的设计，采用2048位接口，以解决此前1024位内......
。 另据消息称，三星电子正在考虑将1c DRAM用于HBM4（第6代HBM），计划于明年下半年出货。因此P4很有可能成为下一代HBM生产的前沿基地。 据此前消息，三星平泽P4是综......

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