【导读】SK海力士宣布下一代HBM4内存，预计2026年开始量产。美光和三星确认会在2025年至2026年左右推出下一代 HBM4内存产品。SK 海力士也加入了这个游戏。

SK海力士宣布下一代HBM4内存，预计2026年开始量产。

美光和三星确认会在2025年至2026年左右推出下一代 HBM4内存产品。

SK 海力士也加入了这个游戏。

随着人工智能应用的迅速增加，我们对未来计算能力的需求越来越高，在人工智能计算市场中发挥了至关重要的作用。因为它是人工智能加速器制造的重要组成部分。

SK 海力士副总裁Kim Chun-hwan透露，打算在2026年开始大规模生产HBM4。

除了下一代转型之外，重要的是要认识到HBM行业面临着巨大的需求，因此创建一个既具有无缝供应又具有创新性的解决方案更为重要。

2025年，HBM市场预计将增长40%。

目前单颗HBM3E内存堆栈能够提供高达1.2TB / S的理论峰值带宽，如果一个内存子系统包含6个堆栈，总带宽则可达到惊人的7.2TB / S。然而，理论值与实际应用之间存在差距。

例如，英伟达H200虽然搭载了HBM3E内存，但其提供的带宽“只有”4.8TB / S，这可能是出于可靠性和功耗方面的考虑。

为了进一步提升内存带宽，HBM4将采用2048位接口，理论峰值带宽可超过1.5TB / S。

为了控制功耗，HBM4的数据传输速率预计保持在6GT/ S左右。

不过，2048位接口需要更复杂的布线设计，这将导致HBM4的成本高于HBM3和HBM3E。

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