2月4日消息,据媒体报道,SK海力士表示,生成式AI市场预计将以每年35%的速度增长,而SK海力士有望在2026年大规模生产下一代HBM4。
据了解,HBM类产品前后经过了HBM(第一代)、HBM2(第二代)、HBM2E(第三代)、HBM3(第四代)、HBM3E(第五代)的开发,其中HBM3E是HBM3的扩展(Extended)版本,而HBM4将是第六代产品。
HBM4堆栈将改变自2015年以来1024位接口的设计,采用2048位接口,而位宽翻倍也是是HBM内存技术推出后最大的变化。
目前单个HBM3E堆栈的数据传输速率为9.6GT/s,理论峰值带宽为1.2TB/s,而由六个堆栈组成的内存子系统的带宽则高达7.2TB/s。
出于可靠性和功耗方面的考虑,一般速度不会达到最高的理论带宽,像H200的峰值带宽为4.8TB/s。
此外,HBM4在堆栈的层数上也有所变化,除了首批的12层垂直堆叠,预计2027年存储器厂商还会带来16层垂直堆叠。
文章来源于:电子工程世界 原文链接
本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。