SK hynix率先推出HBM3e 16hi产品,推升位元容量上限|TrendForce集邦咨询

发布时间:2024-11-14  

TrendForce集邦咨询: SK hynix率先推出HBM3e 16hi产品,推升位元容量上限

SK hynix(SK海力士)近日在SK AI Summit 2024活动透露其正在开发HBM3e 16hi产品,每颗HBM芯片容量为48GB,预计在2025年上半年送样。根据TrendForce集邦咨询最新研究,这款新产品的潜在应用包括CSP(云端服务业者)自行研发的ASIC和general purpose GPU(通用型GPU),有望在HBM4世代量产前,提早于HBM3e世代推升位元容量上限。

TrendForce集邦咨询表示,HBM供应商以往在各世代会推出两种不同堆栈层数的产品,如HBM3e世代原先设计8hi及12hi,HBM4世代规划12hi及16hi。在各业者已预定于2025年下半年以后陆续投入HBM4 12hi的情况下,SK hynix选择在HBM3e追加推出16hi产品,可归因于以下因素:

首先,TSMC(台积电) CoWoS-L可提供的封装尺寸将于2026和2027年间扩大,每个SiP(系统级封装)可搭载的HBM颗数也增加,但后续升级仍面临技术挑战和不确定性。在生产难度更高的HBM4 16hi量产前,可先提供客户HBM3e 16hi作为大位元容量产品的选择。以每SiP搭载8颗HBM颗数计算,HBM3e 16hi可将位元容量上限推进至384GB,较NVIDIA Rubin的288GB更大。

从HBM3e过渡到HBM4世代中,IO数翻倍带动运算频宽提高,此升级造成晶粒尺寸放大,但单颗晶粒容量维持在24Gb。在HBM3e 12hi升级至HBM4 12hi的过程中,HBM3e 16hi可作为提供低IO数、小晶粒尺寸和大位元容量的选项。

TrendForce集邦咨询表示,SK hynix的HBM3e 16hi将采用Advanced MR-MUF堆栈制程,与TC-NCF制程相比,使用MR-MUF的产品更容易达到高堆栈层数及高运算频宽。在HBM4及HBM4e世代皆预计设计16hi产品的情况下,SK hynix率先量产HBM3e 16hi,将能及早累积此堆栈层数的量产经验,以加速后续HBM4 16hi的量产时程。SK hynix后续亦不排除再推出hybrid bonding(混合键合)制程版本的16hi产品,以拓展运算频宽更高的应用客群。

文章来源于:全球半导体观察    原文链接
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