【导读】三星电子正在扩大其在国内外生产基地的投资，以加强其先进的半导体封装业务。随着下一代高带宽内存（HBM）产品（如HBM4）的内部封装流程的重要性增加，三星正专注于提升其封装能力，以确保未来的技术竞争力，并缩小与SK海力士的差距。

三星电子正在扩大其在国内外生产基地的投资，以加强其先进的半导体封装业务。随着下一代高带宽内存（HBM）产品（如HBM4）的内部封装流程的重要性增加，三星正专注于提升其封装能力，以确保未来的技术竞争力，并缩小与SK海力士的差距。

据行业消息，三星电子在第三季度签署了一份设备采购合同，目的是扩大其在中国苏州工厂（SESS）的生产设施。该合同价值约200亿韩元（1.04亿元人民币）。

苏州工厂目前是三星电子唯一的海外测试和封装生产基地，这一举措被视为对封装流程和生产效率创新的选择。在设备交易期间，三星负责全球制造与基础设施通用测试与封装（TP）中心的副总裁Lee Jung-sam被任命为苏州工厂的负责人，该职位自去年年底以来一直空缺。

三星也在加速扩大韩国国内封装生产基地。最近，该公司与忠清南道和天安市签署了投资协议，以扩大半导体封装流程设施。该协议包括在从三星显示租赁的天安市的28万平方米土地上，建设用于HBM的先进封装设施，预计于2027年底完成。

三星电子目前在天安市和温阳园区设有封装生产基地。由于持续的设施投资，温阳园区已达到饱和，促使公司考虑在天安建立新的HBM批量生产封装线。天安的堆栈处理扩展与HBM DRAM的生产能力成正比。天安的新产线预计将生产最新的HBM，包括第五代（HBM3E）和第六代（HBM4）。

扩大封装基地是为缩小与HBM领先企业SK海力士差距的战略。值得注意的是，下一代产品HBM4所需的封装方法正在改变，主要堆叠从现有的8层变为12层。此前，2.5D方法将图形处理器（GPU）和HBM水平放置，但从HBM4开始，将转向3D方法，将HBM堆叠在GPU之上。

另一个重大变化是转向客户定制的大规模生产。这意味着使用先进封装技术实现客户所需性能的能力成为关键选择标准。对于HBM4封装，三星目前正在开发各种先进封装技术，包括生产12层和16层产品所需的混合键合技术。

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