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研发客服AI大势下，高带宽内存 (HBM) 从幕后走向台前，备受存储市场关注。近期，媒体报道下一代HBM将迎来重大变化，HBM4内存堆栈将采用2048位内存接口 。
自2015年以来，所有HBM堆栈都采用1024位接口。接口宽度从每堆栈1024位增加到每堆栈2048位，足以可见HBM4具备的变革意义。
另据韩媒报道，三星为了掌握快速成长的HBM市场，将大幅革新新一代产品制程技术，预计2026年量产HBM4。
尽管HBM4将有大突破，但它不会很快到来。当前HBM市场以HBM2e为主，未来HBM3将挑起大梁。
全球市场研究机构TrendForce集邦咨询调查显示，当前HBM市场主流为HBM2e，包含NVIDIA A100/A800、AMD MI200以及多数CSPs自研加速芯片皆以此规格设计。同时，为顺应AI加速器芯片需求演进，各原厂计划于2024年推出新产品HBM3e，预期HBM3与HBM3e将成为明年市场主流。
以HBM不同世代需求比重而言，据TrendForce集邦咨询表示，2023年主流需求自HBM2e转往HBM3，需求比重分别预估约是50%及39%。随着使用HBM3的加速芯片陆续放量，2024年市场需求将大幅转往HBM3，而2024年将直接超越HBM2e，比重预估达60%，且受惠于其更高的平均销售单价（ASP），将带动明年HBM营收显著成长。
封面图片来源：拍信网
文章来源于:全球半导体观察 原文链接
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