资讯
提供米勒箝位的单电源/双电源高电压隔离IGBT栅极驱动器——ADUM4135(2023-10-11 14:25)
提供米勒箝位的单电源/双电源高电压隔离IGBT栅极驱动器——ADUM4135;
ADuM4135是一款单通道栅极驱动器，专门针对驱动绝缘栅双极晶体管(IGBT)进行了优化。ADI公司......
ADUM4137数据手册和产品信息(2024-11-11 09:20:41)
ADUM4137数据手册和产品信息;ADuM41371ADuM4138 是一款已专门针对绝缘栅极双极晶体管 (IGBT) 驱动进行优化的单通道栅极驱动器。ADI 公司的 iCoupler® 技术......
对国产的直流电机调速控制器和力矩电机调速控制器的反思(2024-09-25)
字面板式力矩电机控制器
从最初的单极晶体管到集成电路再到数字电路，更新的智能，远程，无线控制，是谁走在最前沿，我们是否该停下来反思一下自己，路该怎么走？投入资金从那来？谁在剥削我们？谁也改变不了现实，只能......
对国产直流/力矩电机调速控制器反思(2024-09-29)
用都没改变，有的厂家连当初的线路，技术控制方式都没变。那么是我们的产品好吗？还是止步不前？
从最初的单极晶体管到集成电路再到数字电路，更新的智能，远程，无线控制，是谁走在最前沿，我们......
单极性两相步进电动机的驱动方式(2023-03-07)
性两相步进电动机的实用线路。
图2
图3
该线路的脉冲分配电路采用PMM8723，它将输入的脉冲按时序分配给控制4个绕组的
晶体管，由4个晶体管控制定子绕组的电流。其中1脚为顺时针转动方向的信号输入端。2
脚为......
Diodes公司的双极晶体管采用 3．3mm x 3．3mm 封装并提供更高的功率密度(2019-03-12)
Diodes公司的双极晶体管采用 3．3mm x 3．3mm 封装并提供更高的功率密度;Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 为领先业界的高质量应用特定标准产品全球制造商与供货商，产品......
基础知识之IGBT(2024-03-22)
基础知识之IGBT;什么是(绝缘栅双极晶体管)？
是 “Insulated Gate Bipolar Transistor”的首字母缩写，也被称作绝缘栅双极晶体管。 被归类为元器件晶体管领域。本文......
最新进展！Intel 18A产品，成功点亮！(2024-08-07)
（制程设计套件）的1.0版本，让代工客户能够在基于Intel 18A的芯片设计中利用RibbonFET全环绕栅极晶体管架构和PowerVia背面供电技术。EDA和IP合作伙伴正在完善对Intel 18A......
最新进展！Intel 18A产品，成功点亮！(2024-08-07 14:45)
设计套件）的1.0版本，让代工客户能够在基于Intel 18A的芯片设计中利用RibbonFET全环绕栅极晶体管架构和PowerVia背面供电技术。EDA和IP合作伙伴正在完善对Intel 18A的支......
最新进展！Intel 18A产品，成功点亮！(2024-08-07)
尔发布了Intel 18A PDK（制程设计套件）的1.0版本，让代工客户能够在基于Intel 18A的芯片设计中利用RibbonFET全环绕栅极晶体管架构和PowerVia背面供电技术。EDA和IP合作......
高功率音频放大器电路分享(2023-05-24)
功率。不要使用小型扬声器来尝试此放大器电路，因为放大器会被它损坏。
作为最终电平放大器，通常使用双极晶体管代替MOSFET作为双极晶体管，在特定情况下比高压MOSFET更耐久。本文所用的晶体管......
使用 PICAXE 14M2 和步进电机构建红外跟踪器(2023-08-07)
这是 OP505A 光电晶体管灵敏度达到峰值的波长。快速在线搜索将提供大量有关的信息 - 超出您想要或需要了解的信息。事实上，AAC电子教科书的第13章有专门讨论该主题的页面。没有......
10瓦晶体管音频放大器电路分享(2023-05-23)
10瓦晶体管音频放大器电路分享;这款 10 瓦晶体管音频放大器电路采用常规双极晶体管元件，具有 10 瓦功率输出。为了良好运行，该放大器电路需要高达30 VDC的20VDC电压。
10瓦晶体管......
新增SiC和IGBT模型,罗姆官网可提供超过3,500种LTspice模型(2023-10-12)
。LTspice®具有电路图捕获和波形查看器功能，可以提前确认和验证电路是否按设计预期工作。此前罗姆已经陆续提供了双极晶体管、二极管和MOSFET*3的LTspice模型，此次又新增了SiC功率......
新增SiC和IGBT模型，罗姆官网可提供超过3,500种LTspice®模型(2023-10-12)
。LTspice®具有电路图捕获和波形查看器功能，可以提前确认和验证电路是否按设计预期工作。此前罗姆已经陆续提供了双极晶体管、二极管和MOSFET*3的LTspice模型，此次又新增了SiC功率......
Nexperia推出采用空间和能源效率较高的DFN2020D－3封装的热门功率BJT(2024-09-02 14:36)
阅此博客文章。Nexperia为使用双极结型晶体管的工程师提供BJT应用手册，这是一本由工程师编写、供工程师阅读的实用、全面且最新的参考资料。这让设计工程师能够更好地了解双极晶体管、其基本原理、热性能考量和应用见解。要了......
Nexperia推出采用空间和能源效率较高的DFN2020D－3封装的热门功率BJT(2024-09-02 14:36)
阅此博客文章。Nexperia为使用双极结型晶体管的工程师提供BJT应用手册，这是一本由工程师编写、供工程师阅读的实用、全面且最新的参考资料。这让设计工程师能够更好地了解双极晶体管、其基本原理、热性能考量和应用见解。要了......
应用材料公司以技术助力极紫外光和三维环绕栅极晶体管实现二维微缩(2022-04-22)
应用材料公司以技术助力极紫外光和三维环绕栅极晶体管实现二维微缩; 应用材料公司利用 Stensar™CVD取代旋涂镀膜以扩展二维极紫外光逻辑微缩
预览最广泛的三维环绕栅极晶体管技术产品组合，包括......
东芝推出两款采用SC-63封装的双极晶体管TTA2097/TTC5886A(2024-01-22)
东芝推出两款采用SC-63封装的双极晶体管TTA2097/TTC5886A;
【导读】东芝电子元件及存储装置株式会社（简称“东芝”）现已推出两款采用SC-63封装（东芝别名：新PW......
Intel展示全新3D晶体管：氮化镓都用上了(2023-12-12)
堆叠提升面积效率和性能优势，显现了Intel在GAA全环绕栅极晶体管领域的领先地位。
其中，PwoerVia技术将于2024年在Intel 20A节点上做好投产准备。
二是同一块300......
新增SiC和IGBT模型，罗姆官网可提供超过3,500种LTspice®模型(2023-10-12)
了支持电路仿真工具*1 LTspice® 的SPICE模型*2阵容。LTspice®具有电路图捕获和波形查看器功能，可以提前确认和验证电路是否按设计预期工作。此前罗姆已经陆续提供了双极晶体管、二极管和MOSFET*3......
基础知识之晶体管(2024-03-21)
工作原理不同分类，分为双极晶体管和单极晶体管。
双极晶体管
双是指Bi（2个）、极是指Polar（极性）。双极晶体管，即流经构成晶体管的半导体的电流由空穴（正极性）和电子（负极性）产生。一般而言的晶体管是指这种由硅构成的晶体管......
曝台积电明年量产2nm工艺：苹果首发(2024-05-29)
-Around，中文名为全环绕栅极晶体管，其本质上是一种新型的晶体管设计，可以在更小的制程下提供更好的性能。
在GAA晶体管中，栅极材料包围了晶体管的源和漏，从而提供了更好的电流控制。
这可......
又一家半导体企业启动上市辅导(2021-03-05)
万片/月的产能。2018年1月，公司完成了整体搬迁，进一步扩大工厂和产能规模，增添了一条2万片/月的6英寸晶圆生产线，已成功开发并量产VDMOS、低正向的沟槽肖特基等产品。
目前，新顺微电子开发和生产了包括高反压双极晶体管......
消息称美国要对中国进口的显卡、主板等恢复征收关税！(2024-05-29)
，GAA全称Gate-All-Around，中文名为全环绕栅极晶体管，其本质上是一种新型的晶体管设计，可以在更小的制程下提供更好的性能。
在GAA晶体管中，栅极材料包围了晶体管......
新能源汽车解析丨什么是IGBT？结构与拆解(2023-10-08)
新能源汽车解析丨什么是IGBT？结构与拆解;IGBT （绝缘栅双极晶体管）作为一种功率半导体器件，广泛应用于轨道交通、智能电网、工业节能、电动汽车和新能源装备等领域。具有节能、安装方便、维护......
东芝推出有助于减轻环境负荷的双极晶体管(2023-06-29)
东芝推出有助于减轻环境负荷的双极晶体管;
【导读】东芝电子元件及存储装置株式会社（简称“东芝”）现已推出两款双极晶体管“TTA2060”和“TTC5712”（采用SC-62封装：东芝......
GAAFET技术才准备开始，下一世代CasFET技术已在开发(2021-09-24)
应用难题获得更好解决法，开发性能更优异的芯片产品。
韩国三星2020年宣布，突破3纳米制程节点的关键技术──环绕式闸极晶体管技术（Gate-all-around，GAA），并在3月IEEE......
GAA技术才开始，半导体大厂已着手研发下一代CFET技术(2023-10-07)
GAA技术才开始，半导体大厂已着手研发下一代CFET技术;外媒eNewsEurope报道，英特尔和台积电将在国际电子元件会议（IEDM）公布垂直堆叠式（）场效晶体管进展，这有望使成为十年内最可能接替全环绕栅极晶体管......
Intel公布目标：2030年实现单芯片集成1万亿个晶体管(2022-12-05)
是在2030年做到单芯片集成1万亿个，是目前的10倍。
摩尔定律原型
从应变硅、高K金属栅极、FinFET立体晶体管，到未来的RibbonFET GAA环绕栅极晶体管......
定格 28nm，“摩尔定律已死”添新证据：晶体管成本 10 年前已停止下降(2024-02-04)
器的性能大约每两年翻一倍，同时价格下降为之前的一半。
1 亿栅极晶体管自 2014 年 28nm 以来成本陷入停滞，并未下降
三维半导体集成公司 MonolithIC 3D 的首席执行官 Zvi Or-Bach......
步进电机控制方法有哪些(2024-08-09)
能是一个三相双极电机，具体情况可以通过测量导线之间的阻抗来确定。
电机控制
本文前面讨论的电机控制理论可以采用全硬件方案实现，也可以用微控制器或DSP实现。图8说明了如何用晶体管作为开关来控制双相单极电机。每个晶体管......
FinFET晶体管尺寸的量化一直是主要挑战，并迫使高密度6T(2022-12-22)
密度。
微缩技术可以用于提高半导体器件的密度，并逐渐发展了各式各样的多栅极晶体管，这种晶体管通常具有鳍形状和纳米线形状的多沟道有源图案，图案形成于芯片衬底上，在有......
英特尔“四年五制程节点”即将按时到站：Intel 18A芯片现已上电运行(2024-08-07)
Forest，提供了未来CPU和AI芯片的设计蓝图，结合了RibbonFET全环绕栅极晶体管、PowerVia背面供电和Foveros Direct 3D先进封装技术的高性能解决方案，以实......
英特尔“四年五制程节点”即将按时到站：Intel 18A芯片现已上电运行(2024-08-07 13:00)
了未来CPU和AI芯片的设计蓝图，结合了RibbonFET全环绕栅极晶体管、PowerVia背面供电和Foveros Direct 3D先进封装技术的高性能解决方案，以实......
ST最新的双极功率晶体管媲美MOSFET的能效且具备紧凑封装(2013-10-16)
ST最新的双极功率晶体管媲美MOSFET的能效且具备紧凑封装;意法半导体的3STL2540提供双极晶体管的成本优势和硅面积使用效率，同时兼具同级MOSFET的能效，为设......
GAA技术才开始，半导体大厂已着手研发下一代CFET技术(2023-10-07)
GAA技术才开始，半导体大厂已着手研发下一代CFET技术;外媒eNewsEurope报道，英特尔和台积电将在国际电子元件会议（IEDM）公布垂直堆叠式（CFET）场效晶体管进展，这有望使CFET成为十年内最可能接替全环绕栅极晶体管......
Nexperia推出采用空间和能源效率较高的DFN2020D-3封装的热门功率BJT(2024-09-02)
低VCEsat技术的更多技术信息，请参阅此博客文章。
Nexperia为使用双极结型晶体管的工程师提供BJT应用手册，这是一本由工程师编写、供工程师阅读的实用、全面且最新的参考资料。这让设计工程师能够更好地了解双极晶体管......
变频器的30个基础知识（一）(2024-04-03)
变频器的30个基础知识（一）;1.什么是变频器整流器（转换器）？
整流器（转换器）是变频器主电源中的三个主要部分之一。输入的交流电通过转换器部分，被整流为直流电压。转换器部分由二极管、可控硅整流器组成或者连接全波桥的绝缘栅双极晶体管......
变频器的30个基础知识（之一）(2024-03-28)
变频器的30个基础知识（之一）;1.什么是变频器整流器（转换器）？
整流器（转换器）是变频器主电源中的三个主要部分之一。输入的交流电通过转换器部分，被整流为直流电压。转换器部分由二极管、可控硅整流器组成或者连接全波桥的绝缘栅双极晶体管......
请问一下IGBT是如何实现电路控制的？(2024-06-14)
请问一下IGBT是如何实现电路控制的？;绝缘栅双极晶体管（英语：Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT），是半导体器件的一种，主要用于新能源电动汽车、及电......
东芝推出12款双极晶体管产品，有助于节省电路板空间(2023-02-24)
东芝推出12款双极晶体管产品，有助于节省电路板空间;
【导读】东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）扩大了产品线，推出12款双极晶体管产品，用于功率器件栅极驱动电路、消费......
IR宣布扩充节能的600V绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列(2014-05-15)
IR宣布扩充节能的600V绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列;IR宣布扩充节能的600V绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列，并提供多种封装选择。坚固可靠的全新IRxx46xx 器件......
IR推出坚固可靠的全新1200V超高速绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列(2013-06-14)
IR推出坚固可靠的全新1200V超高速绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列;IR推出坚固可靠的全新1200V超高速绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列，针对工业电机驱动及不间断电源 (UPS) 应用......
SiC MOSFET用于电机驱动的优势(2023-12-22)
-100kHz）来维持所需的纹波电流。然而，对于50kHz以上的调制频率使用绝缘栅双极晶体管（IGBT）无法满足这些需求，如果是380V系统，硅耐压又不够，这就为宽禁带器件开创了新的机会。本文......
全心全意帮日本搞定2nm工艺 IBM：宁可牺牲其他科研资源(2023-07-03)
2nm技术来源主要是IBM，他们在2021年就率先宣布研发出了2nm工艺。
据了解，IBM的2nm工艺使用了GAA环绕栅极晶体管技术，密度可达3.33亿晶体管/mm2，几乎是台积电5nm的两倍，也比......
技术前沿：“环抱”晶体管与“三明治”布线(2024-09-12)
将介绍英特尔的两项突破性技术：RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术。这两项技术首次成功集成于Intel 20A制程节点，也将用于Intel 18A......
台积电2nm晶圆代工报价或达2.5万美元(2023-10-23)
工艺，转向GAA全环绕栅极晶体管架构（台积电的版本命名为Nanosheet），相较于N3E工艺同功耗下性能提升10-15%，同性能下功耗下降25-30%，但晶体管密度提升仅10-20......
传AMD和高通获将成为三星3nm工艺首家客户(2021-11-19)
芯片制程工艺首批客户的任何信息。
此前，三星曾对外表示目前已确保3nm制程工艺能有稳定的良品率，并计划在明年6月份开始量产并代工采用3nm制程工艺的芯片。据官方披露，三星电子的3nm制程工艺将采用全环绕栅极晶体管......
英特尔首次采用EUV技术的Intel 4制程节点已大规模量产(2023-10-16)
现大规模量产；Intel 3正在按计划推进，目标是2023年底；采用RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术的Intel 20A和Intel 18A同样进展顺利，目标是2024年。此外，英特......
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;深圳市北洋电子;;深圳市北洋电子商行是一家以经营电子元器件为主的生产加工型企业，主要生产产品为:可控硅(晶闸管)、整流管、功率半导体模块、二.三极晶体管
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;深圳市灏晟电子有限公司;;深圳市灏晟电子有限公司是一家专业的电子元器件销售电子企业。专业经营世界各地著名品牌的IC、集成电路、及其二三极管，并代理三极晶体管等产品。
;深圳市福田区腾盛电子;;腾盛电子有限公司创建于二零零零年，专业代理销售三端稳压IC、场效应管、可控硅集成电路、二、三极晶体管等电子元器件。 公司以“信誉为本、质量第一、服务真诚”的经营理念。“质优
日本的物流和基础设施问题导致硅供应中断，不仅会影响NAND闪存、DRAM、微控制器、标准逻辑、LCD面板和LCD元件，而且会影响分立器件等产品，如MOSFET、双极晶体管和小信号晶体管。 本文来自维库电子市场网 http
传感器、颜色传感器 、 高频管双栅场效应管、高频三极管、单片微波管、射频硅双极晶体管、微波双极晶体管 、集成IC红外遥控IC、红外数据IC、蓝牙IC 等。经营品牌有：德律风根、 英飞凌 、安捷伦、夏普
. 代理日本松下全系列车载继电器。 3. 代理日本三洋全系列OS-CON电容、全系列POSCAP电容。 4. 代理日本三洋半导体大小功率MOSFET，低饱和大小信号双极晶体管，功率双极晶体管，肖特基势垒二极管及射频晶体管
传感器 / 煤气传感器 / 霍尔传感器 / 热释红外人体传感器) 、 高频微波管 (高频双栅场效应管 / 高频三极管 / 单片微波管 / 射频硅双极晶体管 / 微波双极晶体管 )
音响IC，各种功率放大管，双极晶体管，场效应管，汽车电子IC，运算放大器，比较器，可控硅等等 欢迎相关厂家，公司，经销商跟我们取得联系，质量可靠，价格优惠，信誉保证。