资讯
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
也越大。
导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。
3.MOS管驱动
跟双极性晶体管......
使用SCR的电池充电器电路(2023-08-01)
阻 R7 为晶体管提供正向偏置电压，从而使晶体管导通。当晶体管导通时，可控硅将关闭。
当电池电压下降时，正向偏置电压将降低，晶体管将关闭。当晶体管自动关闭时，二极管 D1 和电阻 R3 将为......
自走式电器上的电池放电保护(2023-11-12)
时，Q1 会开启并且其 RDS 降低，导致 VDS 同步降低。晶体管两端的 VBE 因而开始上升并使晶体管导通。当 Q1 RDS 达到最低值 (RDS(on)) 时，集成晶体管的 VBE 位于......
基于电机PWM输出方式的电流再生方法(2023-03-27)
）中相同。此时，路径中不仅包括导通电阻，还包括寄生二极管的正向电压VF。因此，电流会迅速衰减。另外，施加到电机的等效平均电压会损耗VF的量，因此会小于占空比相应的电压。
（d）是关闭所有晶体管......
摊牌了，MOS管的真面目！(2025-01-01 18:07:51)
到截止的转换时间要短。
由于MOS管导通时的漏源电阻rDS比晶体三极管的饱和电阻rCES要大得多，漏极外接电阻RD也比晶体管集电极电阻RC大......
东芝开发带嵌入式肖特基势垒二极管的低导通电阻高可靠性SiC MOSFET(2022-12-13)
东芝开发带嵌入式肖特基势垒二极管的低导通电阻高可靠性SiC MOSFET;
【导读】东芝电子元件及存储装置株式会社(Toshiba Electronic Devices &......
基础知识之晶体管(2024-03-21)
，即数字晶体管导通区域的最小输入电压值。
因此，如果要从ON状态变为OFF状态，需要进一步降低该最小输入电压值，所以正常产品的电压值低于这个数值。
VI(off)Max.：输入电压......
基于ST STM32G474之500W全桥相移零电压切换直流-直流转换器数位电源(2022-12-21)
硬式切换(Hard Switching)是当功率晶体管在切换时，因为变压器一次侧谐振电感、线路杂散电感与功率晶体管的寄生电容，导致功率晶体管导通时，汲极－源极(Drain-Source)电压尚未降零，功率晶体管......
详解12种桥式电路(2024-12-05 16:42:28)
的正极端子
将所有4个输入钳位连接到电源电压的正极端子时，
上方的PNP晶体管关断，而下方的NPN晶体管导通
，负载两个钳位处的电位几乎等于负电源电压，因此......
PWM驱动有刷电机时的电流再生方法及其区别(2023-06-06)
流最小峰值大于零时，施加到电机上的等效电压如下： 施加到电机的等效电压＝Ea・(m－50%)/50% ※Ea：电机电源电压，m：导通比 无论哪种电路，由于存在寄生二极管的正向电压，输出晶体管 （MOSFET） 的高边和低边导通电......
Nexperia 适用于 36V 电池系统的特定应用 MOSFET(2022-10-28)
通常会在其电阻大幅上升时会短暂进入线性模式。在这些条件下，电池电压会在高负载电流下衰减，并且 MOSFET 栅极电压可能不足以确保晶体管完全导通。具有较大的 SOA 的 MOSFET 可以......
蜂鸣器驱动电路(2024-10-14 12:31:55)
况就不同了，当从A端输入电压达到约2.2V 时三极管才会饱和导通，具体计算过程如下：
假定β =120为晶体管参数的最小值，蜂鸣器导通电流是15mA。那么集电极电流IC......
IGBT在新能源汽车上的应用(2024-10-22 08:01:16)
流下，也称电力晶体管。GTR也是属于电流驱动型器件，导通后集电极和发射极之间的导通电阻非常小，载流密度非常大，可以做到很高的通路电流。但是在大功率应用场景下时需要消耗较高的驱动电流，此时......
3.3V和1.8V电平转换——电平转换芯片(2024-11-21 14:19:56)
要方向控制信号
。每个TVC器件包含一个N沟道导通晶体管阵列，它们的门在内部连接在一起。
在转换应用中，将连接其中一个 FET 作为参考晶体管，其他晶体管导通晶体管......
东芝开发带嵌入式肖特基势垒二极管的低导通电阻高可靠性SiC MOSFET(2022-12-13 11:33)
东芝开发带嵌入式肖特基势垒二极管的低导通电阻高可靠性SiC MOSFET;
东芝电子元件及存储装置株式会社(Toshiba Electronic Devices & Storage......
B类功率放大器介绍(2024-01-16)
偏置在夹断状态。这些偏置点允许输入的正半周期驱动晶体管导通。
传导角度
我们将使用传导角的概念来帮助我们描述功率放大器晶体管的工作。传导角是晶体管导通的一个输入周期的分数，以角度或弧度表示。例如，在......
采样保持电路工作原理+电路案例(2024-11-20 12:53:06)
晶体管的栅极端子。
将命令输入的初始电压设置为 -15V，脉冲电压设置为 15V。因此，只要命令输入电压为负，二极管就会正向偏置，从而导致晶体管导通，反之亦然。
运算......
请问一下IGBT是如何实现电路控制的？(2024-06-14)
动车的交流电电动机的输出控制。
传统的BJT导通电阻小，但是驱动电流大，而MOSFET的导通电阻大，却有着驱动电流小的优点。IGBT正是结合了这两者的优点：不仅驱动电流小，导通电阻也很低。
这种晶体管结合了金属氧化物半导体场效应晶体管......
IBM 展示专为液氮冷却优化的纳米片晶体管原型，性能可较室温翻倍(2023-12-25)
的开 / 关灵敏度，只需更小的电压变化即可切换状态，进一步降低功耗。
然而，低温也带来了新的挑战：阈值电压升高。阈值电压是指将晶体管导通所需的电压，它会随着温度下降而升高，使得器件开关更加困难。传统工艺难以降低阈值电压......
IBM 展示专为液氮冷却优化的纳米片晶体管原型，性能可较室温翻倍(2023-12-25 16:02)
变化即可切换状态，进一步降低功耗。然而，低温也带来了新的挑战：阈值电压升高。阈值电压是指将晶体管导通所需的电压，它会随着温度下降而升高，使得器件开关更加困难。传统工艺难以降低阈值电压，因此 IBM......
详解继电器原理特性与继电驱动电路设计技巧(2024-11-12 21:27:25)
入高电平时，晶体管T1饱和导通，继电器线圈通电，触点吸合。
当输入低电平时，晶体管T1截止，继电器线圈断电，触点断开。
电路......
第三代半导体13项标准获得新进展！(2024-07-29)
阻测试标准形成委员会草案
2024年7月25日，由浙江大学、浙江大学杭州国际科创中心牵头起草的团体标准T/CASAS 34—202X《用于零电压软开通电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法》、T/CASAS 35......
DC-DC BUCK电路详解(2024-10-25 08:05:21)
整流死区时间
同步整流是采用极低导通电阻的的MOSFET来取代二极管以降低损耗的技术，大大提高了DCDC的效率。
物理特性的极限使二极管的正向电压......
【干货】BCUK电路讲解，工作原理+图文结合(2024-06-25)
-DC的效率。
物理特性的极限使二极管的正向电压难以低于0.3V。对MOSFET来说，可以通过选取导通电阻更小的MOSFET来降低导通损耗。
在开关电源系统中，死区时间（Dead Time）是指为了避免两个晶体管开关同时导通......
入门级Buck电路原理—简洁而不简单(2024-12-08 17:54:05)
整流死区时间
同步整流是采用极低导通电阻的的MOSFET来取代二极管以降低损耗的技术，大大提高了DCDC的效率。
物理特性的极限使二极管的正向电压......
最佳的音频放大器设计方案介绍(2024-01-09)
不是一个不错的选择。
使用B类音频放大器，输出晶体管仅在信号波形的一半（180°）期间导通。为了放大整个信号，使用了两个晶体管，一个晶体管导通正输出信号，另一个晶体管导通负输出信号。
这是......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
突变的情况下，可能与栅极电容形成LC震荡，串联电阻可以增大阻尼减小震荡效果。
3、减小栅极充电峰值电流。
▉ 选型要点
1、电压值
关注Vds最大导通电压和Vgs最大耐压，实际使用中，不能超过这个值，否则......
运放可以当比较器使用吗？(2024-06-07)
开启脚。如果总线电压没输出或不正常少于1v，此时V+电压比V-电压低，输出低电平。
电压比较器
当比较器的同相端电压（V+）低于反相端电压（V-）时，输出晶体管导通，输出接地低电平；当同相端电压......
意法半导体量产PowerGaN器件，让电源产品更小巧、更清凉、更节能(2023-08-03)
将加速功率转换系统向GaN宽带隙技术过渡。GaN晶体管的击穿电压和导通电阻RDS(on)与硅基晶体管相同，而总栅极电荷和寄生电容更低，且无反向恢复电荷。这些特性提高了晶体管的能效和开关性能，可以......
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系(2024-11-09 00:48:11)
区的电子为PNP晶体管的n区持续提供电子，这就保证了PNP晶体管的基极电流。我们给它外加正向偏压VCE，使PNP正向导通，IGBT器件正常工作。
这就......
意法半导体量产PowerGaN器件，让电源产品更小巧、更清凉、更节能(2023-08-03)
更多的功率封装形式，包括PowerFLAT 8x8 DSC和LFPAK 12x12大功率封装。
意法半导体的G-HEMT器件将加速功率转换系统向GaN宽带隙技术过渡。GaN晶体管的击穿电压和导通电阻RDS(on)与硅基晶体管......
意法半导体量产PowerGaN器件，让电源产品更小巧、更清凉、更节能(2023-08-03 15:36)
DSC和LFPAK 12x12大功率封装。意法半导体的G-HEMT器件将加速功率转换系统向GaN宽带隙技术过渡。GaN晶体管的击穿电压和导通电阻RDS(on)与硅基晶体管相同，而总......
SiC MOSFET真的有必要使用沟槽栅吗？(2022-12-28)
为了维持较高的击穿电压，将漏极放在芯片背面，整个漂移层承受电压。功率MOSFET的导通电阻，由几部分构成：源极金属接触电阻、沟道电阻、JFET电阻、漂移区电阻、漏极金属接触电阻。设计人员总是要千方百计地降低导通电......
常看常新！Buck电路，简洁而不简单！(2024-11-20 21:43:40)
率。
物理特性的极限使二极管的正向电压难以低于0.3V。对MOSFET来说，可以通过选取导通电阻更小的MOSFET来降低导通......
具有延迟和报警的高低压切断(2023-07-26)
使用这个项目来控制电器，而不是使用昂贵的稳压器。
带和的高低压切断原理：
当电源电压较高时，齐纳二极管 D4 阴极的直流电压大于 5.6V。因此，晶体管 Q1 导通，晶体管 Q2 关断。因此，继电器 RL1 断开，负载......
DIY一个高保真音频放大器电路(2023-10-12)
晶体管，然后Q9晶体管对C50（保持继电器驱动晶体管导通的电容）完全放电，从而切断与扬声器的连接。这种保护非常快（60-1ms），优于简单的保险丝保护，后者可以使短路保持长达《》秒。
通过Q11和......
自动电池充电器(2023-07-26)
）提供部分电池电压。
当电池电量达到 14.5V 时，LM358 反相端输入的电压略高于 LM336 设置的引脚 3 上的 2.5V。这将使 555 的输出变高。
结果，红色 LED 发光，晶体管导通......
在ROS学习平台中常常使用到的直流电机控制原理与驱动电路(2023-09-18)
平衡方程
从公式中可以看出电机转速n和供电电压成正比。所以通过改变电机供电电压可以达到到调速的目的。
在电力电子中可以通过PWM波控制开关管导通与关闭来调制直流电压。并且调制电压满足关系Vout=D......
意法半导体氮化镓功率半导体PowerGaN系列首发，让电源能效更高、体积更纤薄(2021-12-17)
，导通电阻为250mΩ Rds(on)，将于 2022 年第三季度提供样品
G-FET™ 晶体管系列是一种非常快、超低 Qrr、稳健的 GaN 共源共栅或 d 模式 FET，带有标准硅栅极驱动，适用......
RS485接口电路设计常见的几个关键要素(2024-10-21 20:54:06)
接收状态。
发送数据时：
发送数据引脚是RS485_TX，应该RS485_TX发送1，晶体管导通，RE和DE的电平为低，RS485收发芯片没有打开，由于......
几种常用的防反接电路(2024-06-05)
根据选型的二极管参数决定）
2、采用NMOS防护
如下图，上电瞬间，MOS管的寄生二极管导通，系统形成回路，源极S的电位大约是0.7V，而栅极G的电位为Vbat，MOS管的开启电压极为：Ugs......
意法半导体超结MOSFET MDmesh的百亿里程碑(2024-01-11)
年代末，设计人员都必须接受这样一个“公理”：对于平面晶体管，品质因数（FOM定义为导通电阻乘以芯片面积）与击穿电压 (BV) 成正比。该公理意味着在给定电压下达到较低导通电......
中科大在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展(2022-05-27)
特性表明器件具有良好的栅极控制能力。此外，器件的导通电阻得到了很好的保持，为151.5Ω·mm，并且击穿电压达到了980V。
▲图2.基于异质PN氧化镓结型场效应晶体管（a）结构示意图及工艺流程图，（b）不同......
意法半导体新200W和500W器件提升MasterGaN系列性能和价值(2023-12-15)
滞后和下拉电阻有助于输入直连控制器，例如，微控制器、DSP信号处理器或霍尔效应传感器。专用关断引脚有助于设计者节省系统功率，两个GaN
HEMT晶体管的时序匹配精准，集成一个互锁保护电路，防止桥臂上的开关管交叉导通......
意法半导体新200W和500W器件提升MasterGaN系列性能和价值(2023-12-15)
引脚接受3.3V至15V的信号电压，输入滞后和下拉电阻有助于输入直连控制器，例如，微控制器、DSP信号处理器或霍尔效应传感器。专用关断引脚有助于设计者节省系统功率，两个GaN HEMT晶体管......
倍压检波(2024-12-14)
了 2.6V左右。最终给负载电容充电。由此可以看到，输出最终的电压与理论的两倍输入电压峰值之间 ，还相差了两个二极管导通电压降。在仿真结果中， 可以看到 绿色的输出电压曲线的平均值为 2.6V左右......
如何优化隔离栅级驱动电路?(2022-12-09)
的正确控制，要求两个晶体管既不能同时开启也不能同时导通。流入串联上桥和下桥器件的电流被称为“直通”电流。直通电流浪费功率，并导致上桥和下桥晶体管的损坏。
消除直通电流的最常见技术是：在上......
Nexperia（安世半导体）宣布推出新一代 650V 氮化镓 (GaN) 技术(2020-06-08)
了缺陷并且芯片尺寸可缩小约24%。TO-247 封装的新器件，导通电阻RDS(on)降低到仅 41mΩ（最大值，25℃的典型值为 35mΩ），同时具有高的栅级阀值电压和低反向导通电压。CCPAK封装的新器件，将导通电......
双向可控硅实现调光技术细节(2024-12-09 14:48:55)
的快慢取决于可变电位器旋停的阻值大小，阻值越小电容上充得的电压上升越快，充到VD双向触发二极管导通阈值电压用时越短；阻值越大电容上充得的电压上升越慢，充到VD双向触发二极管导通阈值电压......
Nexperia推出的超微型MOSFET占位面积减小36%(2020-04-23)
超小型DFN0606封装，适用于移动和便携式产品应用，包括可穿戴设备。这些器件还提供低导通电阻RDS(on)，采用常用的0.35 mm间距，从而简化了PCB组装过程。
PMH系列MOSFET采用了DFN0606封装......
相关企业
驱动。 TSF4N65T/F（SVD4N60D）是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管，有TO-251-3L和TO-220F-3L俩种封装，采用信安电子的平面VDMOS工艺制造，先进的工艺及条状的原胞设计结构使的该产品具有较底的导通电
高能电子点火集成电路:LD3334 MC3334 汽车和摩托车点火系统用功率达林顿晶体管/功率晶体管：BU941ZT BUB941ZT BU941ZP D1071 TIP41C TIP42C 汽车电压调节器用达林顿功率晶体管
;安丘市科威电子有限公司;;我公司已有13年半导体器件生产历史,设备先进,测试仪器齐全,例行实验设施完善。主要产品有:１．ＮＰＮ硅低频大功率晶体管 3DD1-3DD12,3DD21
;东莞灿域电子有限公司;;我司是一家生产代理.二三极管 .产品系列有各种封装的 晶体管 场效应管 可控蛙 三端稳压IC等品种达800遇种. 产品用于;显示器 电源 音响 电话机 电脑 玩具 节能
;辽宁丹东华奥电子有限公司;;丹东华奥电子有限公司成立于2001年,我司是专业从事汽车/摩托车电子电器配套用集成电路和晶体管开发、设计、生产、推广应用和服务的高科技企业。 公司为汽车/摩托
;丹东华奥电子有限公司;;丹东华奥电子有限公司成立于2001年，是专业从事汽车/摩托车电子电器配套用集成电路和晶体管开发、设计、生产、推广应用和服务的高科技企业。产品出口国际市场。 公司
温度传感器工作温度范围窄。为了一举解决这些问题，本公司在世界上首次开发了具有标准特性公式和标准特性表的S系列二极管和晶体管温度传感器。 这种温度传感器利用二极管正向电压和晶体管be结正向电压的温度特性工作,其正向电压
;szwtron;;分布式组件、集成电路、电子组件、被动组件等。主动组件：小信号晶体管、功率晶体管、场效应晶体管、IGBT、线性IC、逻辑处理IC、LCD驱动IC、、MP3IC、DVDIC、工业
主要产品是江苏供应长电全系列二/三极管，晶体管，MOS管，压敏电阻，TVS管，整流管，稳压管，双晶体管，数字晶体管，镇流器专用开关晶体管等被动元器件。 公司秉承想客户之所想，急客户之所急的经营思路，快速，高效，灵活
类电子元器件，主要产品包括：高频中、小功率晶体管、玻璃封装硅功率二极管、高压硅堆、单相、三相桥式硅整流器、高频大功率晶体管、低频大功率PNP、NPN晶体管、功率晶体开关管、达林顿PNP、NPN功率晶体管、功率MOS