资讯
氮化镓栅极驱动专利：RC负偏压关断技术之松下篇(2022-12-23)
钳位在VfD1的电平，避免了电感负载续流所带来的过大的负偏压。
图3
而电容上所并联的二极管(26,36)则是为了应对如下图4中所示的情况，当下半桥处于关断，上半桥从关断变为导通时，上半桥将高电压加载到下半桥晶体管的......
三极管知识讲解，补课(2024-11-09 18:33:37)
电流放大器件。
三极管的电流放大作用与其物理结构有关，三极管内部进行的物理过程是十分复杂的，初学者暂时不必去深入探讨。从应用的角度来讲，可以把三极管看作是一个电流分配器。一个三极管制成后，它的三个电流之间的比例关系......
使用先进的SPICE模型表征NMOS晶体管(2024-06-18)
-源极电压从0V线性增加到3V，然后变为电平。
VDD是常数1.2V。
图6显示了2ms瞬态模拟的结果。
模拟NMOS晶体管的漏极电流和栅极电压与时间的关系图。
图6。模拟的90nm NMOS晶体管的漏极电流和栅极到源极电压与时间的关系......
电感负载A类功率放大器简介(2024-01-04)
摆动？一种可能的解释是，节点A处的直流电压等于VCC，因为电感器在直流下是短路。RFC只承载直流电流，其值由连接到晶体管基极的偏置电路（图中未显示）确定。由于......
基础知识之晶体管(2024-03-21)
有大量的水从水箱（集电极）流向水龙头出水口（发射极）。通过这样的比喻来思考的话，可能更容易理解。
现在，我们使用图1和图2更详细地讲解一下晶体管的放大原理。流经集电极的电流是与输入电压e和偏置电压E1构成......
一文看懂3D晶体管(2016-11-01)
、源极
三极管的原理就是闸极的电压只要稍稍变大，输出端（源极）就会有很大的增加，而闸极只要没有输入，输出端也应该马上停止输出。
平面型MOS晶体管的通道问题
▲改良型MOS半导体结构
上图......
推挽式B类功率放大器的基本原理(2024-01-22)
为了找到放大器的最大效率，我们需要找到Ip在VCC方面的最大值。我们可以通过注意到集电极电压的最大摆幅为VCC来找到这种关系。换句话说，假设晶体管的饱和电压为零（VCE（sat）= 0），集电极电压......
SMU数字源表如何测试三极管IV特性曲线(2023-03-15)
特性曲线表示基极电流IB一定时，三极管输出电压VCE与输出电流IC之间的关系曲线。根据输出特性曲线，三极管的工作状态分为三个区域。截止区：它包括IB=0及IB〈0（即IB与原方向相反）的一组工作曲线。当IB......
学三极管能遇到这篇巧文，我太幸福了！(2025-01-06 20:29:23)
高。
其实晶体三极管的电流放大关系与电子三极管类似。
晶体三极管的基极就相当于电子三极管的栅极，基区就相当于栅网，只不过晶体管的......
干货总结｜晶体管的应用知识(2023-03-28)
？
很简单！晶体管的基极到发射极部分的工作原理是二极管，二极管有一个正向电压，它会从可用电压中“抓取”这部分电压。如果你在串联中加入一个电阻器，其余的电压就会在电阻器上分压。
因此，增加......
关于半导体工艺节点演变，看这一篇就够了(2017-02-20)
于这个数字的。比方说，英特尔的14nm的晶体管，沟道长度其实是20nm左右。
根据现在的了解，晶体管的缩小过程中涉及到三个问题，分别是：
第一，为什么要把晶体管的尺寸缩小？以及......
基于ST STM32G474之500W全桥相移零电压切换直流-直流转换器数位电源(2022-12-21)
汲极－源极电流已经开始上升，造成功率晶体管导通时的切换损失；功率晶体管截止时，功率晶体管的 尚未降为零，功率晶体管的 已经开始上升，造成功率晶体管截止时的切换损失，导通时功率晶体管之汲极－源极的电......
晶体管低频放大器(2023-06-25)
晶体管低频放大器;晶体管低频放大器主要是用来放大低频小信号电压的放大器，频率从几十赫到一百千赫左右
一、晶体管的偏置电路
为了使放大器获得线性的放大作用，晶体管不仅须有一个合适的静态工作点，而且......
老司机怎么测量三极管管型、管脚和性能？(2023-03-14)
率三极管多直接焊接在印刷电路板上，由于元件的安装密度大，拆卸比较麻烦，所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡，去测量被测三极管各引脚的电压值，来推断其工作是否正常，进而判断其好坏。
(2)大功率晶体三极管的检测 利用......
讲透三极管(2024-06-13)
疏密度有关。栅极越密则截流比例越大，相应的β值越低，栅极越疏则截流比例越小，相应的β值越高。
其实晶体三极管的电流放大关系与电子三极管类似。
晶体三极管的基极就相当于电子三极管的栅极，基区就相当于栅网，只不过晶体管的......
|光耦合电路讲解，工作原理+电路案例，通俗易懂，带你搞定(2024-11-20 12:53:06)
开或关闭，因此，输出晶体管完全关闭或完全打开，这意味着导通或非导通模式。
此模式用于需要保护微控制器引脚免受输出电路高压影响的地方。例如，在使用微控制器的电机驱动中，电机需要高电流和高电压。在此......
【泰克应用分享】 FET 生物传感器的直流I-V 特性研究(2023-11-17)
物受体、传感膜或碳纳米材料）检测，这些传感元件是生物传感器的一部分。该装置将对被分析物的生物反应转化为电信号。生物元件的检测和浓度与流过晶体管的漏极电流有关。然后使用直流I-V测量仪器测量FET的电......
模拟集成电路设计中的MOSFET非理想性(2024-01-18)
作区域）。
表1.寄生电容值。
身体效应
我们之前讨论过晶体管的体端和源端通常如何连接到相同的电势，但没有解释为什么是这样。为了理解原因，让我们更深入地研究物理晶体管，当VGS的值从0增加到大于阈值电压（Vth......
详解12种桥式电路(2024-12-05 16:42:28)
由两个NPN和两个PNP晶体管组成的H桥，
下部NPN晶体管的电阻不断减小，而接地（=负端子）与X2和X4之间的电位不断增加。
如果输入钳位处的电势等于电路的输入电压......
新能源汽车解析丨什么是IGBT？结构与拆解(2023-10-08)
转换为交流电 (AC)，反之亦然。2、IGBT模块是如何工作的？IGBT 结合了功率 MOSFET 的简单栅极驱动特性和双极晶体管的高电流和低饱和电压能力。IGBT 将用于控制输入的隔离栅 FET......
MOS管的三个极怎么判定？(2024-03-08)
MOS管的三个极怎么判定？;相信很多工程师在使用电子测量仪器的时候大家都了解，下面一起看看究竟是什么。本文引用地址：
1. MOS的三个极怎么判定？
符号上的三个脚，辨认......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
晶体管的空穴迁移率低，因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下，PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。
此外，P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般偏高，要求有较高的工作电压......
学子专区—ADALM2000实验：有源整流器(2023-05-12)
自供电运算放大器试验板电路的有源半波整流器
当VIN大于VOUT时，运算放大器将接通PMOS晶体管，公式如下：
其中（电压以地为基准）：
VGATE为M1栅极的电压。
VIN为交流输入电压。
VOUT为C1和RL处的输出电压......
B类功率放大器介绍(2024-01-16)
波形
由于B级晶体管的间歇导通，流经晶体管的电流不是输入信号的忠实再现（见图1）。作为半波整流正弦波，输出电流包含所施加信号的不同谐波。
如果我们让这种失真的电流通过电阻负载，输出电压......
垂直GaN JFET的动态性能(2024-01-02)
垂直GaN JFET的动态性能;美国弗吉尼亚理工学院、州立大学和NexGen电力系统公司首次对垂直（GaN）功率晶体管的动态电阻（ RON）和阈值电压（VTH）稳定性进行了实验表征。研究人员研究了额定电压......
可控硅控制器工作原理(2024-01-22)
。
LC滤波器触发模式：在这种模式下，在滤波器中储存的能量通过控制端的电压释放，从而触发可控硅。
可控硅的结构由三个不同区域形成：P型区、N型区和P型区。根据不同的控制电压......
晶体管特性图示仪,晶体管特性图示仪是什么意思(2023-01-12)
)“功耗限制电阻”旋钮 “功耗限制电阻”相当于晶体管放大器中的集电极电阻，它串联在被测晶体管的集电极与集电极扫描电压源之间，用来调节流过晶体管的电流，从而限制被测管的功耗。测试功率管时，一般......
台积电为2纳米节点增加两个变体，英特尔能赶上吗？(2023-05-29)
了诸如后端制程(BEOL)通孔电阻升高的挑战。因此，当芯片制造商持续致力于芯片供电传输电路中的电阻问题时，晶背供电传输增强了晶体管的性能、降低其功耗，并消除了数据和电源连接之间的一些潜在干扰。
据应......
如何优化隔离栅级驱动电路?(2022-12-09)
正确控制，要求两个晶体管既不能同时开启也不能同时导通。流入串联上桥和下桥器件的电流被称为“直通”电流。直通电流浪费功率，并导致上桥和下桥晶体管的损坏。
消除直通电流的最常见技术是：在上......
Cambridge GaN Devices 推出第二代 ICeGaN ICs(2023-05-15)
。与上一代器件相同，新型 650 V H2 ICeGaN 晶体管的驱动方式与 Si MOSFET 类似，无需复杂低效的电路，而是采用商用工业栅极驱动器。最后，与硅器件相比，H2 ICeGaN HEMT......
STC15W408AS单片机GPIO口介绍及其工作模式(2024-01-31)
。如果一个引脚输出为1而由外部装置下拉到低时，弱上拉关闭而"极弱上拉"维持开状态，为了把这个引脚强拉为低，外部装置必须有足够的灌电流能力使引脚上的电压降到门槛电压以下。对于5V单片机，"弱上拉"晶体管的电......
理解了这几个基础电路，模电分析就不难！(2024-10-12 21:34:57)
VT 的基极。从图(b)看到，晶体管的输入电压和反馈电压是同相的，满足相位平衡条件的，因此电路能起振。由于晶体管的 3 个极是分别接在电感的 3 个点上的，因此......
45W晶体管电子管混合式功率放大器(2023-06-27)
微调两电子管控制栅极直流静态工作点和调整交流噪声自我抑制的双重功效。电阻R4、R5与PR1的总阻与差分放大器的工作电流产生的电压降将决定功放管的控制栅极偏压疽。两晶体管的集电极直接输出到Vl、V 2的控制栅极，推动......
仪器仪表稳流电源设计(2022-12-21)
作放大器，则工作电压uce必须高于该管的饱和电压uces。,放大器才能正常工作。从手册知晶体管的uces值均小于3v。这时可用下式来计算：
本例用原来的变压器次级双15v绕组，可满......
用于模拟IC设计的小信号MOSFET模型(2024-01-26)
迁移率
Cox是栅极氧化物电容
W是晶体管的宽度
L是晶体管的长度。
这两个方程式为我们带来了几个有趣的地方：
在线性区域，晶体管的电流增益取决于输出电压。它根本不取决于输入信号。这在......
90%的工程师会忽略的 40 个实用模拟电路小常识，你是其中之一吗？(2024-10-20 23:26:13)
输出电流还会有偶次谐波成分，为了减少非线性失真，应尽量精选配对管子。
29、为了获得大的输出功率，加在功率晶体管上的电压、电流就很大，晶体管工作在大信号状态下。这样晶体管的......
90%的人会忽略的40个实用模拟电路小常识(2024-11-30 17:23:02)
输出电流还会有偶次谐波成分，为了减少非线性失真，因尽量精选配对管子。
29、为了获得大的输出功率，加在功率晶体管上的电压、电流就很大，晶体管......
电子工程师必备！40个模拟电路小常识！(2024-12-15 01:50:33)
为了获得大的输出功率，加在功率晶体管上的电压、电流就很大，晶体管工作在大信号状态下。这样晶体管的安全工作就成为功率放大器的一个重要问题，一般......
Cambridge GaN Devices 推出第二代 ICeGaN ICs，在同类产品中拥有出色的稳健性、易用性和高效率(2023-05-15 15:28)
稳健性显著提高，可提供更高的噪声抗扰阈值，实现 dV/dt 抑制和 ESD 保护。与上一代器件相同，新型 650 V H2 ICeGaN 晶体管的驱动方式与 Si MOSFET 类似，无需复杂低效的电路，而是......
罗姆（ROHM）第4代：技术回顾(2023-01-31)
化硅沟槽侧壁上制备的栅极具有更高的沟道迁移率，这意味着与平面器件相比，电子穿过沟槽栅极的阻碍较少。这能降低沟道电阻。其次，沟槽式金氧半场效晶体管可能消除平面金氧半场效晶体管的JFET电阻，在该区域中，来自两个沟道的电......
罗姆（ROHM）第4代：技术回顾(2023-01-31)
较低Ronsp背后有多种原因。首先，在碳化硅沟槽侧壁上制备的栅极具有更高的沟道迁移率，这意味着与平面器件相比，电子穿过沟槽栅极的阻碍较少。这能降低沟道电阻。其次，沟槽式金氧半场效晶体管可能消除平面金氧半场效晶体管的......
罗姆（ROHM）第4代：技术回顾(2023-02-01)
较低Ronsp背后有多种原因。首先，在碳化硅沟槽侧壁上制备的栅极具有更高的沟道迁移率，这意味着与平面器件相比，电子穿过沟槽栅极的阻碍较少。这能降低沟道电阻。其次，沟槽式金氧半场效晶体管可能消除平面金氧半场效晶体管的......
双向双极结技术的力量(2023-04-07)
降。因此，在低导通电压降和关断时间之间存在权衡，较长的关断时间会导致较高的开关损耗。B-Tran 是一种晶体管，每侧都有两个控制开关，可提高其性能和可靠性。B-Tran 与......
dV/dt 抑制和 ESD 保护。与上一代器件相同，新型 650 V H2 ICeGaN 晶体管的驱动方式与 Si MOSFET 类似，无需复杂低效的电路，而是......
揭秘十大常用电子元器件背后的那些门道！(2024-10-20 21:14:56)
很难达到的性能。
2、场效应管分成结型和绝缘栅型两大类，其控制原理都是一样的。
3、场效应管与晶体管的比较
(1)场效应管是电压......
妙趣横生的电子小知识 第1篇：初识晶体管(2023-03-06)
是不可或缺的重要器件。
但是，对于电子制作初学者来说，掌握晶体管的使用方法有点难。刚开始电子制作时使用的元器件，比如电池、LED、电阻器和开关等，几乎都是两个引脚，而晶体管却有三个引脚。看到三个......
妙趣横生的电子小知识 第1篇：初识晶体管(2023-03-03)
最大可以将电流放大几倍”的电流放大系数h_FE用图4.1中的公式表示。这是一个非常简单的关系表达式，“输出电流I_C等于h_FE乘以输入电流I_B”。
图4.1 晶体管基础
当您打开网上销售晶体管的......
科普丨十大最常用电子元器件介绍(2024-10-22 09:33:32)
是两种型号的表示符号：3、场效应管与晶体管的比较(1)场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管;而在信号电压较低，又允......
了解RET的开关特性(2023-02-03)
得更大的开关电流。图2 显示了 RET 晶体管的电压-电流(VI)开关特性。
● VI < VI(off)max：所有RET器件均保证处于关断状态
● Vi < Vi(off)typ......
A类功率放大器简介：共发射极PA(2024-01-03)
V）。忽略这个很小的电压降，我们找到了集电极电流的最大值：
方程式2
交流负载线显示了电路中的电流和电压限制。通过将所采用特定类型的晶体管（BJT、FET等）的特性曲线叠加在交流负载线上，我们可以很容易地确定信号何时超过晶体管的......
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;欧阳志航;;欧信电子商行位于中国汕头市潮南区司马浦镇华里西村华祥路顺德楼，欧信电子商行是一家主营各厂家场效应管、肖特基、功率管、可控硅等晶体管的经销批发的个体经营。欧信
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元器件测试仪，安规测试仪，晶体管图示仪，LCR数字电桥。维修价格低于厂家维修价，维修周期短，质量保证，三个月保修期。 欢迎各单位来电咨询，真诚合作！
产品涉及各个领域，与俄罗斯、台湾的大型相关企业有着良好的交流与合作。公司涉及生产高频低噪声中小功率晶体管、场效应管中小功率晶体管、中小功率晶体管场效应管中小功率晶体管、带阻晶体管、开关二极管、变容二极管、肖特
;深圳市雄基电子器材有限公司;;是深圳老牌的电子产品供应商，公司位于华强北电子大厦。主要产品：稳压电路 .稳压二极管 1瓦 . 集成电路 . 稳压二极管 .To-92双极型晶体管 . 贴片
的服务管理，向世界知名品牌公司看齐，确保所生产的晶体管达到专业化,高端华,精品化。成世界上晶体管的主要生产商之一。 SPTECH晶体管主要应用于加湿器、变频器、打印机、电源、汽车电子、点火器、发电机、无线
主要产品是江苏供应长电全系列二/三极管，晶体管，MOS管，压敏电阻，TVS管，整流管，稳压管，双晶体管，数字晶体管，镇流器专用开关晶体管等被动元器件。 公司秉承想客户之所想，急客户之所急的经营思路，快速，高效，灵活
温度传感器工作温度范围窄。为了一举解决这些问题，本公司在世界上首次开发了具有标准特性公式和标准特性表的S系列二极管和晶体管温度传感器。 这种温度传感器利用二极管正向电压和晶体管be结正向电压的温度特性工作,其正向电压与温度之间有如下关系
;深圳市福田区腾盛电子;;腾盛电子有限公司创建于二零零零年，专业代理销售三端稳压IC、场效应管、可控硅集成电路、二、三极晶体管等电子元器件。 公司以“信誉为本、质量第一、服务真诚”的经营理念。“质优
高能电子点火集成电路:LD3334 MC3334 汽车和摩托车点火系统用功率达林顿晶体管/功率晶体管：BU941ZT BUB941ZT BU941ZP D1071 TIP41C TIP42C 汽车电压调节器用达林顿功率晶体管