Cambridge GaN Devices 推出第二代 ICeGaN ICs,在同类产品中拥有出色的稳健性、易用性和高效率
稳健、高效,可像 MOSFET 一样驱动
2023 年 5 月 15 日
英国剑桥 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司,开发了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更环保的电子器件。CGD 今日宣布推出其 ICeGaN™ 650 V 氮化镓 HEMT H2 系列产品,该器件具备业界领先的稳健性、易用性,可实现历史最高效率。H2 系列 ICeGaN HEMT 采用 CGD 智能栅极接口,该接口几乎消除了典型 e-mode GaN 的弱点,过压稳健性显著提高,可提供更高的噪声抗扰阈值,实现 dV/dt 抑制和 ESD 保护。与上一代器件相同,新型 650 V H2 ICeGaN 晶体管的驱动方式与 Si MOSFET 类似,无需复杂低效的电路,而是采用商用工业栅极驱动器。最后,与硅器件相比,H2 ICeGaN HEMT 的 QG 低 10 倍,QOSS 低 5 倍,这使得 H2 ICeGaN HEMT 在高开关频率下能大幅降低开关损耗,并缩小尺寸,减轻重量。基于这些优势,该产品在同类产品中具备领先的效率性能,并且与 SMPS 应用中业界出色的 Si MOSFET 相比,其性能提升了 2%。
GIORGIA LONGOBARDI | CGD 首席执行官兼联合创始人
“CGD 借助 H2 系列 ICeGaN 确立了其创新领导地位。弗吉尼亚理工学院(Virginia Tech)的独立研究已证实,ICeGaN 是业界坚固耐用的 GaN 器件,并且可以像标准硅 MOSFET 一样驱动,简单易用,有助于市场迅速接纳此类新产品。GaN的效率优势广为人知, ICeGaN 在满载范围内的性能表现令人印象深刻。”
ICeGaN H2 系列采用创新 NL3(空载和轻载)电路,与 GaN 开关一同集成在片上,功耗创历史新低。采用(片上)集成米勒钳位的先进箝位结构,无需负栅极电压,可实现真正的零电压关断,并提高动态 RDS(ON) 性能。这些 e-mode(常关)单芯片 GaN HEMT 包含单片集成接口和保护电路,因此具备卓越的栅极可靠性,并且可以简化设计。最后,电流检测功能可降低功耗,并允许直接接地,以优化散热和 EMI 性能。
GIORGIA LONGOBARDI | CGD 首席执行官兼联合创始人
“CGD 成功解决了所有通常会减缓新技术推广进程的挑战。此外,我们现已成功建立了可靠的供应链体系,可以满足市场对 H2 系列 ICeGaN 晶体管的大规模需求。”