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研发客服| 晶体管低频放大器主要是用来放大低频小信号电压的放大器，频率从几十赫到一百千赫左右 |
| 一、晶体管的偏置电路 |
| 为了使放大器获得线性的放大作用，晶体管不仅须有一个合适的静态工作点，而且必须使工作点稳定。由于温度对管子参数β、Icbo、Ube的影响，最终都集中反映在Ic的变化上，为了消除这种影响，我们通过晶体管偏置的直流或电压的负反馈作用使静态工作点稳定下来，常见的两种偏置电路及工作点稳定原理如下表 |
| 表一、 | 晶体管放大器的偏置电路 |
| 电路工作点稳定原理计算公式电流负电反馈设温度T↑，直流负反馈过程结果使Ic维持不变U=(1/3-1/5)EcRe=(1/3-1/5)Ec/IcRb=Rb1//Rb2===(2-5)ReUb=Rb1Ec/(Rb1+Rb2)电压负电反馈设温度T，直流负反馈过程结果使Ic维持不变Rb=β(Ec-Ube)/Ic-βRcIc=Ec/(Rc+Rb/β)根据经验，通常取Rb/Rc=(2-10) | |
| 二、放大器的三种电路形式 |
| 放大器是一种三端电路，其中必有一个端是输入和输出的共同“地”端，如果这个共“地”端接于发射极的，称为共射电路，接于集电极的，称为共集电路，接于基极的，称为共基电路，这三种有不同的性能，见下表 |
三种电路形式及其性能比较 |
| 电路电压放大倍数电流放大倍数输入电阻输出电阻共射电路10-100大10-1000大100Ω-50KΩ中10KΩ-500KΩ中共集电路0.9-0.999小10-1000大因负载不同，可达50MΩ左右大1-100Ω小共基电路100-10000（实用）大0.9-0.999小10-500Ω左右小500KΩ-5MΩ大 |
| 三、图解法 |
| 所谓图解法，就是利用晶体管输入和输出的特性曲线，通过作图来分析放大器性能的方法，图解法能直观和全面地表明三极管放大的工作过程，并能计算放大器的某些性能指标，现举例子来说明图解法的图解过程， 例：已知下图电路中的参数及输入电压Ui=15sinωt（毫伏）要求用图解法确定电路的静态工作点参数Ibq、Icq、Iceq,并计算电压和电流的放大倍数Ku、Kio。 |
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图解法步骤 |
| 四、等效电路法与h参数 |
| 1、简化的h参数等效电路 “微变”是指晶体管的Ib、Ube、Ic、Uce在静态工作点Q 附近只作微量的变化。其中Ib、Ube为晶体管的输入变量，面Ic、Uce为输出变量。若把晶体管看作含受控源的二端口网络，就可以用四个h参数模拟晶体管的物理结构，从而得出晶体管的h参数等效电路如图7-1-4所示h的定义如下： hie=△Ube/△Ib -------△Uce=0,--hfe=△Ic/△Ib -----△Uce=0 hre=△Ube/△Uce ------△Ib=0, --hoe=△Ic/△Uce ----△Ib=O 几个参数有各自的物理意义：hie是输出端短路时的输入电阻，也就是输入特性曲线斜率的倒数；hfe是输出端短路的电流放大系数，即β（共发射极）或a（共基极）；hre是输入端开路的内反馈系数，它表示输出电压对输入电压影响的程度；hoe是输入端开路时的输出电导，即为输出特性曲线的斜率 由于晶体管工作在低频时，hre和hoe两个参数小到可以忽略不计，通常用hie和hre两个参数模拟低频晶体管电路即可，这叫做简化后的h参数等效电路，如图7-1-3所示，图中的rbe、β即上述的hie、hfe.电流放大系数β（或hfe）可以从输出特性曲线中求出或通过仪器测试出来，输入电阻rbe由下式计算： rbe=rb+(β+1)26（毫伏）/Ie（毫安） 式中：Rb为基区电阻，约为几百欧姆，Ie为静态发射极电流 求晶体管放大器的微变等效电路的方法如下：（1）晶体管以图7-1-3示出的等效模拟型代替；（2）所有直流电源、隔直电容，旁路电容都看作短路；（3）其它元件按原来相对位置画出， 利用等效电路可以求取放大器的放大倍数、输入电阻、输出电阻以及分析放大器的频率特性。 |
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