资讯
功率MOSFET的UIS(UIL)特性知多少？(2024-03-19)
漂移 (epi) 区形成一个npn晶体管。此npn晶体管的基极到发射极结由p掺杂区域和n掺杂源极区域形成，被前端金属短接。因此，源极金属触点是MOSFET UIS能力的关键设计和工艺参数。如果npn被激......
罗姆（ROHM）第4代：技术回顾(2023-01-31)
化硅沟槽侧壁上制备的栅极具有更高的沟道迁移率，这意味着与平面器件相比，电子穿过沟槽栅极的阻碍较少。这能降低沟道电阻。其次，沟槽式金氧半场效晶体管可能消除平面金氧半场效晶体管的JFET电阻，在该区域中，来自......
罗姆（ROHM）第4代：技术回顾(2023-01-31)
基础知识
传统的“平面”金氧半场效晶体管的栅极和沟道区设置在半导体表面。平面金氧半场效晶体管易于制造且非常可靠。但在减小芯片尺寸以提高产量的过程中，其横向拓扑结构限制了最终缩小范围。
图1：碳化硅金氧半场效晶体管......
罗姆（ROHM）第4代：技术回顾(2023-02-01)
解其所做的改进。
沟槽式金氧半场效晶体管基础知识
传统的“平面”金氧半场效晶体管的栅极和沟道区设置在半导体表面。平面金氧半场效晶体管易于制造且非常可靠。但在减小芯片尺寸以提高产量的过程中，其横......
双向双极结技术的力量(2023-04-07)
IGBT 的结构类似，以轻掺杂衬底作为漂移区，两侧重掺杂区作为发射极，具有基于发射极（E1 和 E2）和少数载流子注入器（B1）的三种模式和 B2)。
图 1：B-Tran 的不同模式（：Ideal......
彻底弄清MOS管 （NMOS为例(2024-01-30)
电流是空穴移动产生的也行，是电子移动产生的也行。
6. 二极管正向（从P到N接正电压）导通，反向（从N到P接正电压）不导通。
好，可以开始了。
拿到这副mos管的结构图，首先看到s极和d极连着的是N参杂区域......
新能源汽车解析丨什么是IGBT？结构与拆解(2023-10-08)
可以替代并联运行的多个 MOSFET或当今可用的任何超大型单功率 MOSFET。
9. IGBT 的三个端子是什么，它们的作用是什么？IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种三端子电子元件，这些端子称为发射极（E）、集电极（C）和栅......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
晶体管的空穴迁移率低，因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下，PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。
此外，P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般偏高，要求......
一文看懂MOS器件的发展与面临的挑战(2017-07-10)
25nm栅长的晶体管，FD-SOI的硅膜厚度应被控制在5nm左右。FD-SOI晶体管的沟道厚度很小，栅的垂直电场可以有效的控制器件的沟道，从而降低了器件关闭时的漏电流，抑制短沟道效应。如图1.16（b）所示......
中国研发再突破，北大团队制备迄今速度最快能耗最低二维晶体管(2023-04-06)
研究实现了三方面技术革新：
首先，采用高载流子热速度（更小有效质量）的三层硒化铟作沟道，实现了目前场效应晶体管的最高值；
第二，解决了二维材料表面生长超薄氧化层的难题，制备出2.6纳米......
中国科大首次研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管(2023-02-28)
中国科大首次研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管;近日，中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授课题组联合中科院苏州纳米所加工平台在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展，分别采用氧气氛围退火和N离子......
三极管知识讲解，补课(2024-11-09 18:33:37)
栅极，基区就相当于栅网，只不过晶体管的这个栅网是动态的是不可见的。放大状态下，贯穿整个管子的电子流在通过基区时，基区与电子管的栅网作用相类似，会对电子流进行截流。如果基区做得薄，掺杂度低，基区......
关于半导体工艺节点演变，看这一篇就够了(2017-02-20)
于这个数字的。比方说，英特尔的14nm的晶体管，沟道长度其实是20nm左右。
根据现在的了解，晶体管的缩小过程中涉及到三个问题，分别是：
第一，为什么要把晶体管的尺寸缩小？以及......
【泰克应用分享】 FET 生物传感器的直流I-V 特性研究(2023-11-17)
传感器基于MOSFET或金属氧化物半导体FET，这是一个带有绝缘栅极的三端或四端FET。
图3显示了一个n沟道MOSFET或nMOS晶体管，具有四个端子：栅极、漏极、源极和体极（块体）。源极和漏极触点是大量掺杂......
市场有哪些产品用了三星14nm FinFET 制程(2016-10-26)
与PMOS功函数金属层，用于设定晶体管的阈值电压，这些金属分别拥有不同的组成。
闸极填充部份也有一点不同。从图中可看到NMOS晶体管的内层部份衬着氧化钛(TiN)，再以钨(W)填充，但......
模拟集成电路设计中的MOSFET非理想性(2024-01-18)
。
信道长度调制系数λ的计算公式为：
方程式7
由此，我们可以计算饱和时的输出电阻（ROUT）为：
方程式8
亚阈值导电
以前，我们定义了三个晶体管工作区域：截止、线性、饱和。实际上，还有......
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系(2024-11-09 00:48:11)
区的电子为PNP晶体管的n区持续提供电子，这就保证了PNP晶体管的基极电流。我们给它外加正向偏压VCE，使PNP正向导通，IGBT器件正常工作。
这就......
讲透三极管(2024-06-13)
够高，在制作三极管时往往要把基区做得很薄，而且其掺杂度也要控制得很低。
与电子管不同的是，晶体管的截流主要是靠分布在基区的带正电的“空穴”对贯穿的电子流中带负电的“电子”中和来实现。所以，截流......
高压SiC MOSFET研究现状与展望(2023-02-06)
在极端工作条件下的可靠性对于保证系统的稳定运行起着至关重要的作用，主要的问题有雪崩失效、短路失效和浪涌失效等。高压 SiC MOSFET 在非钳位感性负载下的雪崩失效机理目前有 3 种解释，分别是由源区寄生双极结型晶体管（BJT）开启导致结温急剧上升产生坏点、温度......
芯片工程师，是时候了解GAA晶体管了(2023-04-14)
。“FinFET 将平面晶体管翻转过来（见图 1），这样鳍片（Fin）高度就变成了等效平面晶体管的宽度，”Atomera 的首席技术官 Robert Mears 说。“由于加工限制固定了鳍片高度，晶体管......
IBM展示了首个针对液氮冷却进行优化的先进CMOS晶体管(2023-12-22 15:59)
由n型和p型晶体管对组成，分别掺杂有电子供体和电子受体。研究人员通过在每个晶体管上添加不同的金属杂质，使其在n型和p型晶体管的界面处形成偶极子。这种添加降低了在带边缘移动电子所需的能量，使晶体管更加高效。......
IBM展示了首个针对液氮冷却进行优化的先进CMOS晶体管(2023-12-22)
对组成，分别掺杂有电子供体和电子受体。研究人员通过在每个晶体管上添加不同的金属杂质，使其在n型和p型晶体管的界面处形成偶极子。这种添加降低了在带边缘移动电子所需的能量，使晶体管更加高效。......
可控硅控制器工作原理(2024-01-22)
用于各种频率和波形的脉宽调制电路以及作为其它电力电子变换器的功率元件等.
常见的几种类型
(1)普通型双极型晶体管
双极型晶体管的两个电极各有一个沟道和两个基极组成一个p沟道结构和一个n沟道结构的双极型晶体管称为普通双极性晶体......
中科大在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展(2022-05-27)
领域首次报道的高温击穿特性。
▲图1.结终端扩展NiO/β-Ga2O3异质结二极管（a）截面示意图和器件关键制造细节，（b）与已报道的氧化镓肖特基二极管及异质结二极管的性能比较
02增强型氧化镓场效应晶体管......
基础知识之晶体管(2024-03-21)
功用。晶体管有三个引脚，分别是发射极、基极和集电极。基极相当于水龙头开关，发射极相当于水龙头出水口，集电极相当于水箱。用很小的力（向基极输入信号）控制水龙头开关，就会......
妙趣横生的电子小知识 第1篇：初识晶体管(2023-03-06)
的电路符号表示。引脚共有三个，分别是B（基极）、E（发射极）和C（集电极）。
* “NPN型”是晶体管的类型，还有“PNP型”晶体管，不过在这里我们不必严格划分，只要了解“NPN型更常用”即可。
这次......
妙趣横生的电子小知识 第1篇：初识晶体管(2023-03-03)
，分别是B（基极）、E（发射极）和C（集电极）。
* “NPN型”是晶体管的类型，还有“PNP型”晶体管，不过在这里我们不必严格划分，只要了解“NPN型更常用”即可。
这次我们用图2.1右侧的水流模型来比拟左侧的晶体管......
支持Qi和 AirFuel的双标准无线充电天线和有源整流系统(2024-05-16)
3(b) 分别是高边功率开关和低边功率开关的有源整流方案内部电路示意图。在示例中，我们讨论了功率晶体管M1和M3以及开关节点S1的工作方式，这个方式同样适用于M2、M4和S2。比较器用于检测开关 M1......
无需半导体材料的电子器件问世(2024-10-23)
过大电流时，材料会表现出显著的电阻增加；而一旦停止供电，其电阻又迅速恢复到初始状态。这种特性使该材料可被用作开关元件，类似于半导体中的晶体管。团队尝试了多种不同掺杂物（包括碳、碳纳米管以及石墨烯）的聚......
SiC 半导体功率器件对能源效率的重要性(2023-02-16)
值要高得多。
高电击穿场提供更高的击穿电压。该电压是击穿体二极管断开时的值，并且不断增加的电流在源极和漏极之间流动。PN结二极管的击穿电压与击穿电场成正比，与材料浓度成反比。
高电场为低得多的漂移区域提供了出色的掺杂......
电感负载A类功率放大器简介(2024-01-04)
了效率如何随信号振幅变化——正如我们所见，只有当信号摆幅达到最大时，效率才为50%。
图5还显示了与该电路相关的三个功率项如何随集电极交流电流的幅度而变化。这三个项是：
Pcc：提供电源。
PL：负载功率。
PTran：晶体管......
基于ST STM32G474之500W全桥相移零电压切换直流-直流转换器数位电源(2022-12-21)
切换式电源供应器具有体积小、重量轻、效率高的优点；一般切换式电源供应器采用传统硬式切换，功率晶体管操作频率增加时，功率晶体管的切换损失也随着增加，功率晶体管使用的散热片不仅体积变大并且使效率降低。 一般......
双运放电流源的基本操作(2024-01-03)
的验收标准之一是设备在其目标应用的操作条件下的可靠性。与现有硅器件世界的主要区别在于，SiC 元件在更高的内部电场下工作。相关机制需要仔细分析。它们的共同点是，器件的总电阻由漏极和源极接触电阻的串联定义，包括靠近接触的高掺杂区域、沟道......
登上《Nature》，南大团队在二维半导体领域取得新突破！(2023-01-13)
的国际器件与系统路线图（IRDS）预测，在2nm技术节点以下，以MoS2为代表的二维半导体将取代硅成为延续摩尔定律的新沟道材料。
金属-半导体欧姆接触是实现高性能晶体管的关键，特别是在先进工艺节点下。传统硅基器件利用离子注入对接触区域进行高浓度掺杂......
国产5nm碳纳米管研究新突破，摩尔定律有救了(2017-01-21)
勇课题组在碳纳米管电子学领域进行了十多年的研究，发展了一整高性能碳纳米管CMOS晶体管的无掺杂制备方法，通过控制电极功函数来控制晶体管的极性。
彭练矛教授（左）和张志勇教授（右）
5nm技术......
意法半导体为MCU开启FD-SOI时代(2024-03-29)
其厚度超薄，无需掺杂沟道，即可使晶体管完全耗尽。这两项创新的结合被称为“超薄体和掩埋式氧化物全耗尽型SOI”或UTBB-FD-SOI。
图FD-SOI结构示意图（来源意法半导体官网）
和体硅技术相比，FD......
推挽式B类功率放大器的基本原理(2024-01-22)
，c定义为
(mn)R2L(��)��2
这是当另一个晶体管关闭时从每个晶体管的集电极看到的等效负载电阻。
从图5中可以看出，随着集电极交流电流（ic）从零增加到最大值，会发生以下情况：
传递......
垂直GaN JFET的动态性能(2024-01-02)
垂直GaN JFET的动态性能;美国弗吉尼亚理工学院、州立大学和NexGen电力系统公司首次对垂直（GaN）功率晶体管的动态电阻（ RON）和阈值电压（VTH）稳定性进行了实验表征。研究......
cpu的nm级越来越小，为什么不通过增大面积来提高性能？(2017-06-20)
更先进的工艺除了成本和良率的好处之外还有哪些方面的优势呢？一个MOS管的基本结构如下：
每一代新工艺节点，晶体管的沟道长度L变小。沟道长度变小后，晶体管有更快的反应速度，更低的控制电压。
1）更快的频率 随着......
英特尔、三星和台积电演示3D堆叠晶体管，三大巨头现已能够制造互补场效应晶体管（C(2023-12-18)
。名称反映了晶体管的基本结构。在FinFET中，栅通过垂直硅鳍控制电流的流动。在纳米片器件中，该鳍被切割成一组带状物，每个带状物都被栅包围。 实质......
三菱电机入局最强半导体，氧化镓将在10年后打败第三代半导体(2023-08-07)
镓目前有三种形态，分别是β、ε、α。其中β-氧化镓具备良好的热稳定性，因此可以使用大量的商业技术来制造，包括用于制造硅片的提拉法。也可以使用“边缘定义、薄膜馈电晶体生长”技术来生产β-氧化镓晶圆。甚至可以使用可高度扩展的垂直坩埚下降技术生长晶体......
芯片三巨头发力CFET晶体管，进军埃米时代(2024-06-03)
现代计算机芯片最基础的结构。
但随着晶体管的尺寸不断缩小，特别是沟道的尺寸也随之缩小，人们面临的问题也随之增加，比如漏电就是其中之一。人们的解决方案是改变晶体管的结构——从二维平面变为三维立体，FinFET架构......
中国科学家在半导体领域获突破(2024-06-11)
电路以实现三维集成技术的突破，已成为国际半导体领域积极探寻的新方向。
由于硅基晶体管的现代工艺采用单晶硅表面离子注入的方式，难以实现在一层离子注入的单晶硅上方再次生长或转移单晶硅。虽然......
三星推出新款1.08亿像素的图像传感器；恩智浦推出3频段Wi-Fi6E产品 | 每周芯品(2023-01-10)
。
两个650V常关型GaN晶体管的导通电阻分别是150mΩ和225mΩ，每个晶体管都集成一个优化的栅极驱动器，使GaN晶体管像普通硅器件一样便捷易用。由于......
具有金属源极和漏极触点的肖特基势垒 (SB) MOSFET 的介绍(2022-12-09)
和漏极构成硅化物，而不是传统的杂质掺杂硅。SB MOSFET 的一个显着特征是一个特殊的二极管，如在 I d -V
ds特性的三极管操作期间指数电流增加。当在逻辑电路中应用此类器件时，小偏......
可重构晶体管登场，可用于构建有编程功能的芯片电路(2024-03-29)
于构建具有可随时编程功能的电路。本文引用地址：一颗 CPU 固然拥有数十亿个晶体管，但通常情况下是为执行一种特定功能而制造的。
传统的晶体管开发和生产过程中有一道“化学掺杂”的步骤，就是为纯的本质半导体引入杂质，从而......
22nm大战一触即发，新的甜蜜节点？(2017-04-28)
）
相反，finFET是类3D结构。在finFET中，电流的控制通过鳍上的三个侧面上各实现一个栅极来完成。
随着节点接近20nm，平面技术存在着一些问题。随着芯片制造商在每个节点上对晶体管......
Intel Tick-Tock(2023-03-28)
上更新微处理器架构，提升性能。一般Tick-Tock周期为两年，Tick和Tock各占一年。
制程工艺决定了芯片内部可以使用的晶体管的数目，晶体管数目越多，则芯片能完成的任务也就越多。
处理器微架构决定了怎么合理的利用这些晶体管......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
、MOS管的构造
在一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作为漏极D和源极S。
然后在漏极和源极之间的P型半......
用于模拟IC设计的小信号MOSFET模型(2024-01-26)
迁移率
Cox是栅极氧化物电容
W是晶体管的宽度
L是晶体管的长度。
这两个方程式为我们带来了几个有趣的地方：
在线性区域，晶体管的电流增益取决于输出电压。它根本不取决于输入信号。这在......
相关企业
;欧阳志航;;欧信电子商行位于中国汕头市潮南区司马浦镇华里西村华祥路顺德楼，欧信电子商行是一家主营各厂家场效应管、肖特基、功率管、可控硅等晶体管的经销批发的个体经营。欧信
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的服务管理，向世界知名品牌公司看齐，确保所生产的晶体管达到专业化,高端华,精品化。成世界上晶体管的主要生产商之一。 SPTECH晶体管主要应用于加湿器、变频器、打印机、电源、汽车电子、点火器、发电机、无线
产品涉及各个领域，与俄罗斯、台湾的大型相关企业有着良好的交流与合作。公司涉及生产高频低噪声中小功率晶体管、场效应管中小功率晶体管、中小功率晶体管场效应管中小功率晶体管、带阻晶体管、开关二极管、变容二极管、肖特
等行业中 LRC晶体管：SOT-23，插件小功率晶体管，TVS管！
;上海龚秦仕实业有限公司;;公司旗下有三个子公司分别是：上海川中四氟塑料厂；上海骏能模具有限公司；上海洛勒建筑材料有限公司，分别生产生料带、日用塑料制品；模具设计制作；吸音材料、实木地板、塑胶
;深圳市福田区腾盛电子;;腾盛电子有限公司创建于二零零零年，专业代理销售三端稳压IC、场效应管、可控硅集成电路、二、三极晶体管等电子元器件。 公司以“信誉为本、质量第一、服务真诚”的经营理念。“质优
;安丘市科威电子有限公司;;我公司已有13年半导体器件生产历史,设备先进,测试仪器齐全,例行实验设施完善。主要产品有:１．ＮＰＮ硅低频大功率晶体管 3DD1-3DD12,3DD21
、TO-252、TO-126、TO-220、 TO-3等封装形式的三极管、可控硅、场效应管,高反压晶体管等.产品执行国际IEC标准,工厂生产严格按ISO9001质量体系运行,产品性能优越,质量稳定可靠,广泛
;东莞灿域电子有限公司;;我司是一家生产代理.二三极管 .产品系列有各种封装的 晶体管 场效应管 可控蛙 三端稳压IC等品种达800遇种. 产品用于;显示器 电源 音响 电话机 电脑 玩具 节能