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内外芯片制造企业提供一站式解决方案。 作为集成电路制造前道工序中的关键设备,离子注入机的研发难度仅次于光刻机。由于离子注入机对洁净度要求很高。在芯片制造过程中,通常有70多道离子注入工序,因此,这种装备的注入......
采用了氧气氛围退火和氮(N)离子注入工艺制备了器件的电流阻挡层,并配合栅槽刻蚀工艺研制出了不需P型掺杂技术的氧化镓垂直沟槽场效应晶体管结构。 图1(a)氧化镓垂直槽栅场效应晶体管结构示意图;(b......
对接触区域进行高浓度掺杂,通过接触与沟道界面的化学键实现欧姆接触,其接触电阻约为100Ω·μm。由于原子级厚度,二维半导体与高能离子注入工艺不兼容,需要发展全新的欧姆接触技术。与硅......
的形式,被加速至预定能量,并注入至特定半导体材料中。 随着芯片特征尺寸的不断减小和集成度增加,各种器件在不断缩小,晶体管性能受掺杂剖面的影响越来越大,离子注入......
建设全球一流的高端半导体制造装备,广泛赋能集成电路、第三代半导体等诸多高精尖领域。 展会现场精彩瞬间思锐智能离子注入机(IMP)模型 根据SEMI的数据,受芯片需求疲软等影响,2023年全球半导体设备销售额为1056亿美元,同比......
建设全球一流的高端半导体制造装备,广泛赋能集成电路、第三代半导体等诸多高精尖领域。 展会现场精彩瞬间 思锐智能离子注入机(IMP)模型 根据SEMI的数据,受芯片需求疲软等影响,2023年全球半导体设备销售额为1056亿美......
建设全球一流的高端半导体制造装备,广泛赋能集成电路、第三代半导体等诸多高精尖领域。本文引用地址: 展会现场精彩瞬间 思锐智能离子注入机(IMP)模型 根据SEMI的数据,受芯片需求疲软等影响,2023年全球半导体设备销售额为1056......
建设全球一流的高端制造装备,广泛赋能、第三代半导体等诸多高精尖领域。 展会现场精彩瞬间 思锐智能离子注入机(IMP)模型 根据SEMI的数据,受芯片需求疲软等影响......
建设全球一流的高端半导体制造装备,广泛赋能集成电路、第三代半导体等诸多高精尖领域。 展会现场精彩瞬间 思锐智能离子注入机(IMP)模型 根据SEMI的数据,受芯片需求疲软等影响,2023年全球半导体设备销售额为1056亿美元,同比......
片制造过程中,需要掺入不同种类的元素按预定方式改变材料的电性能,这些元素以带电离子的形式被加速至预定能量并注入至特定半导体材料中,离子注入机就是执行这一掺杂工艺的芯片制造设备。 烁科......
。最常用的材质是硼或磷,少量加入可以分别产生p型或n型的半导体。这些材质是通过一种称为离子注入的工艺,利用离子加速,将被加速的离子注入到晶片的表面。 第四步:晶片沉积处理 在这......
– HCI)和栅氧化层漏电等问题。为了克服这些挑战,半导体业界不断开发出一系列的先进工艺技术,例如多晶硅栅、源漏离子注入自对准、LDD离子注入、polycide、Salicide、SRD、应变硅和HKMG......
两家新客户新订单与一家重要客户重复订单。目前凯世通的低能大束流离子注入机客户已超过10家以上,超低温离子注入机客户已突破6家。 凯世通表示,此次签署订单的2家新客户均为国内工艺先进的12英寸芯片生产企业,客户在离子注入......
中国电科旗下电科装备已实现国产离子注入机28纳米工艺制程全覆盖;  7月3日,指出,中国电科连续突破光路、控制、软件等关键模块的核心技术,实现国产离子注入机28纳米工艺制程全覆盖重大科技成果,有力......
%。   据了解,烁科中科信成立于2019年6月,由中电48所和北京中科信离子注入机业务战略整合而成,是国内集成电路高端工艺装备的领先企业,主营业务包括半导体器件专用设备的制造。公司......
RTP快速退火炉提高SiC晶体生长质量;SiC器件制造过程主要包括“光刻、清洗、掺杂、蚀刻、成膜、减薄”等工艺,其中,离子注入工艺是SiC掺杂的重要步骤,以满足SiC器件耐高压、大电......
芯片质子辐照)研发中心,完成了首批氢离子注入性能优化芯片产品客户交付。 这标志着,我国已全面掌握功率半导体高能氢离子注入核心技术和工艺,补全了我国半导体产业链中缺失的重要一环,为半导体离子注入设备和工艺......
性能优化芯片产品客户交付。 这标志着,我国已全面掌握功率半导体高能氢离子注入核心技术和工艺,补全了我国半导体产业链中缺失的重要一环,为半导体离子注入设备和工艺的全面国产替代奠定了基础。 工程师进行晶圆离子注入......
中国领先的设备洗净服务商安徽富乐德公司 2020.08 凯世通的“大束流离子注入机装备及工艺研发”项目荣获北京市科技进步一等奖 2020.09 凯世通的“集成电路设备射频电源系统研发与验证”项目......
万业企业获6.58亿元离子注入机大单;2月7日,万业企业发布最新公告,公司控股孙公司北京凯世通半导体有限公司(以下简称“北京凯世通”)拟向重要客户出售多台12英寸集成电路设备(包含低能大束流离子注入......
中国电科实现国产离子注入机28纳米工艺制程全覆盖;据新华社新媒体6月29日消息,中国电子科技集团有限公司旗下中电科电子装备集团有限公司(以下简称“电科装备”)已实现国产离子注入机28纳米工艺......
京凯世通共获得4个集成电路离子注入机设备订单,涵盖低能大束流(重金属、超低温)、高能离子注入等工艺,同时上海凯世通超越7纳米离子注入平台已通过客户验证并取得验收。凭借离子注入......
流、高能、特种应用及第三代半导体等离子注入机,工艺段覆盖至28nm,为我国芯片制造产业链补上重要一环,为全球芯片制造企业提供离子注入机一站式解决方案。 图片来源:新华社 封面......
去除测量、清洗和干燥于一身,可量产具有极高质量表面的均匀晶圆 热注入提升 SiC 芯片性能和电源效率 在 SiC 芯片制造期间,离子注入在材料内加入掺杂剂,以帮助支持并引导大电流电路内的电流流动。由于......
备抗浪涌电压自抑制能力和过压保护能力,需要在实际应用中设计复杂缓冲电路、浪涌电压抑制电路和过压保护电路,更多的外部电路导致过压保护延迟加大,同时实际开关过程依然容易被击穿,引起器件可靠性问题;三是离子注入深度有限,导致很多针对性的沟槽栅极保护结构和抗浪涌设计从工艺......
设备,相关产品已发往客户端验证。其核心技术团队专注于离子注入行业30多年,具有丰富的离子注入行业经验,在长期研发过程中不断积累了产品设计及工艺性能的核心参数,并对设备核心模块离子......
%的集成电路制造投资额。另外按照集成电路整个生产线分为五大功能,增材(生产各种薄膜)、图形生成(把图形转移到硅片上)、减材(去除不必要的材料)、离子注入(材料改性)、量测(保证工艺......
电路以实现三维集成技术的突破,已成为国际半导体领域积极探寻的新方向。 由于硅基晶体管的现代工艺采用单晶硅表面离子注入的方式,难以实现在一层离子注入的单晶硅上方再次生长或转移单晶硅。虽然......
搬入的设备涵盖芯片制造各个环节,包括薄膜淀积、离子注入、光刻、刻蚀等,较原定设备搬入时间大幅提前。 长飞先进总裁陈重国表示,首批设备的进驻,标志着武汉基地项目正式进入产能建设新阶段,接下来还将面临工艺......
极区域内的极不均匀分布,这表明它与SiC中的晶体缺陷分离(图5)。这些缺陷可能是离子注入工艺的结果,每个这样的簇中的Al原子的数量包含大约1000个Al原子。正如人们所预料的,这种设备通道内的局部和随机不均匀组合不可取,因为......
注意的是,APT重构揭示了Al在栅极区域内的极不均匀分布,这表明它与SiC中的晶体缺陷分离(图5)。这些缺陷可能是离子注入工艺的结果,每个这样的簇中的Al原子的数量包含大约1000个Al原子。正如......
下单总数超过10台。 2024年以来,凯世通离子注入机持续服务多地客户产业化大生产,不到半年发货数量已超过10台。凯世通低能大束流离子注入机通过大批量产线验证,束流传输效率高、稳定性好,具备优异的工艺......
企业是一家具有新兴产业基因的高科技上市公司,于2018年收购离子注入机供应商——上海凯世通半导体股份有限公司起开始致力于全面转型为国内领先的集成电路装备制造企业。近年来,万业企业抢抓市场机遇,聚焦国际领先高端离子注入......
个表中还显示了每次实验测定的Si、C和Al含量。  表1:由APT确定的JFET门区成分 值得注意的是,APT重构揭示了Al在栅极区域内的极不均匀分布,这表明它与SiC中的晶体缺陷分离(图5)。这些缺陷可能是离子注入工艺......
公告,万业企业控股孙公司北京凯世通半导体有限公司(以下简称“北京凯世通”)于2022年1月30日和重要客户签订《采购订单》,北京凯世通向其出售多台12英寸集成电路设备(包含低能大束流离子注入机、低能大束流超低温离子注入......
:“专用于 SiC 的设备的主要挑战与晶圆处理有关,此外还有多个工艺要求。” “由于宽带隙材料固有的化学物理特性,我们在制造流程中使用了一些新的设备和工艺。与通常用于硅基功率器件的工艺相比,高温外延和离子注入工艺......
中国高能离子注入机核心技术难关得到突破!;据“中国电科”报道,国内高能离子注入机核心技术难关得到突破!由中国电科所属北京烁科中科信设备研发团队自主研制的国内首台高能离子注入......
设备,相关产品已发往客户端验证。核心技术团队专注于离子注入行业30多年,具有丰富的离子注入行业经验,在长期研发过程中不断积累了产品设计及工艺性能的核心参数,并对设备核心模块离子......
强化集成电路制造和装备环节优势,确立北京经开区在全国集成电路全产业链发展的领导地位。 据了解,发布会上中电科电子装备集团有限公司(以下简称“电科装备”)发布了在离子注入机、化学机械抛光设备(CMP)、湿法......
北京烁科中科信大束流离子注入机交付;2月15日,北京烁科中科信宣布本年度首台大束流离子注入机在国内某知名集成电路产线move in。 离子注入机是集成电路制造前工序中的关键设备。北京......
打破国外垄断,首台国产低能离子注入机顺利完成验证;在全球产能紧缺以及半导体国产化的浪潮下,国产半导体正面临前所未有的发展机遇,尤其是国产半导体设备中的离子注入机,近期好消息不断。 8月27日......
度加工。 公开资料显示,氮化硅、氮化铝陶瓷作为半导体行业中不可或缺的关键材料,广泛应用于晶圆的氧化、刻蚀、离子注入等多种工艺制程中。然而,由于其极高的制造门槛和复杂的结构特性,这些......
北京烁科中科信碳化硅离子注入机交付!一季度新签合同总额突破3.5亿元;据“北京烁科中科信”消息,北京烁科中科信电子装备有限公司(以下简称“北京烁科中科信”)碳化硅离子注入机顺利交付。 资料......
全球再添12英寸代工厂和存储厂;NAND Flash最新排名;“芯”闻摘要 NAND Flash市场新消息 中芯国际500亿建12英寸厂 美光150亿美元建存储厂 中国高能离子注入......
“巧妇也难为无米之炊”。面对目前的产业困境,业界对光刻机的呼声很高,认为有了光刻机,芯片制造就不成任何问题。事实真相是并非如此,光刻机只是半导体前道7大工艺环节(光刻、刻蚀、沉积、离子注入、清洗、氧化......
碳化硅单晶衬底,并拥有碳化硅原料合成炉、氧化铝原料提纯炉等化合物半导体制造设备。 04 凯世通签署晶圆厂新客户订单 8月13日,万业企业旗下凯世通半导体宣布,近日与一家晶圆厂新客户签署了12英寸低能大束流离子注入......
为国产化替代化目标加速努力中。而近期,国内部分半导体设备企业陆续传来佳音。 01 万业企业:凯世通离子注入机订单均为集成电路离子注入机 4月19日,万业企业在投资者互动平台表示,嘉芯......
万业企业版图再添一员猛将,3.98亿美元参股收购气体输送系统领头羊;若论传统企业向高科技集团转型,万业集团算当中翘楚,转型之路上走得有声有色。此前不久,万业集团旗下的凯世通自研的离子注入机,拿下......
大生产线需求,初步建成较完备的集成电路核心装备自主供给体系。 一是集成电路装备,瞄准光刻、刻蚀、湿法、沉积、离子注入、量测检测等工艺环节,推进先进光刻机、高端刻蚀机、晶圆清洗设备、离子注入......
顺利通过综合验收。 报道称,“第三代半导体核心装备国产化关键技术攻关”项目由中国电子科技集团公司第四十八研究所承担。项目突破了6英寸SiC(碳化硅)外延生长设备和高温高能离子注入机的工艺性能、产能、稳定......

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