资讯
碳化硅肖特基二极管在光伏逆变器的应用(2023-03-20)
，电子饱和漂移速率是硅的2倍，临界击穿场强更是硅的10倍。在硅基半导体器件性能已经进入瓶颈期时，碳化硅材料的优异特性让它成为了下一代功率半导体器件的理想原材料。
图1 4H型碳化硅与硅......
这种新材料终成半导体功率器件主流(2016-11-14)
比较碳化硅与硅的导通电组及阻断电压
SiC电晶体将成为吸引人的替代方案，取代工业功率电子领域现有的IGBT技术。
SiC独有的材料特性，可设计无少数载子的单极装置，取代......
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺(2024-06-17)
宽度：硅的禁带宽度为1.1eV，低于氮化镓和碳化硅几乎三倍。因此，氮化镓和碳化硅可以轻松支持更高电压的电路，而不能像硅一样支持较低电压的电路。
击穿电场：氮化镓和碳化硅的击穿电场是硅基的10倍以......
车载光伏需求叠加 碳化硅商业化进程加速(2023-10-27)
车载光伏需求叠加 碳化硅商业化进程加速;
【导读】从2018年特斯拉Model 3首次采用碳化硅逆变器取代硅基IGBT以来，碳化硅的车载应用就在加速。与此同时，碳化硅......
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发(2023-04-14)
半导体材料及其禁带宽度
Source：中国科普博览
氧化镓作为第四代材料代表，具备禁带宽度大（4.8 eV）、临界击穿场强高（8MV/cm）、导通特性好（几乎是碳化硅的10倍）、材料生长成本低等优势，业界......
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发(2023-04-17)
半导体材料及其禁带宽度
Source：中国科普博览
氧化镓作为第四代材料代表，具备禁带宽度大（4.8 eV）、临界击穿场强高（8MV/cm）、导通特性好（几乎是碳化硅的......
英飞凌：布局碳化硅是一场超级马拉松(2020-04-28)
自身实力要过硬，还要有外部竞争激励才能稳步前行！
Si、SiC、GaN的差异与比较
随着硅材料的瓶颈日益突出，以碳化硅和氮化镓为主的第三代半导体逐步受到行业青睐。对于三者的区别比较，陈清源认为，可以......
又一家碳化硅设备厂商完成融资(2024-09-11)
科技下属基金）领投，资金将用于加大碳化硅预烧结键合设备批量交付和先进封装HBM设备的商业化。
公开资料显示，硅酷科技成立于2018年12月，聚焦多场景的芯片互联技术，其中碳化硅的......
特斯拉一句话，断了「碳化硅」活路？(2023-03-03)
总产能。
另一方面，碳化硅成本仍很高。据了解，从全生命周期的角度来看，碳化硅的应用具有较高的性价比，单价成本虽然会上升，但系统成本将会大幅下降。不过，短期......
小米押注碳化硅(2024-11-25)
与硅基IGBT芯片和模块，这些芯片和模块将被应用于广汽埃安未来几年内生产的上百万辆新能源汽车上。
近年，在新能源汽车、5G通讯、工控以及大数据等应用的推动下，碳化硅成为业界焦点，吸引......
意法半导体在意大利打造世界首个一站式碳化硅产业园(2024-06-07)
将在意大利卡塔尼亚打造一座集8英寸碳化硅(SiC)功率器件和模块制造、封装、测试于一体的综合性大型制造基地。通过整合同一地点现有的碳化硅衬底制造厂，将打造一个碳化硅产业园，实现公司在同一个园区内全面垂直整合制造及量产碳化硅的......
意法半导体在意大利打造世界首个一站式碳化硅产业园(2024-06-07)
产业园，实现公司在同一个园区内全面垂直整合制造及量产碳化硅的愿景。新碳化硅产业园的落地是意法半导体的一个重要里程碑，将帮助客户借助碳化硅在汽车、工业和云基础设施等领域加速电气化，提高......
SiC功率半导体技术如何助力节碳减排？(2023-03-29)
节能减碳的着力点是——电力、交通工业、可再生能源，而高效电力设备和新能源汽车是发展的重点。与硅相比，碳化硅具备明显的高频、高压、高温优势，所以它非常适合于直流充电桩、新能源汽车、光伏......
碳化硅/氮化镓元件开始商用，电子产业迎来大革命(2017-07-07)
能节省磁性元件与散热片的使用量，即便碳化硅元件单价很高，从总成本的角度来看，还是有竞争力。
相较之下，氮化镓与传统硅元件之间虽也有价差，但不像碳化硅与硅元件之间那么明显，因此可以用应用市场区隔的方式来操作。萧进......
意法半导体在意大利打造世界首个一站式碳化硅产业园(2024-06-07)
(SiC)功率器件和模块制造、封装、测试于一体的综合性大型制造基地。通过整合同一地点现有的碳化硅衬底制造厂，意法半导体将打造一个碳化硅产业园，实现公司在同一个园区内全面垂直整合制造及量产碳化硅的......
意法半导体在意大利打造世界首个一站式碳化硅产业园(2024-06-06)
将在意大利卡塔尼亚打造一座集8英寸碳化硅(SiC)功率器件和模块制造、封装、测试于一体的综合性大型制造基地。通过整合同一地点现有的碳化硅衬底制造厂，意法半导体将打造一个碳化硅产业园，实现公司在同一个园区内全面垂直整合制造及量产碳化硅的......
意法半导体在意大利打造世界首个一站式碳化硅产业园(2024-06-07 14:49)
英寸碳化硅(SiC)功率器件和模块制造、封装、测试于一体的综合性大型制造基地。通过整合同一地点现有的碳化硅衬底制造厂，意法半导体将打造一个碳化硅产业园，实现公司在同一个园区内全面垂直整合制造及量产碳化硅的......
电动汽车碳化硅需求激增，玩家们花式保供(2023-08-18)
示，“与硅相比，碳化硅可以显著提高效率。” 采埃孚电气化动力总成工程主管Otmar Scharrer告诉《欧洲汽车新闻》，“在碳化硅的帮助下，我们可以将系统优化5%，这对......
安森美发布升级版功率模块，助力太阳能发电和储能的发展(2024-08-28)
安森美发布升级版功率模块，助力太阳能发电和储能的发展;硅与碳化硅混合解决方案在减少尺寸的同时，将输出功率提高了15%
中国上海 - 2024 年 8月 28 日 - 安森美推出采用 F5BP 封装的最新一代硅和碳化硅......
SiC 半导体功率器件对能源效率的重要性(2023-02-16)
将具有更大的反向恢复电流。半导体切换到高频的能力与其饱和漂移速度成正比：碳化硅和氮化镓的漂移速度是硅的两倍。结果，后者可以安全地以更高的频率运行。此外，更高的饱和漂移率相当于更快地去除电荷;这导......
碳化硅风向标，特斯拉说了不算(2023-03-08)
厂商天岳先进当日股价达到了10.13%的跌幅，功率器件厂商意法半导体股价低开高走，最终收跌2.43个百分点，而近两年全盘下注碳化硅的安森美所受影响略小，股价下跌1.89%。
而就在上个月，英飞......
碳化硅SIC将会发力电动汽车？(2024-03-07)
方法并不可行。CZ 生长在二氧化硅坩埚中将硅在约 1500°C 的温度下熔化，但碳化硅的熔点高于 2700°C。
SiC 晶体通常通过Lely 方法生长。SiC 粉末在氩气气氛中加热到 2500°C 以上，并升......
马斯克看衰的车规级SiC，到底前景如何？(2023-06-20)
马斯克看衰的车规级SiC，到底前景如何？;前言：碳化硅上车现在主要面临两大问题：一是昂贵，二是供应短缺。特斯拉减少使用碳化硅的比例，笔者认为更多还是从节省成本的角度考虑。碳化硅市场大有前景，但国......
SiC主驱逆变器让电动汽车延长5%里程的秘诀(2024-07-12)
优势
与硅相比，碳化硅在材料特性方面具有多种优势，因而成为主驱逆变器设计的更优选择。首先是它的物理硬度，达到了 9.5 莫氏硬度，而硅为 6.5 莫氏硬度，所以碳化硅......
英飞凌率先开发全球首项300 mm氮化镓功率半导体技术， 推动行业变革(2024-09-11)
的全规模化生产将有助于实现GaN与硅的成本在同一RDS(on) 级别能够接近，这意味着同级的硅和GaN产品的成本将能够持平。
300 mm GaN是英飞凌战略创新领导地位的又一里程碑，将助推英飞凌低碳化和数字化使命的达成。
......
英飞凌率先开发全球首项300 mm氮化镓功率半导体技术，推动行业变革(2024-09-12)
规模化生产将有助于实现GaN与硅的成本在同一RDS(on) 级别能够接近，这意味着同级的硅和GaN产品的成本将能够持平。
300 mm GaN是英飞凌战略创新领导地位的又一里程碑，将助推英飞凌低碳化和数字化使命的达成。
......
克服碳化硅制造挑战，助力未来电力电子应用(2024-10-24)
克服碳化硅制造挑战，助力未来电力电子应用;
几十年来，硅(Si)一直是半导体行业的主要材料——从微处理器到分立功率器件，无处不在。然而，随着汽车和可再生能源等领域对现代电力需求应用的发展，硅的......
英唐智控宣布筹建6英寸碳化硅产线，全产业链布局再进一步(2021-07-12)
英唐智控宣布筹建6英寸碳化硅产线，全产业链布局再进一步;7月9日，英唐智控发布公告宣布，筹建6英寸碳化硅（SiC）产线，加速第三代半导体产能规划。这是......
安森美发布升级版功率模块，助力太阳能发电和储能的发展(2024-08-28 11:29)
安森美发布升级版功率模块，助力太阳能发电和储能的发展;
硅与碳化硅混合解决方案在减少尺寸的同时，将输出功率提高了15%安森美（纳斯达克股票代号：ON ）推出采用 F5BP 封装的最新一代硅和碳化硅......
理想照进现实，拥抱第三代半导体新纪元(2020-11-07)
面积也从过去的2英寸逐步增加到现在主流的6英寸，一些国际领先厂商甚至已经开始规划8英寸碳化硅的产能，从而保证了供应链的稳定。从设计角度来看，碳化硅二极管目前具备的GBS、NBS技术，大幅......
碳化硅芯片——被公认的潜力股(2023-08-15)
通的硅（Si）芯片相比，碳化硅芯片在电动汽车逆变器中的应用具有许多优势。与硅芯片相比，碳化硅芯片在高电压下更稳定，充电速度更快，占用空间更小，效率更高，可帮助汽车制造商节省空间，延长充电时间，并将......
SiC主驱逆变器让电动汽车延长5%里程的秘诀(2023-10-19)
重量降低有助于在使用相同电池的情况下延长车辆的行驶里程，同时减小传动系统的体积，增加乘员和后备箱的可用空间。
图 1：电动汽车主驱逆变器设计的最新趋势
02 SiC 相对于硅的优势
与硅相比，碳化硅在材料特性方面具有多种优势，因而......
新能源电驱系统关键技术及发展趋势(2023-05-05)
新能源电驱系统关键技术及发展趋势; 第三代半导体材料可以满足现代社会对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等新要求，且体积小、污染少、运行损耗，正逐步成为发展的重心。
当前主流的第3三代半导体材料为碳化硅与氮化硅......
英飞凌率先开发全球首项300 mm氮化镓功率半导体技术，推动行业变革(2024-09-12 11:40)
规模化生产将有助于实现GaN与硅的成本在同一RDS(on) 级别能够接近，这意味着同级的硅和GaN产品的成本将能够持平。300 mm GaN是英飞凌战略创新领导地位的又一里程碑，将助推英飞凌低碳化......
英飞凌率先开发全球首项300 mm氮化镓功率半导体技术，推动行业变革(2024-09-14)
造设施，英飞凌将最大化GaN生产的资本效率
300 mm GaN的成本将逐渐与硅的成本持平
德国慕尼黑和奥地利菲拉赫2024年9月12日 /美通社/ -- 英飞凌科技股份公司（FSE......
英飞凌率先开发全球首项300 mm氮化镓功率半导体技术，推动行业变革(2024-09-12)
凌将最大化GaN生产的资本效率
300 mm GaN的成本将逐渐与硅的成本持平
【2024年9月11日，德国慕尼黑和奥地利菲拉赫讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY......
正面挑战SiC，GaN缓步进军中功率市场(2016-10-26)
(SiC)创造大量需求。然而，当碳化硅乘着节能减碳的浪潮，一跃成为功率电子的当红炸子鸡之际，在中、低功率应用具备优势的氮化镓(GaN)也紧追在后。研究机构预期，碳化硅与氮化镓将自2020年起，在中......
简述碳化硅SIC器件在工业应用中的重要作用(2022-12-21)
代半导体材料氮化镓（GaN）和SiC功率器件表现出越来越优越的特性。从理论上讲，SiC器件的WBG是硅的三倍，因此可以实现约600°C的结温。
以下是对有前途的碳化硅功率器件的简要介绍。
二极管
碳化硅......
英飞凌推出HybridPACK Drive G2 Fusion，将硅和碳化硅结合到用于电动汽车的先进电源模块中(2024-10-21 09:41)
Drive G2 Fusion
功率模块中硅和碳化硅的主要区别之一是碳化硅具有更高的热导率、击穿电压和开关速度，因此效率更高，但成本也高于硅基功率模块。采用新模块后，每辆车的碳化硅......
英飞凌推出HybridPACK Drive G2 Fusion，将硅和碳化硅结合到用于电动汽车的先进电源模块中(2024-10-16 09:24)
Drive G2 Fusion
功率模块中硅和碳化硅的主要区别之一是碳化硅具有更高的热导率、击穿电压和开关速度，因此效率更高，但成本也高于硅基功率模块。采用新模块后，每辆车的碳化硅......
电机碳化硅技术指标是什么 碳化硅国家技术标准介绍(2023-02-02)
。包括β-SiC结 合碳化硅和重结晶碳化硅。
4.渗硅反应烧结碳化硅。由碳化硅和游离硅组成的一种碳化硅质I程陶瓷材料。
碳化硅国家标准
1.碳化硅的理化性能我国国家标准GB2480-1996......
GaN和SiC在电动汽车中的应用(2024-01-24)
GaN和SiC在电动汽车中的应用;汽车设计的几乎每个组件，包括底盘、动力总成、信息娱乐、连接和驾驶辅助系统 (ADAS)，都在汽车领域经历快速发展和创新。
设计人员正在寻求先进技术，从基于硅的解决方案转向使用碳化硅......
SiC MOSFET真的有必要使用沟槽栅吗？(2022-12-28)
SiC MOSFET真的有必要使用沟槽栅吗？;众所周知，“挖坑”是的祖传手艺。在硅基产品时代，的沟槽型IGBT（例如TRENCHSTOP系列）和沟槽型的就独步天下。在碳化硅的时代，市面......
资本蜂拥的碳化硅衬底市场，各大项目进展如何？(2022-05-31)
非公开发行A股股票预案》。2022年5月16日，该预案获审核通过，露笑科技拟募资25.67亿，用于第三代功率半导体(碳化硅)产业园项目、大尺寸碳化硅衬底片研发中心项目和补充流动资金。
对于前后两次募投项目的区别......
理想率先迈入补能“5G时代”，碳化硅的春天来了？(2023-06-24)
理想率先迈入补能“5G时代”，碳化硅的春天来了？;800V，5C，9分30秒，400公里。
这一连串的数据，是理想最新交出的成绩单。用官方话说，基于800V高压纯电平台和5C电池，纯电......
三菱电机入局最强半导体，氧化镓将在10年后打败第三代半导体(2023-08-07)
则至少需要 300kW.h电能，且碳化硅硬度大导致晶锭在切磨抛过程中消耗的电能更大。
（3）器件工作层面，氧化镓器件的导通特性是碳化硅的十倍，且开关损耗是碳化硅的......
宽禁带半导体的“左右互搏”(2023-03-27)
析机构认为，特斯拉很可能采用混合解决方案——沟槽碳化硅MOS与硅基IGBT配对。该机构分析指出，如果如此，这意味着，2025年用于电动车主驱的碳化硅MOSFET市场空间，可能比市场预期低20%-30......
半导体行业如何助力“绿色低碳”目标？(2023-03-21)
半导体的宽禁带器件可以将开关损耗减半，最大限度地减少能源浪费。损耗降低等于热量减少，散热器变小，甚至不用散热器。因此，碳化硅还降低了最终产品的尺寸和重量，从而使安装成本降低约 50%。
与硅......
半导体行业如何助力“绿色低碳”目标？(2023-03-22)
。然而，开发这些改变行业的元器件远非一帆风顺。
碳化硅的禁带是硅的两倍甚至三倍，因为电子需要三倍的能量才能到达禁带，这意味着SiC器件可以承受更高的电压和电场。因此，与硅......
半导体行业如何助力“绿色低碳”目标？(2023-03-21)
二极管。额定电压达到650V或1200V，具体取决于型号，这些器件将高压电力定位目标应用，可承受当今市场上最高的200ºC结温。然而，开发这些改变行业的元器件远非一帆风顺。
碳化硅的禁带是硅的......
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;江苏环能硅碳陶瓷有限公司;;泰州市环能硅碳棒制造有限公司是一家专业生产碳化硅制品企业，公司致力于研发高性能硅碳棒及碳化硅陶瓷，并与高等科研所合作开发新型高温电热元件，是一
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液分离加工和其它电子材料分离技术的电子科技材料生产企业，我厂的核心产品碳化硅是太阳能行业专业用于切割单晶硅、多晶硅的专用刃料，现在年回收碳化硅5000吨左右，切割液5000吨左右，碳化硅含量98-99.5
和销售于一体的综合性企业。公司专业生产刚玉、碳化硅，刚玉莫来石耐火材料，产品广泛应用于磁性材料厂、陶瓷厂和玻璃窑炉等行业。现主要产品有：规格为25KG-1T的刚玉-碳化硅坩埚、浇口；粉体煅烧匣钵；氧化
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