资讯
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
与衬底之间不加电压时，栅极下面已有沟道存在。
MOS管的图形符号如下，一般用增强型MOS管用于门电路分析。
MOS管图形符号
增强型MOS管有P沟道和N沟道两种，其结构原理基本类似，主要区别......
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系(2024-11-09 00:48:11)
硅面的正面制作元胞并用钝化层保护好，在硅片减薄之后，首先在硅片的背面注入磷，形成N+截止层，最后注入硼，形成P+collector。
三极管，MOSFET，IGBT的区别?为什么说IGBT是由......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
电压和其他参数可以看具体器件的SPEC。
对PMOS来说，Vs-Vg>Vgs(th)，即S极和G极的压差大于一定值，MOS管会导通，同样的，具体参数看器件的SPEC。
▉ 与三极管的区别
三极管是电流控制，MOS管是......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
须清楚这个参数是否符合需求。
解释2：n型
上图表示的是p型mos管，读者可以依据此图理解n型的，都是反过来即可，因此，不难理解，n型的如图在栅极加正压会导致导通，而p型的相反。
解释3：增强型
相对于耗尽型，增强......
什么是H桥？介绍H桥电机驱动电路(2023-10-30)
候电流并不会衰减地很快，电流循环在Q2、M、Q4之间流动，通过MOS-FET的内阻将电能消耗掉。补充-另外一种H桥电路 上文中是包含4个N型MOS管的H桥，另外还有包含2个N型、2个P型MOS管的H桥......
介绍H桥电机驱动电路(2024-11-05 11:58:11)
MOS管的H桥，另外还有包含2个N型、2个P型MOS管的H桥，
下图就是这种H桥电路。它由2个P型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3、Q4组成，桥臂上的4个场......
最高涨幅6.67%！硅片价格全线上涨(2023-08-25 14:43)
体硅片供应量维持原有预期58-60GW。值得关注的是，近期由于N型电池产能集中释放，拉晶企业提升N型硅片出货比例。简单来说，P型和N型工艺上的区别体现在拉晶环节掺杂元素不同，因此在短期产能切换过程中，容易造成P......
栅极型推挽电路为什么不用上P下N(2024-12-21 16:16:49)
看看
上N下P
型，从该原理图可以知道，其输出信号与输入信号的相位是相同的，即输入是高。输出就是高。但是根据N管的工作特点——
N管的输出电压幅值=Vb......
STM32端口复用和端口重映射？什么是端口复用重映射？(2024-06-04)
置为复用功能，但是没有开启它支持任何外设的时钟，它的输出是不确定的。
复用推挽输出和通用推挽输出在输出时都用到了N-MOS和P-MOS，其输出电路是相同的，区别在于控制输出的信号来源：普通推挽输出控制MOS管的......
开漏输出和推挽输出(2024-02-23)
开漏输出和推挽输出;概述
在STM32或者GD32中，普通的输出GPIO输出方式主要是开漏输出和推挽输出，下面我们开始讲解这2种模式的区别。
下图是GPIO内部的结构示意图。
在上图中，P......
电气电工丰富自己知识储备，老师傅也不教的东西？(2024-11-25 19:10:01)
NPN 型三极管
：由两块 N 型半导体中间夹着一块 P 型半导体所组成，也称为 NPN
型晶体管。在电路中，当给基极（B）输入......
STM32的GPIO介绍(2024-02-03)
尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽......
STM32中GPIO工作原理详解(2024-10-26 11:28:55)
烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。这里......
MOS管的三个极怎么判定？(2024-03-08)
沟道，由S极指向D极；P沟道，由D极指向S极。
4. 简单的判断方法
上面方法不太好记，一个简单的识别方法是：（想像DS边的三节断续线是连通的）
不论N沟道还是P沟道MOS管，中间衬底箭头方向和寄生二极管的......
STM32的GPIO电路原理详解(2023-06-15)
管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。这里的电路会在下面很详细地分析到。
TTL肖特基触发器：信号经过触发器后，模拟......
STM32的GPIO电路原理(2023-01-09)
脚电压低于VSS时，下方的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N......
详解STM32单片机GPIO的工作原理(2024-04-15)
-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。
TTL肖特基触发器：信号经过触发器后，模拟信号转化为0和1的数字信号。但是，当GPIO......
彻底弄清MOS管 （NMOS为例(2024-01-30)
电流是空穴移动产生的也行，是电子移动产生的也行。
6. 二极管正向（从P到N接正电压）导通，反向（从N到P接正电压）不导通。
好，可以开始了。
拿到这副mos管的结构图，首先看到s极和d极连着的是N参杂......
STM32的八种GPIO工作方式详解(2023-06-09)
的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和......
STM32的GPIO工作方式与基本结构(2023-07-19)
不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模......
STM32的GPIO工作原理(2023-03-07)
不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组......
一种低电压、低功耗模拟电路设计方案(2024-07-23)
的衬底驱动电流镜结构即本文提出的低电压电流镜如图1(b)所示，这种电流镜用衬底-漏极连接代替传统简单电流镜结构里的栅极-漏极连接[3].当然，M3和M4通过衬底连接而不是栅极，而N型MOS管M3和M4的栅......
STM32 GPIO工作原理及LED电路原理(2024-08-15)
出控制电路输出0时：P-MOS管截止N-MOS管导通，被下拉到低电平，IO口输出为低电平0同时IO口输出的电平可以通过输入电路读取8，GPIO输出工作模式4-复用推挽输出模式
与推挽输出模式唯一的区别......
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺(2024-06-17)
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺;功率器件与硅基功率器件的特性不同本质是外延的不同，本文通过深入对比HEMT与硅基MOS管的外延，再对增强型和耗尽型的HEMT进行对比，总结......
一文看懂3D晶体管(2016-11-01)
趟发烧音响材料行一定可以看到一大堆。
MOSFET晶体管通道
而MOS就非常小家子气了，在早期或者是大功率的JFET，是由2个N型半导体夹住P型半导体，（或者2个P型夹住N型），但是......
一文看懂stm32的引脚的两种用途：GPIO和AFIO(2024-01-05)
电路在放大中通常被用作输出级，在STM32中，推挽配置就是这种，如图：
在相应位置1时，P-MOS导，通N-MOS截止，输出电压为VDD；在相应位置0时，N-MOS导通，P-MOS截止，输出......
详解12种桥式电路(2024-12-05 16:42:28)
，而不是在低压侧使用两个 n 沟道类型和在高压侧使用两个 p 沟道类型。
N沟道 MOS管H桥
假设......
上海雷卯推出稳定性和效率兼备的MOSFET新产品(2023-09-04)
主要区域组成。依照其“通道”(工作载流子的极性不同，可分为“N型“与“P 型”的两种类型，通又称为 NMOS与 PMOS。
一. MOSFET工作......
理清推挽、开漏、OC、OD的特点与应用(2024-11-03 23:04:17)
种输出的原理和特性基本是类似的，区别如下：
开漏使用MOS管，其中的"漏"指的就是MOS管的漏极
开集......
基础知识之晶体管(2024-03-21)
)、半導体 (SemicONductor)，故称MOS。MOS还分为P型、N型、C型，因为消费电流小，用于微控制器等集成度高的IC。
2、按功率分
主要以最大额定值的集电极功率PC进行......
华虹半导体最新推出90纳米超低漏电嵌入式闪存(2020-08-31)
于物联网、可穿戴式设备、工业及汽车电子等方面的应用。
新近推出的90纳米超低漏电嵌入式闪存工艺平台1.5V 核心N型和P型MOS晶体管漏电达到0.2pA/μm，可有效延长MCU设备的待机时间。该平......
电工必懂电路图，值得一看！(2024-11-09 18:49:55)
围、双字范围）
45.液位继电器接线方法
46.N沟道和P沟道MOS管区别......
如何用单片机控制220V交流电的通断(2024-01-17)
故障很容易高压烧毁低压端的单片机。
低压控制高压，最好做隔离，上图为使用光耦隔离的控制方式，也可以使用其它物理隔离芯片。
（2）使用三极管、MOS管的控制方式
上图是使用MOS管作开关的电路原理图，因为是交流电，使用两个N......
STM32的GPIO工作原理详解(2023-05-19)
的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N......
STM32的GPIO介绍及电路图讲解(2023-07-19)
的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N......
STM32 GPIO工作原理详解(2023-03-20)
不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO......
STM32的GPIO详细介绍(2023-06-25)
-MOS 管和 N-MOS 管：由 P-MOS 管和 N-MOS 管组成的单元电路使得 GPIO 具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。这里的电路会在下面很详细地分析到。
TTL 肖特基触发器：信号......
到底什么是I/O的驱动能力？(2023-02-02)
驱动能力是指，在输出电流小于等于最大输出电流的情况下，I/O引脚可以正常的输出逻辑1。
P-MOS管的源极(S)接VDD，当MCU输出1时，P-MOS管导通，电流从源极(S)流向漏极(D)。I/O引脚......
基于STM32F0的SPI通信的FLASH程序分析(2023-09-26)
锁相环路就可以实现这个目的。
附注2：STM32的GPIO口的输出：开漏输出和推挽输出
1、推挽输出与开漏输出的区别：
》》推挽输出：可以输出高，低电平，连接数字器件
》》开漏输出：输出端相当于三极管的......
stm32单片机GPIO端口的特点及应用解析(2023-09-26)
锁相环路就可以实现这个目的。
附注2：STM32的GPIO口的输出：开漏输出和推挽输出
1、推挽输出与开漏输出的区别：
》》推挽输出：可以输出高，低电平，连接数字器件
》》开漏输出：输出端相当于三极管的......
基础知识之二极管(2024-03-20)
用于保护单极电路。
TVS与ZD的区别
TVS和ZD在利用二极管的反向特性方面是相同的，但是由于ZD主要用于恒压应用，因此对电压稳定的低电流范围（5mA～40mA）规定了“齐纳电压（VZ）”。 此外，ZD......
【单片机】51单片机入门教程中（LED流水灯）(2022-12-15)
有单向导电性。当给发光二极管加上正向电压后，从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子，在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合，产生自发辐射的荧光。常用的是发红光、绿光或黄光的二极管。发光二极管的......
电源防反接和防倒灌 - 使用MOS 管和运放实现理想二极管(2024-10-21 20:54:06)
让体二极管方向和电流方向相同。用前面的电荷泵实现NMOS 高边驱动
在正常的正向电流情况下，由于MOS 管的导通电阻
R d s ( o n ) R_{ds......
几种常用的防反接电路(2024-06-05)
形成保护。
PMOS防反
NMOS管将ds串到负极，PMOS管将ds串到正极，寄生二极管方向朝向正确连接的电流方向；
MOS管的D极和S极的接入：通常使用N沟道的MOS管时，一般是电流由D极进入S极流......
干货 | 图解二极管单向导通的原因(2024-10-28 19:03:53)
意图
在 P 型和 N 型半导体的交界面附近，由于 N 区的自由电子浓度大，于是带负电荷的自由电子会由 N 区向电子浓度低的 P 区扩散；扩散的结果使 PN 结中靠 P 区一侧带负电，靠 N......
RS瑞森半导体低压MOS在小家电的应用(2022-11-28)
RS瑞森半导体低压MOS在小家电的应用;
一、分类
MOSFET是集成电路中带有绝缘层的栅型场效应管，主要分为N沟道和P沟道两大类。其中N沟道MOS管电路中BEEP引脚......
天合“加速度”(2023-08-28 14:28)
能投资角度，今年已是N型取代P型，不过从产品产出，今年仍将是P型主导，但明年N型将全面取代P型。因此，明年N型优势产能将成为企业竞赛的核心所在。
而决战N型，天合光能从一体化全面冲刺。2022年6月18......
STM32-GPIO详解(2024-07-17)
输出”和“开漏输出”两种模式。
所谓的推挽输出模式，是根据这两个MOS管的工作方式来命名的。在该结构中输入高电平时，经过反向后，上方的P-MOS导通，下方的N-MOS关闭，对外输出高电平；而在......
IBM 展示专为液氮冷却优化的纳米片晶体管原型，性能可较室温翻倍(2023-12-25)
工艺难以降低阈值电压，因此 IBM 研究人员采用了一种全新的双金属栅极和双偶极子技术。他们通过在 n 型和 p 型晶体管的接口处添加不同的金属杂质，形成偶极子，从而降低电子跨越导带边所需的能量，使晶体管更加高效。
......
IBM 展示专为液氮冷却优化的纳米片晶体管原型，性能可较室温翻倍(2023-12-25 16:02)
研究人员采用了一种全新的双金属栅极和双偶极子技术。他们通过在 n 型和 p 型晶体管的接口处添加不同的金属杂质，形成偶极子，从而降低电子跨越导带边所需的能量，使晶体管更加高效。......
相关企业
器等电子系列产品上。 MOS管系列包含： （CES2301,CES2312,CES2321,CEM9926,CEM9435,CEM4953 ,CEM8958,单N沟道，单P沟道，双N沟道，N+P沟道）等。
寻求技术与销售的最佳融合点，相互促进，扩大原有销售市场并提供客户最满意的服务! 一、授权一级代理：台湾勤益（GTM）产品线，主营全系列MOSFET（MOS管）产品，结构类型有：N-MOS，P-MOS，双N
;秦皇岛市冀冶实业有限公司;;主要分为头部及空段清扫器两种。主要材质为硬质合金，头部清扫器分H型、P型和NPS型、G型等几种，装于传动滚筒处，清扫输送带工作面上的粘煤；空段
;晶科北方科技有限公司;;深圳市晶科北方科技有限公司是一家专业销售半导体元器件的贸易公司。主营台湾华瑞cet的MOS管(单管；双管；P、N沟道)及台湾富晶的保护ic.低廉的价格＋上乘的品质＋热情
;鑫阳贸易有限公司;;单晶硅裸片/P型/电阻:0.5以上/45元/片 单晶硅抛光片/P型/电阻:0.5以上/40元/片 单晶硅方棒/P型/电阻:0.5以上/1800.00元/公斤 单晶硅圆棒/P型
;成功贸易有限公司;;成功贸易有限公司: 供应/单晶硅棒/单晶硅废料/单晶硅片/裸片/抛光片 我司现有太阳能级 和 IC级 各种单晶硅 [以下部份产品报价] 单晶硅裸片/P型/电阻:0.5以上
-6000型、TZ-8000型、TZ-10000型和TZ-12000型等TZ系列自动荧光磁粉探伤机；TZ-30型、TZ-32型和TZ-34型等TZ系列渗透检测线及其污水处理设备；TZ-20型自
法单晶N型，电阻率270欧姆/cm，载流子寿命可达360毫秒。 区熔法拉制5次，为N型，电阻率5000欧姆/cm：拉制11次为P型，电阻率为3万欧姆/cm，载流子寿命可达360毫秒。 用此
;龙岩市海通贸易有限公司;;公司经营进口IC级N型6--8寸片及P型破片回炉料，以及高纯度多晶硅．出口太阳能组件.有多年经营经验.在行业内有很高的好评.另外经营进口加拿大废塑.进口印尼优质燕窝.树脂
;深圳富邦科技有限公司;;我司代理电源管理IC，现在有很多内置三极管和MOS管的电源IC方案，100W以内的都有方案，主要品牌有：亚成微，微盟，芯联，芯龙，信安，BYD。各种性IC和MOS管的性价比非常高。