沈阳天赐多晶硅有限公司
我公司的此项目负责人“庞德春”先生,早在70年代就已经对此项目实施过工业化生产。当时就已经拉制出达到世界级水平的产品。
产品检测达到7N以上,采用硅烷法生产工艺,直拉法单晶N型,电阻率270欧姆/cm,载流子寿命可达360毫秒。 区熔法拉制5次,为N型,电阻率5000欧姆/cm:拉制11次为P型,电阻率为3万欧姆/cm,载流子寿命可达360毫秒。 用此硅片制作的高压硅堆能耐压2000V。是当时世界上的尖端技术。
近两年,庞德春先生又总结了改良西门子法(三氯氢硅法的一种)、四氯化硅法、最终还是决定继续沿用硅烷法生产多晶硅工艺,在老的工艺下改用新型制造设备,完全可以达到世界先进水平,制造出超高纯度的多晶硅。现正在寻求有大资金的合作伙伴。
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