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研发客服2020年8月27日，华虹半导体有限公司宣布，最新推出90纳米超低漏电（Ultra-Low-Leakage，ULL）嵌入式闪存（eFlash）和电可擦可编程只读存储器（EEPROM）工艺平台，满足大容量微控制器（MCU）的需求。该工艺平台作为华虹半导体0.11微米超低漏电技术的延续，以更低的功耗和成本为客户提供具有竞争力的差异化解决方案，适用于物联网、可穿戴式设备、工业及汽车电子等方面的应用。
新近推出的90纳米超低漏电嵌入式闪存工艺平台1.5V 核心N型和P型MOS晶体管漏电达到0.2pA/μm，可有效延长MCU设备的待机时间。该平台的嵌入式非易失性存储器（eNVM，Embedded Non-Volatile Memory）IP具有10万至50万次擦写次数、读取速度达30ns等独特优势。同时逻辑单元库集成度高，达到400K gate/mm2以上，能够帮助客户多方面缩小芯片面积。
该工艺平台的最大优势是集成了公司自有专利的分离栅NORD 嵌入式闪存技术，在90纳米工艺下拥有目前业界最小元胞尺寸和面积最小的嵌入式NOR flash IP，而且具有光罩层数少的优势，帮助客户进一步降低MCU、尤其是大容量MCU产品的制造成本。该平台同时支持射频（RF）、eFlash和EEPROM。
2020年8月27日，华虹半导体有限公司宣布，最新推出90纳米超低漏电（Ultra-Low-Leakage，ULL）嵌入式闪存（eFlash）和电可擦可编程只读存储器（EEPROM）工艺平台，满足大容量微控制器（MCU）的需求。该工艺平台作为华虹半导体0.11微米超低漏电技术的延续，以更低的功耗和成本为客户提供具有竞争力的差异化解决方案，适用于物联网、可穿戴式设备、工业及汽车电子等方面的应用。
新近推出的90纳米超低漏电嵌入式闪存工艺平台1.5V 核心N型和P型MOS晶体管漏电达到0.2pA/μm，可有效延长MCU设备的待机时间。该平台的嵌入式非易失性存储器（eNVM，Embedded Non-Volatile Memory）IP具有10万至50万次擦写次数、读取速度达30ns等独特优势。同时逻辑单元库集成度高，达到400K gate/mm2以上，能够帮助客户多方面缩小芯片面积。
该工艺平台的最大优势是集成了公司自有专利的分离栅NORD 嵌入式闪存技术，在90纳米工艺下拥有目前业界最小元胞尺寸和面积最小的嵌入式NOR flash IP，而且具有光罩层数少的优势，帮助客户进一步降低MCU、尤其是大容量MCU产品的制造成本。该平台同时支持射频（RF）、eFlash和EEPROM。
华虹半导体执行副总裁孔蔚然博士表示：“公司致力于差异化技术的创新和不断优化，为客户提供市场急需的、成本效益高的工艺和技术服务。在精进8英寸平台的同时，加快12英寸产线的产能扩充和技术研发。物联网、汽车电子是MCU应用的增量市场，此次90纳米超低漏电嵌入式闪存工艺平台的推出，进一步扩大了华虹半导体MCU客户群在超低功耗的市场应用领域的代工选择空间。”
华虹半导体执行副总裁孔蔚然博士表示：“公司致力于差异化技术的创新和不断优化，为客户提供市场急需的、成本效益高的工艺和技术服务。在精进8英寸平台的同时，加快12英寸产线的产能扩充和技术研发。物联网、汽车电子是MCU应用的增量市场，此次90纳米超低漏电嵌入式闪存工艺平台的推出，进一步扩大了华虹半导体MCU客户群在超低功耗的市场应用领域的代工选择空间。”
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