资讯
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系(2024-11-09 00:48:11)
须对这三者的内部结构和工作原理有大致的了解。
BJT
双极性晶体管，俗称三极管。内部结构(以PNP型BJT为例)如下图所示。
BJT内部......
大规模商用在即，回顾SiC器件的前世今生(2017-08-28)
且昂贵的热管理以及功率转换系统效率的上限。SiC电晶体的出现在相似的通态损耗(实际上在轻负载状态下会更低)，以及电压闭锁能力的条件下，几乎消除了IGBT所具有的开关损耗，除了降低系统的整体重量和尺寸外，它还......
这40个模拟电路基础知识太有用了！(2024-06-06)
NPN管，这应该在确定电源形式时同时考虑。有些的外壳与某个电极相连，对于硅管来说往往是集电极。在需要某极接地时应考虑这个因素。
11、场效应晶体管与BJT在工作过程中有很大的区别：BJT中的......
90%的工程师会忽略的 40 个实用模拟电路小常识，你是其中之一吗？(2024-10-20 23:26:13)
是用 PNP 还是 NPN 管，这应该在确定电源形式时同时考虑。有些三极管的外壳与某个电极相连，对于硅管来说往往是集电极。在需要基极接地时应考虑这个因素。
11、场效应晶体管......
90%的人会忽略的40个实用模拟电路小常识(2024-11-30 17:23:02)
地时应考虑这个因素。
11、场效应晶体管与BJT在工作过程中有很大的区别：BJT中的电荷载体是空穴或被击出的少量的“少子”，FET中的电荷则是数目相对多几个数量级的自由电子，“多子......
电子工程师必备！40个模拟电路小常识！(2024-12-15 01:50:33)
场效应晶体管与BJT在工作过程中有很大的区别：BJT中的电荷载体是空穴或被击出的少量的“少子”，FET中的......
了解RET的开关特性(2023-02-03)
了解RET的开关特性;可通过基极电流开启或关闭双极结型晶体管(BJT)。但是，由于基极-发射极二极管两端的压降在很大程度上取决于温度，因而在许多应用中，需要一个串联电阻将基极电流保持在所需水平，从而......
干货总结｜晶体管的应用知识(2023-03-28)
你可以用它来打开或关闭一些东西。当然了晶体管也可以部分打开，这对于放大器的设计很有用。
1. 晶体管BJT的工作原理
让我们从经典的NPN晶体管开始。
下图是个双极结晶体管(BJT)，有三个......
一文看懂3D晶体管(2016-11-01)
来看看早期最有力、速度最快的BJT晶体管和现在最常用的MOSFET晶体管有什么不同。
BJT晶体管通道
BJT的构成很简单，就是把2个P型半导体夹住1个N型半导体变成三明治。当然，也有用2个N型半......
三星宣布明年下半年量产第二代3nm及强化版4nm制程(2023-11-03)
功耗降低23%。虽然，三星尚未透露此比较的基准，但很可能参考了他们的当前标准的4nm制程技术流程。这种增强版制程是通过重新设计晶体管的源极和漏极区域、重新评价其在潜在高应力条件下的性能、应用先进的晶体管......
华为初级电子工程师必备手册（模拟电路讲义-上)(2025-01-11 11:03:17)
子电路设计者必须掌握的基本要素。只有正确地理解掌握了基本的电路器件，才能设计出符合目的的，功能正常、性能可靠的电路。在电子世界飞速发展的今天，掌握基本器件是正确、可靠地使用集成器件所必须的辅助条件。本文将列出几种最常用的品体管......
新能源汽车解析丨什么是IGBT？结构与拆解(2023-10-08)
方便、散热稳定等特点。它是能量转换和传输的核心装置。简单概括一下，IGBT可以说是MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和BJT的结合体（双极结型晶体管）。即它结合了MOSFET的栅压控制晶体管（高输......
英特尔、三星、台积电展示下代CFET架构(2023-12-22)
反相器几项改进。CMOS 反相器将相同输入电压发送到堆叠两个设备的栅，并产生一个逻辑上与输入相反的输出，且反相器在一个鳍完成。英特尔还将晶体管纳米片数量从两个增加到三个，垂直间隙也从50纳米减到30纳米......
基于音频放大器的模拟分压器解析(2023-06-15)
以通过推挽级而不是由单个输出缓冲器驱动。这不是线性稳压器的情况，通常我们在每个输出端都有一个晶体管（输出不是推挽级）。
图 1c显示了 VS 的第三个版本。+Vin和GNDin之间......
Nexperia双通道500 mA RET可在空间受限的应用中实现高功率负载开关(2023-09-27)
列器件适用于可穿戴设备和智能手机中的负载开关，也可用于功率要求更高的数字电路。例如空间受限的计算、通信、工业和汽车应用。值得注意的是，DFN封装的RET采用双重空间节省方案，可加倍提高空间利用率。首先，通过将双极性晶体管(BJT)和电......
Nexperia推出采用空间和能源效率较高的DFN2020D-3封装的热门功率BJT(2024-09-02)
Nexperia推出采用空间和能源效率较高的DFN2020D-3封装的热门功率BJT;满足行业对采用更现代封装的功率双极结型晶体管的需求
奈梅亨，2024年 9月2日：Nexperia今日宣布其广受欢迎的功率双极结型晶体管......
基础知识之晶体管(2024-03-21)
度变化率，如下图表。
关于输出电压 - 输出电流特性的低电流领域(数字晶体管的情况)
数字晶体管的输出电压-输出电流特性，按以下测定方法测定。
IO（低电流区域）条件下，个别晶体管基极没有电流流过。
因此低电流区域......
|光耦合电路讲解，工作原理+电路案例，通俗易懂，带你搞定(2024-11-20 12:53:06)
。LED向光敏三极管发出红外光在右侧。
光电晶体管是通过其集电极和发射极来切换输出电路，在这一点上与典型的 BJT 晶体管相同。
LED 的强度直接控制光电晶体管，因为......
Nexperia推出采用空间和能源效率较高的DFN2020D-3封装的热门功率BJT(2024-09-05)
Nexperia推出采用空间和能源效率较高的DFN2020D-3封装的热门功率BJT;
【导读】Nexperia宣布其广受欢迎的功率双极结型晶体管(BJT)产品组合再次扩展，推出......
双极性结型晶体管的开关损耗(2024-05-09)
双极性结型晶体管的开关损耗;在SPICE仿真的帮助下，我们研究了当BJT用作开关时发生的两种类型的功耗。本文引用地址：（BJT）既可以用作小信号放大器，也可以用作开关。尽管......
Nexperia双通道500 mA RET可在空间受限的应用中实现高功率负载开关(2023-09-27)
Nexperia双通道500 mA RET可在空间受限的应用中实现高功率负载开关;基础半导体器件领域的高产能生产专家今日宣布新推出全新的500 mA双通道内置电阻晶体管()系列产品，均采......
Nexperia推出采用空间和能源效率较高的DFN2020D－3封装的热门功率BJT(2024-09-02 14:36)
Nexperia推出采用空间和能源效率较高的DFN2020D－3封装的热门功率BJT;满足行业对采用更现代封装的功率双极结型晶体管的需求Nexperia今日宣布其广受欢迎的功率双极结型晶体管(BJT......
Nexperia推出采用空间和能源效率较高的DFN2020D－3封装的热门功率BJT(2024-09-02 14:36)
Nexperia推出采用空间和能源效率较高的DFN2020D－3封装的热门功率BJT;满足行业对采用更现代封装的功率双极结型晶体管的需求Nexperia今日宣布其广受欢迎的功率双极结型晶体管(BJT......
英特尔、三星和台积电演示3D堆叠晶体管，三大巨头现已能够制造互补场效应晶体管（C(2023-12-18)
尔组件研究小组首席工程师马尔科·拉多萨夫列维奇（Marko Radosavljevic）在会前告诉记者。“在最大程度上，它将是50%”普通CMOS反相器大小的，他说。
问题在于，将制作两个晶体管堆叠成反相器电路所需的所有互连装置挤入区域......
QORVO GAN－ON－SIC晶体管提高战术和公共安全电台的效率和带宽(2017-06-29)
带访问能力成为必要——这一切都发生在极具挑战性的条件下。我们的新型晶体管可在三个不同功率水平下提供更高的电压，这一优势最终会转换成为功能更强、容量更大、可靠性更高的电台。”Qorvo是50V宽带匹配GaN......
什么叫IGBT? IGBT的结构、工作原理与应用领域有哪些？(2025-01-14 07:05:07)
IGBT是一种结合了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和双极型晶体管（BJT）特性的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件。它继承了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降两方面的优点，具有......
为什么使用双极性晶体管驱动功率LED(2023-02-08)
为什么使用双极性晶体管驱动功率LED;大功率灯串（例如汽车前灯中用的灯串）要求电流恒定，也就是无论环境温度和输入电压如何波动变化，电流都保持稳定。电流稳定可以确保灯串的亮度水平恒定，有助......
Nexperia双通道500 mA RET可在空间受限的应用中实现高功率负载开关(2023-09-27 11:10)
用于功率要求更高的数字电路。例如空间受限的计算、通信、工业和汽车应用。值得注意的是，DFN封装的RET采用双重空间节省方案，可加倍提高空间利用率。首先，通过将双极性晶体管(BJT)和电阻巧妙地集成到单一封装中，可节......
什么是变频器（VFD）？(2024-04-11)
的开关有可能实现更好的逆变器输出可控性以及相关的改进的动态响应。
较旧的逆变器设计通常使用可控硅整流器 (SCR) 或双极结型晶体管 (BJT) 作为开关组件。SCR 可以在 250 至 500 Hz 范围内工作，而......
晶体管收音机电路原理图讲解(2024-04-22)
收音机的电路原理图并解释其工作原理。
双极结型晶体管（BJT）是该电路中的主要元件。在此设置中，通常使用 NPN 晶体管。通过充当放大器，晶体管可以增强传入的微弱射频 (RF) 信号。天线接收射频，然后通过调谐 LC......
Nexperia推出全新的500 mA双通道内置电阻晶体管(2023-09-27)
Nexperia推出全新的500 mA双通道内置电阻晶体管;
【导读】基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布新推出全新的500 mA双通道内置电阻晶体管(RET)系列......
关于图像传感器的像素误区(2023-06-20)
比较宽，收集起来比较慢。在低光照条件下使用更大的像素，在明亮光照条件下使用更小的像素，可以形成扩展的动态范围。
图 1：复杂的半导体，从光子到图像输出
安森美为单个像素增加了一个区域，让多出来的信号或电荷能够溢出到该区域......
利用低电平有效输出驱动高端MOSFET输入开关以实现系统电源循环(2024-01-23)
用于软复位和电源循环
NPN双极结型晶体管用作驱动电路
驱动P沟道高端开关的一种方法是使用NPN双极结型晶体管(BJT)，如图4所示。此电路形成一个逆变器，将来自看门狗输出的低电平有效信号转换为P沟道MOSFET开关......
利用低电平有效输出驱动高端MOSFET输入开关以实现系统电源循环(2024-01-23)
高端开关的一种方法是使用NPN双极结型晶体管(BJT)，如图4所示。此电路形成一个逆变器，将来自看门狗输出的低电平有效信号转换为P沟道MOSFET开关所需的高电平逻辑信号。
当系......
Nexperia的锗化硅 (SiGe)整流器兼具一流的高效率、热稳定性，能够节省空间(2020-05-27)
适合高温应用，例如，LED照明、发动机控制单元或燃油喷射。这些新推出的极低泄漏器件提供扩展的安全工作区域，在不超过175 °C的条件下不会发生热失控。同时，工程......
模拟电路入门100个知识点！(2024-11-10 22:13:28)
。
19、三极管的三个工作区域是
截止
，
饱和
，
放大
。集成......
简述碳化硅SIC器件在工业应用中的重要作用(2022-12-21)
探索任务、深层石油开采系统、飞机系统等领域的进步。
电力电子电路不断发展以实现更高的效率，绝缘栅双极晶体管（IGBT）和金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）等电力电子设备为令人兴奋的创新打开了大门。硅......
模拟集成电路设计中的MOSFET非理想性(2024-01-18)
结构。
图1.具有寄生电容的MOSFET结构。
电容值会随着工作区域的变化而变化，我们将在接下来的部分中讨论。
栅源和栅漏电容
虽然图1中没有显示，但在晶体管制造过程中，源极和漏极在栅极下方略微延伸。在栅极与源极或漏极重叠的区域......
Dialog半导体有限公司日前推出新型固态照明 (SSL) LED驱动器(2013-08-13)
Dialog的PrimAccurate™原边控制专利技术，消除所需的次级调节器和光耦器件，从而节省BOM成本。同时，以低成本双极结型晶体管 (BJT) 替换场效应晶体管 (FET)。采用BJT开关......
功率半导体在电动汽车充电中的作用(2022-11-28)
半导体器件又称为电力电子器件，主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件，包括MOSFET（金属氧化物半导体场效晶体管）、IGBT（绝缘栅双极型晶体管）、BJT（全程双极性结型晶体管，也就是三极管）、晶闸......
音频放大器的特点及原理(2023-10-26)
责将输入的电压信号放大到足够的水平。放大级通常由一个或多个晶体管（BJT或FET）组成，晶体管的特性决定了放大器的增益和失真。放大级的输出通常通过耦合电容连接到下一级放大器。
输出级
输出......
Nexperia推出采用小型无引脚耐用型DFN封装的符合AEC-Q101的分立半导体产品组合(2020-06-24)
开关、肖特基、齐纳和保护二极管、双极结晶体管(BJT)、N沟道及P沟道MOSFET、配电阻晶体管和LED驱动器。
Nexperia提供多种汽车级分立器件无引脚封装，从小尺寸DFN1006BD-2 (1......
单片机工作电压5V的来历(2023-02-02)
-Transistor Logic，即BJT-BJT逻辑门电路，是数字电子技术中常用的一种逻辑门电路，应用较早，技术已比较成熟。TTL主要有BJT（Bipolar Junction Transistor 即双极结型晶体管......
选择合适的集成度来满足电机设计要求(2023-06-13)
选择合适的集成度来满足电机设计要求;这篇文章是我们运动控制技术文章系列的第三篇（第一篇 |第二篇）。
如果您正在设计电机驱动应用，以往您可能会使用如双极结型晶体管 (BJT) 等多......
科普丨十大最常用电子元器件介绍(2024-10-22 09:33:32)
是两种型号的表示符号：3、场效应管与晶体管的比较(1)场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管;而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件......
功率MOSFET的UIS(UIL)特性知多少？(2024-03-19)
漂移 (epi) 区形成一个npn晶体管。此npn晶体管的基极到发射极结由p掺杂区域和n掺杂源极区域形成，被前端金属短接。因此，源极金属触点是MOSFET UIS能力的关键设计和工艺参数。如果npn被激......
常用的16种电子元器件的图片、名称、符号！挺全的，值得收藏！(2024-10-20 21:01:18)
.晶体管三......
请问一下IGBT是如何实现电路控制的？(2024-06-14)
动车的交流电电动机的输出控制。
传统的BJT导通电阻小，但是驱动电流大，而MOSFET的导通电阻大，却有着驱动电流小的优点。IGBT正是结合了这两者的优点：不仅驱动电流小，导通电阻也很低。
这种晶体管结合了金属氧化物半导体场效应晶体管......
三极管从原理到应用，从参数到特性，从入门到精通(2025-01-15 11:17:28)
种半导体电子器件，也是电子工程中最基本的元件之一。它有三个区域，分别是P型半导体，N型半导体和P型半导体，从而形成PNP型晶体三极管或者NPN型晶体三极管。
......
市场有哪些产品用了三星14nm FinFET 制程(2016-10-26)
整理的英特尔和台积电的情况也是一样的。稍后我们将进一步讨论这个问题。
晶体管闸极使用替代性闸极制程制造，包括沉积牺牲层(通常为多晶矽)、图案化与蚀刻，形成大约30个较宽的条形(stripe)区域。这些条形区域可定义出晶体管......
相关企业
;深圳市高翔电子经营部;;经营各名品牌晶体管(场效应MOS管三极管\三端稳压达林顿\肖特基快恢复\可控硅集成IC~~~~~~~~~),质量第一!合作愉快!
;东莞市旌旗电子科技有限公司;;东莞市旌旗电子科技有限公司 经销批发的电容器系列、电路保护器件、连接器系列、晶振系列、晶体管二极管三极管、IC元件、LED产品畅销消费者市场，在消
、 Thyristor、SCR、整流桥、二极管、DCB块、功率模块,Hybrid和晶体管等IXYS的HiPer MOSFET , 由于内置了恢复速度快,恢复特性良好的二极管,无论
;丹东市华奥电子有限公司;;丹东华奥电子有限公司是专业从事汽车/摩托车电子电器配套用集成电路和晶体管开发、设计、生产、推广应用和服务的高科技企业。产品出口国际市场。公司长期现货供应以下产品 汽车
;安丘市科威电子有限公司;;我公司已有13年半导体器件生产历史,设备先进,测试仪器齐全,例行实验设施完善。主要产品有:１．ＮＰＮ硅低频大功率晶体管 3DD1-3DD12,3DD21
;东莞灿域电子有限公司;;我司是一家生产代理.二三极管 .产品系列有各种封装的 晶体管 场效应管 可控蛙 三端稳压IC等品种达800遇种. 产品用于;显示器 电源 音响 电话机 电脑 玩具 节能
，汽车电器通用晶体管，半导体芯片等。 年供货能力：专用集成电路2000万，功率达林顿晶体管2000万。 公司经营理念：以市场为导向，客户的需求和称心满意就是我们的追求，致力于汽车电子电器领域的
;szwtron;;分布式组件、集成电路、电子组件、被动组件等。主动组件：小信号晶体管、功率晶体管、场效应晶体管、IGBT、线性IC、逻辑处理IC、LCD驱动IC、、MP3IC、DVDIC、工业
型电子市场，便利的条件将为我们提供最优质、快捷、价廉的电子元件。
主要产品是江苏供应长电全系列二/三极管，晶体管，MOS管，压敏电阻，TVS管，整流管，稳压管，双晶体管，数字晶体管，镇流器专用开关晶体管等被动元器件。 公司秉承想客户之所想，急客户之所急的经营思路，快速，高效，灵活